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[发明专利]一种表面覆载二氧化硅的聚酰亚胺膜层材料及其制备方法-CN202010141710.1有效
发明人： 齐胜利;王芮晗;田国峰;汪晓东;武德珍 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： D06M11/79 文献下载
摘要：一表面覆载二氧化硅的聚酰亚胺膜层材料，其制备方法为：首先制备聚酰胺酸(PAA)纳米纤维膜并使其定量吸附二氧化硅前驱体溶液，再将其平铺于由PAA溶液涂覆而成的含有大量溶剂的PAA湿膜上，使下层湿膜中的PAA及溶剂渗入上层纳米纤维膜中，将纳米纤维网络原位溶解、匀化，形成二氧化硅前驱体/聚酰胺酸互穿网络覆载层和聚酰胺酸基底层“一体化”结构，再经可控水解及热处理最终得到表面覆载二氧化硅的聚酰亚胺膜层材料。本发明的方法制得的复合膜，其表面二氧化硅覆载层均匀致密，具有覆载层厚度可控、界面粘结性优异及力学性能好等优点，而且成本低、工艺简单、适用范围广，易于实现工业化生产。
一种表面二氧化硅聚酰亚胺材料及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及制备方法与应用-CN202210097167.9在审
发明人：吕振兴;齐胜利;刘亚柱;赵耀;张丽 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构及制备方法与应用，所述制备方法，至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体外延层，且所述半导体外延层包括依次设置的第一类型半导体层、量子阱层和第二类型半导体层；通入第一类型气体，刻蚀所述半导体外延层一侧的第二类型半导体层、量子阱层以及预设厚度的第一类型半导体层；通入第二类型气体，刻蚀修复刻蚀后的所述第一类型半导体层，形成修复层；在所述修复层上形成第一电极；以及在所述第二类型半导体层上形成第二电极。本发明提供的一种半导体结构及制备方法与应用，能有效改善半导体结构电极的欧姆接触困难的问题。
一种半导体结构制备方法应用

[实用新型]一种散热模块和杀菌灯-CN202122371273.5有效
发明人：吴化胜;亓培剑;钱凌龙;齐胜利;李旭峰;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：一种散热模块和杀菌灯，所述散热模块，包括：热传导件、散热片和用于贴靠发热部件的导热部；多个热传导件和多个散热片均设置在导热部的同一侧，多个散热片相互平行且间隙设置；热传导件采用U型结构件，其弯部贴合导热部；热传导件的端部依次贯穿各散热片。所述杀菌灯包括所述散热模块，实现了更轻的重量，更高的散热效果，有利于杀菌灯长时间稳定工作，并保证使用寿命。
一种散热模块杀菌

[外观设计]LED杀菌设备（深紫外）-CN202130861242.0有效
发明人：吴化胜;亓培剑;苗延镇;李旭峰;齐胜利;钱凌龙 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：LED杀菌设备（深紫外）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于发射深紫外线光进行杀菌。3.本外观设计产品的设计要点：在于本外观设计产品的整体形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
led 杀菌设备深紫

[外观设计]便携式杀菌灯-CN202130861889.3有效
发明人：吴化胜;亓培剑;苗延镇;李旭峰;齐胜利;钱凌龙 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：便携式杀菌灯。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品可用于发射深紫外线光进行杀菌。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
便携式杀菌

[发明专利]一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法-CN201810768268.8有效
发明人：杨学林;沈波;宋春燕;纪攀峰;唐军;齐胜利;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法，通过外延方法制备的降低氮化镓基外延层中漏电的结构包括，衬底；成核层，设置于所述衬底的上表面；应力和缺陷控制层，设置于所述成核层的上表面；下缓冲层，设置于所述应力和缺陷控制层的上表面；电子阻挡层，设置于所述下缓冲层的上表面；上缓冲层，设置于所述电子阻挡层的上表面；沟道层，设置于所述上缓冲层的上表面；以及势垒层，设置于所述沟道层的上表面。利用本发明，通过在上缓冲层和下缓冲层中引入电子阻挡层，利用电子阻挡层的势垒阻挡特性，能够有效的阻挡衬底中的电子注入到上缓冲层中，有效减少氮化镓基外延层中的纵向漏电流，提高氮化镓基外延层的可靠性。
一种降低氮化外延漏电结构及其制备方法

