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[实用新型]一种沟槽型MOSFET器件-CN202321303390.0有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽型MOSFET器件，涉及功率半导体领域。沟槽型MOSFET器件包括多个MOS器件单胞，相邻的两个MOS器件单胞之间具有沟槽，所述沟槽内部填充有多晶硅层，所述多晶硅层通过氧化层与MOS器件单胞有源区域隔离，所述沟槽的底部延伸至MOS器件单胞的N型轻掺杂外延层的中下部。本实用新型在提高器件最大电流的同时，有效避免了崩溃效应的产生，从而降低了漏电流，而且对比于传统结构，本实用新型提供的器件的导通电流在漂移区分布更加均匀，有效地避免了器件内局部由于电流过载引起的击穿，提高器件的耐量。
一种沟槽 mosfet 器件

[发明专利]一种快恢复功率器件的制造方法、半导体器件以及晶体管-CN202310611385.4在审
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复功率器件的制造方法、半导体器件以及晶体管，包括：在一硅片上形成一外延层；在该外延层和衬底形成复合中心，其中该复合中心为包含深能级陷阱的复合中心；在该外延层上表面形成第一单晶硅层，在衬底下表面形成第二单晶硅层；在该第一单晶硅层上形成多晶硅栅氧层预备区域和多晶硅栅氧层第一区域，在多晶硅栅氧层预备区域形成中性体区、源极、中性体区电极区域，在多晶硅栅层第一区域上形成钝化区；在钝化区、源极和P型掺杂区的上表面形成源极导电金属，在第二单晶硅层形成漏极导电金属。保留原始电学特性的同时关断速度得到有效加快，提升了功率器件的可靠性。
一种恢复功率器件制造方法半导体器件以及晶体管

[发明专利]一种CoolMOS器件制作方法-CN202110545584.0有效
发明人：鄢细根;张斌;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种CoolMOS器件制作方法，包括如下步骤1)场氧生长，分压环打开，分压环注入退火；2)有源区打开；3)有源区内加工深沟槽；4)栅氧生长，多晶硅栅淀积、光刻、刻蚀；5)PWELL阱层注入退火；6)源区N+光刻，N+注入，退火；7)TEOS淀积，铝下钝化硼磷硅玻璃生长，回流；8)引线孔光刻，孔刻蚀；9)正面金属化形成；10)减薄；11)背面金属化形成；12)CP测试入库。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种在PWELL内进行深沟槽刻蚀，在槽内淀积TEOS厚氧，利用多晶场板屏蔽原理加上底部PN结原理，实现在浓外延条件下的高压输出，降低内阻的CoolMOS器件制作方法。
一种 coolmos 器件制作方法

[发明专利]一种内嵌隧道二极管结构的快恢复功率器件及其生产方法-CN202211607198.0在审
发明人：鄢细根;黄种德;刘浩天 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌隧道二极管结构的快恢复功率器件及其生产方法，其中功率器件在中性体区下方有若干均匀阵列分布的相反掺杂类型的重掺杂区域，该重掺杂区域与中性体区中的相反掺杂类型的掺杂区域形成了隧道PN结结构；这些隧道PN结结构在功率MOSFET器件从导通状态切换到关闭状态时可以提供额外的少子漏电导通通道，减少器件关闭时的拖尾电流，使功率器件从开态迅速关闭，从而提高器件的工作速度、扩展了功率器件工作的频带范围。本发明通过新增阵列相反重掺杂区、快速热退火等工艺步骤，实现了器件的快速恢复特性，使功率器件具有低成本、快恢复的优点，打破了VDMOS功率器件只能用在中低频领域应用的壁垒。
一种隧道二极管结构恢复功率器件及其生产方法

[发明专利]一种LOCOS工艺后去除氮化硅的方法-CN202211104130.0在审
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种LOCOS工艺后去除氮化硅的方法，所述方法为：正式栅氧生长前，在表面沉积氮化硅膜，并形成LOCOS窗口，在多晶栅二边沟道中间采用局部氧化工艺生长出一定厚度的氧化层，并使得局部氧化加厚的部位位于非沟道处，再去除氮化硅膜，最后进行下一步工艺。采用本发明的方法得到的产品，Qgd下降明显，最终使Tdoff下降一半左右，从而使产品在高频工作时具有优势，尤其是开关损耗降低明显。通过本发明方法生产的VDMOS产品，在智能手机充电器使用，经国内外客户使用对比，与同类常规产品相比，产品对应的充电器在充电过程中表面温度要比常规充电器温度下降15度左右，安全性与能耗得到了保证，适宜产业化生成，提升客户满意度。
一种 locos 工艺去除氮化方法

