专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种可抽吸洗衣液的洗衣机-CN202121835423.7有效
  • 刘娅;黄纯川;王婷;刘斌;黄纯萍;黄玉凤;黄志深;黄肖艳;韦盾;丘雁姣 - 刘娅
  • 2021-08-07 - 2022-12-16 - D06F39/02
  • 本实用新型公开了一种可抽吸洗衣液的洗衣机,包括洗衣液抽取装置和洗衣机;洗衣液抽取装置的前端设置有报警器,洗衣液抽取装置的上端设置有洗液泵和清洗阀门,清洗阀门上端与洗液泵的内部连通,洗液泵上端连接有水管,水管的另一端连接洗衣机,洗衣液抽取装置的内部放置有洗衣液桶,洗衣液桶下端设置有压力传感器,洗液泵上设置有洗衣液阀门,洗衣机的上端设置有控制面板,洗衣机的内部顶端设置有液位监测装置,洗衣液抽取装置和洗衣机之间通过自锁机构锁定安装,本实用新型可以通过控制面板控制启动洗衣液抽取装置完成自动抽取注入洗衣液,保证每一次抽取的量适中,避免了人工倒入洗衣液的不均匀造成的水资源浪费或清洗效果差等问题。
  • 一种抽吸洗衣洗衣机
  • [发明专利]超结器件结构及其制备方法-CN201910364377.8有效
  • 徐大朋;黄肖艳;薛忠营;罗杰馨;柴展 - 上海功成半导体科技有限公司
  • 2019-04-30 - 2022-09-23 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法,所述超结器件结构包括:第一导电类型的半导体衬底;外延叠层,形成于所述半导体衬底上;所述外延叠层包括至少两种沿所述外延叠层的厚度方向交替叠置的第一导电类型的外延层,且其中至少一种所述外延层具有与所述半导体衬底不同的晶格常数;第二导电类型的柱结构,形成于所述外延叠层中,且沿所述外延叠层的厚度方向延伸。本发明通过生长具有不同晶格常数的外延层,引入晶格缺陷,增加载流子复合几率,以优化超结功率器件的反向恢复特性;通过引入至少两种外延层交替叠置的外延叠层,得到均匀可控的缺陷分布。本发明所提供的制备方法工艺简单且成本较低,适用于大批量生产。
  • 器件结构及其制备方法
  • [发明专利]超结MOS器件结构及其制备方法-CN201910371948.0有效
  • 罗杰馨;薛忠营;柴展;徐大朋;黄肖艳 - 上海功成半导体科技有限公司
  • 2019-05-06 - 2022-09-16 - H01L29/423
  • 本发明提供一种超结MOS器件结构及其制备方法。超结MOS器件结构包括第一导电类型衬底;第一导电类型外延层;多个第二导电类型柱;多个第二导电类型阱区;第一导电类型源区;第二导电类型阱引出区;栅极;栅极间隔层,位于栅极内,包括间隔绝缘层及间隔金属层,间隔绝缘层位于第一导电类型柱的上表面,间隔金属层位于间隔绝缘层的上表面;源极金属层,位于第二导电类型阱引出区的表面及第一导电类型源区的表面;漏极金属层,位于第一导电类型衬底远离第一导电类型外延层的表面。本发明能有效降低超结MOS器件体内的反向恢复电荷、缩短超结器件的反向恢复时间,由此能够降低器件损耗,减小开关过程中的噪声干扰,进一步提升超结器件性能。
  • mos器件结构及其制备方法
  • [发明专利]超结器件结构及其制备方法-CN202111581793.7在审
  • 徐大朋;罗杰馨;柴展;黄肖艳 - 上海功成半导体科技有限公司
  • 2021-12-22 - 2022-06-14 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法,超结器件结构包括:第一导电类型的半导体衬底;第一导电类型的外延层,位于半导体衬底的上表面;第二导电类型的柱结构,位于外延层内,且沿外延层的厚度方向延伸,柱结构与外延层具有不同的晶格常数,外延层包含硅材料层;柱结构包含锗硅材料层。本发明通过形成与外延层具有不同晶格常数的柱结构,引入均匀可控的缺陷,从而增加载流子复合几率,降低载流子寿命,以达到在器件关断时载流子迅速减少的目的,对外延的第一导电类型薄膜产生压应力,导致外延第一导电类型漂移区载流子迁移率发生改变,相比传统超结器件,提升了反向恢复能力。
  • 器件结构及其制备方法
  • [发明专利]一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件-CN201911038543.1在审
  • 王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 - 季优科技(上海)有限公司
  • 2019-10-29 - 2021-05-04 - H01L29/06
  • 本发明涉及宽禁带功率电子器件技术领域,具体为一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件,包括Body电极和外壳体,所述外壳体的顶端设置有沟槽,所述沟槽的内侧壁固定连接栅金属,所述栅金属的内侧设置有栅介质,所述外壳体的内腔自下而上晶片结构依次设置N+衬底、N型漂移区、P型层和N+掺杂层,所述P型层与N+掺杂层对称设置有两组,所述N型漂移区的内侧对称设置P型浮岛,所述外壳体的顶侧两端对称固定连接源漏电极,本发明实现在N型漂移区引入两个对称P型浮岛,有利于避免沟槽底部拐角处栅介质处的电场聚集效应,电场强度因P型浮岛的存在而减小,达到了抑制栅介质击穿引起的器件击穿现象,有利于提高击穿电压。
  • 一种具有结构沟槽垂直氮化功率器件
  • [发明专利]一种可控层数的大面积黑磷薄膜的制备方法-CN201811424965.8在审
  • 王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 - 季优科技(上海)有限公司
  • 2018-11-27 - 2020-06-02 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种可控层数的大面积黑磷薄膜的制备方法,首先,在衬底上淀积白磷薄膜,白磷薄膜是通过将Ca3(PO4)2、SiO2、C通过化学反应生成白磷蒸汽,并通过控制反应速率得到薄层白磷;然后,将衬底上的白磷薄膜在1200MPa的压力、473K的温度下转化为黑磷薄膜。转化后黑磷薄膜的层数是通过控制白磷薄膜的厚度而控制的,制备形成的黑磷薄膜的层数范围为单层至三层,制得的黑磷薄膜的薄膜面积尺寸达到厘米级。通过采用本发明的方法可以制得可控层数的大面积(尺寸可达到厘米级)黑磷薄膜,突破了目前黑磷薄膜无法大面积制得的局面,有望在大规模集成电路中获得应用。
  • 一种可控层数大面积黑磷薄膜制备方法
  • [实用新型]一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件-CN201921835897.4有效
  • 王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 - 季优科技(上海)有限公司
  • 2019-10-29 - 2020-04-14 - H01L29/06
  • 本实用新型涉及宽禁带功率电子器件技术领域,具体为一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件,包括Body电极和外壳体,所述外壳体的顶端设置有沟槽,所述沟槽的内侧壁固定连接栅金属,所述栅金属的内侧设置有栅介质,所述外壳体的内腔自下而上晶片结构依次设置N+衬底、N型漂移区、P型层和N+掺杂层,所述P型层与N+掺杂层对称设置有两组,所述N型漂移区的内侧对称设置P型浮岛,所述外壳体的顶侧两端对称固定连接源漏电极,本实用新型实现在N型漂移区引入两个对称P型浮岛,有利于避免沟槽底部拐角处栅介质处的电场聚集效应,电场强度因P型浮岛的存在而减小,达到了抑制栅介质击穿引起的器件击穿现象,有利于提高击穿电压。
  • 一种具有结构沟槽垂直氮化功率器件

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