[发明专利]白光发光二极管的调光方法-CN201910096408.6有效
发明人：陈志忠;聂靖昕;焦飞;康香宁;党卫民;童玉珍;张国义;沈波;唐军;刘亚柱;齐胜利;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H05B45/325 文献下载
摘要：本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
白光发光二极管调光方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201910179765.9有效
发明人：唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波;陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。
一种发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]交联型聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用-CN201810790616.1有效
发明人：田国峰;周涵;武德珍;齐胜利 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及高性能薄膜材料领域，公开了交联型聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用，该制备方法通过在二酐和二胺缩聚形成的反应体系中，加入氨基化合物继续反应，所述氨基化合物具有3个以上的氨基，得到交联型聚酰胺酸溶液；将得到的交联型聚酰胺酸溶液形成聚酰胺酸薄膜；并进行亚胺化反应，得到交联型聚酰亚胺薄膜。由该方法制备的交联型聚酰亚胺薄膜同时具有高强度高模量、低膨胀系数和低介电常数的性能。
交联聚酰亚胺薄膜及其制备方法应用

[发明专利]图形化氮化铝复合衬底、深紫外LED外延结构及制备方法-CN202110002544.1有效
发明人： 齐胜利;郭丽彬;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种图形化氮化铝复合衬底、由该复合衬底制备的深紫外LED外延结构及该深紫外LED外延结构的制备方法。所述图形化氮化铝复合衬底由蓝宝石衬底、图形化氮化铝层组成，且图形化氮化铝层为表面压印有孔型图案的氮化铝层；所述深紫外LED外延结构结构从下到上依次由图形化氮化铝复合衬底、外延氮化铝层、n型AlGaN接触层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、p型AlGaN层和p型GaN外延层。本发明通过匹配溅射氮化铝退火温度和纳米压印图形周期尺寸可以控制复合衬底上外延氮化铝的应力状态，制备几乎无应力的氮化铝薄膜，在此基础上的深紫外LED裂纹面积小、晶体质量高，因此良率高、光电性能优越。
图形氮化复合衬底深紫 led 外延结构制备方法

[外观设计]手提式杀菌灯-CN202130647562.6有效
发明人：吴化胜;亓培剑;钱凌龙;齐胜利;李旭峰;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手提式杀菌灯。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品可用于发射深紫外线光进行杀菌。3.本外观设计产品的设计要点：在于本外观设计产品的整体形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
手提式杀菌

[实用新型]一种翻板式沉降观测点保护工具-CN202121348723.2有效
发明人：孙健;齐胜利;袁帅;董晋峰 -专利权人：山西建筑工程集团有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本实用新型属于建筑沉降测量技术领域，具体为一种翻板式沉降观测点保护工具；采用的技术方案为：包括沉降观测点、固定组件和通过固定组件设置于墙体上的维护组件，所述维护组件用于保护沉降观测点；所述维护组件包括支撑杆、支架和转轴，所述支架设置于支撑杆的一侧，所述支撑杆上设置有外螺纹，所述支撑杆与支架为一体式，所述支架内设置有遮板，所述遮板通过转轴设置于支架上，所述支架的两侧均设置有保护板；本实用新型有效的解决了沉降观测点被人为碰撞、变形和损坏的问题。
一种板式沉降观测保护工具

[发明专利]一种灯条封装方法和杀菌照明两用灯条-CN202111280994.3在审
发明人：刘松;陆现彤;齐胜利;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： F21K9/90 文献下载
摘要：一种灯条封装方法和杀菌照明两用灯条，所述灯条封装方法，包括：S1、将UVC LED芯片、UVA LED芯片和照明LED芯片分别固放在印刷有电路的基板上并进行固晶；S2、采用荧光胶对基板上的照明LED芯片进行点胶，并对胶水进行烘烤固化。本发明中，采用COB封装形式，将UVC LED芯片、UVA LED芯片和照明LED芯片一起封装在基板上，同时实现了杀菌和照明功能，且保证了灯条较小的体积，方便该杀菌照明两用灯条应用于不同的杀菌设备。
一种封装方法杀菌照明两用

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201910179543.7有效
发明人：陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波;唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。
一种发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201910179563.4有效
发明人：陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波;唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，以形成纳米柱；形成绝缘层于所述纳米柱之间，以及于所述第一金属电极与第二金属电极之间；制备第一金属电极焊盘于所述第一金属电极上以及第二金属电极焊盘于所述第二金属电极上，形成互相连接的纳米柱结构；形成倒装焊接板于所述发光二极管芯片对应的位置上。
一种发光二极管芯片及其制造方法