[发明专利]一种采用多晶硅栅低温氧化的VDMOS工艺-CN202210027624.7有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的一种采用多晶硅栅低温氧化的VDMOS工艺，克服了现有的VDMOS工艺中直接通入N2和O2进行退火而引起的破坏栅氧完整结构的缺陷，创造性的将氧化过程布置在通入N2之前，且使用了低温氧化的环境进行氧化，最大程度的保留了已经形成的栅氧结构完整性，同时，本发明针对该工艺还设置了一能够快速提高加工效率的退火设备，通过本发明的工艺后能够使得同样800埃的栅氧厚度最终VGS耐压达到70V左右，且击穿韧性好，CP良品率在IGSS失效上明显减少，整体良率明显得到了提高。
一种采用多晶低温氧化 vdmos 工艺

[发明专利]一种集成ESD二极管的沟槽MOSFET优化工艺-CN202210145943.8有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一种集成ESD二极管的TRENCH MOSFET优化工艺，主要是应用于常规N管和P管的TRENCH MOSFET产品使用，使其产品本身抗静电能力得到提高的同时降低ISGS漏电级别，改进了目前集成ESD二极管的TRENCH MOSFET产品由于工艺流程不合理导致的ISGS漏电偏大现象，提出ESD本征多晶硅生长后先不进行P型杂质注入，而是先与BODY区高温一起热处理，经过高温处理后的本征多晶硅颗粒之间更加紧密，之后再进行P型杂质注入，ESD光刻，刻蚀，然后一起加工后续的步骤，利用最后一步的回流热处理进行ESD区域N+与P区形成，由于N+杂质推结阻力小，可以保证N+把整个多晶硅扩散透，保证ESD结构上N+区能合理把整个多晶硅层扩散透，形成只有横向结构的NPNPN管结构。
一种集成 esd 二极管沟槽 mosfet 优化工艺

[发明专利]一种功率半导体的元胞结构、功率半导体及其制造方法-CN202210759510.1在审
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体的元胞结构、功率半导体及其制造方法，其中元胞结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层及栅极结构，栅极结构的顶部和栅极结构之间形成有源极金属层，第一导电类型衬底的底部形成有漏极金属层，第一导电类型外延层内形成有栅间第二导电类型阱区和栅内第二导电类型阱区，栅间第二导电类型阱区内形成有第一导电类型源区，第一导电类型源区与源极金属层形成欧姆接触，栅内第二导电类型阱区与栅极结构接触，栅内第二导电类型阱区不与源极金属层接触，栅间第二导电类型阱区和栅内第二导电类型阱区间隔设置。本发明元胞的耐压得到提高，同时整体栅极电荷减少，且不用增加光罩成本与加工成本，改善了方形元胞的特性。
一种功率半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种回流工艺优化的功率器件制造方法及功率器件-CN202210743408.2在审
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种回流工艺优化的功率器件制造方法及功率器件，包括：在N‑型外延层进行场氧生长，在N‑型外延层形成分压环，分压环退火；对有源区进行光刻、刻蚀，JFET杂质注入形成JFET掺杂区；在JFET掺杂区上进行栅氧生长，在栅氧上淀积多晶硅栅并对多晶硅栅进行掺杂，对多晶硅栅进行光刻、刻蚀；向有源区注入P‑BODY形成P‑BODY层，在P‑BODY层注入P+离子，向有源区进行光刻并注入N+离子；进行绝缘介质层淀积，采用H2和O2的混合气体进行回流，进行引线孔光刻、刻蚀；对正面进行金属溅射，对正面金属进行光刻、刻蚀，进行金属一次合金处理；对背面进行减薄，进行金属二次合金处理，背面金属蒸发。本发明制造的功率器件的阈值电压VTH全程可靠，稳定性得到显著改善。
一种回流工艺优化功率器件制造方法

[实用新型]一种具有P+分流区深沟槽IGBT结构-CN202121825513.8有效
发明人：鄢细根;张斌;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有P+分流区深沟槽IGBT结构，包括P+集电极区、N基极区和P基区，所述N基极区设于P+集电极区上壁，所述P基区设于N基极区上壁，所述P基区外侧环绕设有主结深P+区，所述P基区上表面设有沟槽元胞，所述沟槽元胞包括多组沟槽，所述沟槽下端向下延伸至N基极区内，所述沟槽底部分别设有P+分流区，所述P+分流区与主结深P+区短接。本实用新型属于功率半导体器件技术领域，具体是提供了一种在不改变沟道密度的前提下，通过P+分流区与主结深P+区短接，从而使空穴电流从P+分流区分流进P基区，有效改善闩锁电流密度、提高IGBT的短路电流能力的具有P+分流区深沟槽IGBT结构。
一种具有分流深沟 igbt 结构

