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- [发明专利]一种基于高增益光敏器件的电路结构-CN202310253776.3在审
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王凯;高超;齐一泓;马涛
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中山大学
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2023-03-15
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2023-07-18
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H04N25/57
- 本发明公开了一种基于高增益光敏器件的电路结构,针对现有技术中暗电流较高的问题提出本方案。主要通过在光信号零输入的时候,分别调控两个串联MOS管的栅极电压使其二者的电流差为零,而且至少其中一个MOS管是PD‑MOS。优点在于,相较于传统的光电传感器具有更低的噪声电流和暗电流、实现了器件在小尺寸具备宽动态范围和高灵敏度。所述PID兼具小尺寸、高灵敏度、高增益和宽动态范围;而且具备低暗电流、低噪声和低温漂的功能。基于所述PID制备的像素阵列可以兼顾随机读取并采用空间相关双采样实现降低FPN的途径,本发明实施例的可随机读取有源像素电路的动态范围也可高达160dB。从器件级层面实现像素的高性能,并且可以通过偏压设置独立控制工作区间。
- 一种基于增益光敏器件电路结构
- [实用新型]一种噪声抑制电路-CN202123193292.X有效
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王凯;刘笑霖;苏奎任;冯振豪;齐一泓
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中山大学
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2021-12-16
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2022-05-31
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H04N5/213
- 本实用新型提供了一种噪声抑制电路,包括设有像素阵列的图像传感器,以及明像素,尺寸和电路设计与所述明像素完全一致的暗像素;运算放大器,用于将所述明像素及暗像素的输出电压差分后输出;开关电容电路,其连接于所述明像素输出端、暗像素输出端以及运算放大器之间,用于将光照条件下明像素的输出与非光照条件下暗像素的输出相减后输入运算放大器的正向输入端,同时将非光照条件下暗像素的输出与光照条件下明像素的输出相减后输入运算放大器的反向输入端。本实用新型通过调节采样电容的电容值大小,抑制固定模式噪声,实现运算放大器增益的改变,实现单端转双端的功能,通过运算放大器输出差分信号。
- 一种噪声抑制电路
- [实用新型]一种集成光电传感器-CN202023045376.4有效
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王凯;齐一泓;周贤达
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中山大学
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2020-12-16
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2021-06-29
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H01L27/146
- 本实用新型提供了一种高增益及宽动态响应范围的集成光电传感器,其掺杂源区和掺杂漏区间隔设置于衬底的顶部,掺杂源区顶部形成源极电极,掺杂漏区顶部形成漏极电极;栅绝缘层设置于掺杂源区和掺杂漏区之间,其顶部设置有栅电极;掺杂源区、源极电极、掺杂漏区、漏极电极、栅绝缘层和栅电极形成场效应晶体管;光敏掺杂区与所述衬底形成光敏二极管,所述光敏掺杂区顶部形成光敏二极管的顶部电极,所述衬底为光敏二极管的底部电极并与场效应晶体管的背沟道相连;所述隔离区设置于所述光敏二极管与所述场效应晶体管之间。该集成光电传感器结构简单,容易实现低成本制造。
- 一种集成光电传感器
- [发明专利]一种集成光电传感器及其制备方法-CN202011488405.6在审
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王凯;齐一泓;周贤达
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中山大学
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2020-12-16
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2021-03-16
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H01L27/146
- 本发明提供了一种高增益及宽动态响应范围的集成光电传感器,其掺杂源区和掺杂漏区间隔设置于衬底的顶部,掺杂源区顶部形成源极电极,掺杂漏区顶部形成漏极电极;栅绝缘层设置于掺杂源区和掺杂漏区之间,其顶部设置有栅电极;掺杂源区、源极电极、掺杂漏区、漏极电极、栅绝缘层和栅电极形成场效应晶体管;光敏掺杂区与所述衬底形成光敏二极管,所述光敏掺杂区顶部形成光敏二极管的顶部电极,所述衬底为光敏二极管的底部电极并与场效应晶体管的背沟道相连;所述隔离区设置于所述光敏二极管与所述场效应晶体管之间。本发明还提供了上述光电传感器的制备方法。该集成光电传感器结构简单,容易实现低成本制造。
- 一种集成光电传感器及其制备方法
- [实用新型]一种可随机读取的有源像素电路-CN201922425983.4有效
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王凯;许忆彤;齐一泓;石睿
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中山大学
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2019-12-27
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2020-08-28
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H04N5/335
- 本实用新型公开了一种可随机读取的有源像素电路,包括:光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一电源以及第二电源;所述第一电源与所述第二晶体管的漏极连接且通过所述二极管与所述第一晶体管的漏极连接,所述第一晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的顶栅连接,所述第一晶体管的源极接地,所述第二晶体管的底栅与所述第二电源连接,所述第二晶体管的源极为信号输出端。本实用新型使可随机读取有源像素传感器电路的输出电流与二极管的光电流呈幂函数关系,而达到电路的输出信号和光强呈类线性关系,因此传感器的灵敏度和动态响应范围能同时得到优化。
- 一种随机读取有源像素电路
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