[实用新型]一种MOSFET器件GS之间集成ESD的结构-CN202121828775.X有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOSFET器件GS之间集成ESD的结构，包括重掺杂N+区、漂移N‑区、主结P区、厚氧区和保护二极管，所述漂移N‑区设于重掺杂N+区上，所述主结P区设于漂移N‑区上，所述厚氧区设于主结P区上，所述保护二极管设于厚氧区上。本实用新型涉及VDMOS产品设计领域，具体是指一种MOSFET器件GS之间集成ESD的结构。
一种 mosfet 器件 gs 之间集成 esd 结构

[实用新型]一种改善栅氧VGS耐压与VTH稳定性的装置-CN202121825715.2有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种改善栅氧VGS耐压与VTH稳定性的装置，包括装置本体、O2管线、供电模组、O2阀组、O2流量计、H2管线、H2流量计和H2阀组，所述供电模组设于装置本体一侧，所述O2管线设于装置本体另一侧，所述O2阀组设于O2管线上，所述O2流量计设于O2管线上，所述O2流量计设于O2阀组与装置本体之间。本实用新型属于VDMOS、IGBT器件制造工艺技术领域，具体是一种H2管线与O2管线混合形成优化了O2/H2两种气体组成的混合气体进行回流处理，保证产品性能最佳实现，O2阀组与H2阀组建立电性连接保证了H2流量为O2流量的三分之一到二分之一之间的合理流量，避免H2流量太小效果不明显或H2流量太大要考虑到安全性影响的一种改善栅氧VGS耐压与VTH稳定性的装置。
一种改善 vgs 耐压 vth 稳定性装置

[发明专利]一种高压快恢复二极管FRED制作工艺-CN202210423872.3在审
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压快恢复二极管FRED制作工艺，包括以下步骤：(1)形成N+截止环区，采用注入磷杂质；(2)有源区形成以及有源区N阱注入与退火，N阱注入杂质为磷杂质；(3)P+分压环形成，采用硼杂质注入，退火；(4)P阱形成，采用硼杂质注入，退火；(5)引线孔打开以及孔表面P+加浓，P+采用硼注入，退火；(6)Pt重金属掺杂与退火，调整少子寿命；(7)正面金属形成，采用铝硅铜，厚度在4um左右；(8)钝化层形成；(9)背面减薄；(10)背面重掺杂注入，注杂质为磷为主，合金；(11)背面质子注入，退火，整个N区缓冲层厚度在10～15um；(12)背面金属加工，即得高压快恢复二极管FRED。本发明方法能够有效减少FRED的加工成本。
一种高压恢复二极管 fred 制作工艺

[实用新型]一种多晶硅栅加工退火装置-CN202121825594.1有效
发明人：鄢细根;张斌;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅栅加工退火装置，包括仓体、仓门、温度传感器、加热炉、支柱、盛放台、小氧仓、氮气仓、输氧管、控流器和氮气输送装置，所述仓体为一侧开口的中空腔体结构设置，所述仓门可转动设于仓体开口端，所述温度传感器设于仓门内侧壁上，所述加热炉设于仓体底壁上，所述支柱均匀设于仓体底壁上，所述盛放台设于支柱上，所述小氧仓设于仓体外侧壁上，所述氮气仓设于仓体外侧壁上，所述输氧管一端连接于小氧仓，所述输氧管另一端连接于仓体，所述控流器设于输氧管上，所述氮气输送装置设于氮气仓内。本实用新型属于多晶硅栅加工技术领域，具体是指一种方便控制温度，避免了高温下栅氧的继续生长的多晶硅栅加工退火装置。
一种多晶加工退火装置

[实用新型]一种具有P+屏蔽型沟槽MOSFET结构-CN202121825634.2有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有P+屏蔽型沟槽MOSFET结构，包括N++衬底和P+结构，N++衬底上形成N型外延区，N型外延区的内部中心处形成沟槽栅结构，沟槽栅结构的外侧设有主结深P+区，所述P+结构连接设于沟槽结构的底部，所述P+结构与主结深P+区相短接。本实用新型属于功率器件技术领域，具体是提供了一种在不增加额外成本的前提下，仅仅依靠沟槽栅结构底部引入P+结构与版图排版的优化，在器件反偏状态下，形成反偏二极管，沟槽P+之间就形成电场自屏蔽效应，代替了SGT结构中复杂的多晶场板屏蔽效应，效果更好，设计更简单，工艺更简化，效果更明显，成本最优化具有P+屏蔽型沟槽MOSFET结构。
一种具有屏蔽沟槽 mosfet 结构

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