“黄曦原”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]耐正负高压的ESD防护器件及其制备方法、电子设备-CN202211667371.6在审
发明人：李会羽;陈锡均;黄曦原;裴国旭;董小雨 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种耐正负高压的ESD防护器件及其制备方法、电子设备，该ESD防护器件包括：衬底、形成于衬底中的掩埋层以及形成于衬底和掩埋层上的外延层，并于掩埋层上形成与掩埋层接触且为环状结构的第一高压阱以及为目字状结构的第二高压阱，第二高压阱形成于第一高压阱的内侧，第一高压阱与第一有源区的掺杂浓度逐渐减低，第二高压阱与第二有源区之间的掺杂浓度逐渐减低，然后在第一高压阱内外侧以及第二高压阱的孔结构内设置第三有源区、第四有源区、第五有源区、第六有源区以及第七有源区，从而通过连接有源区或者在有源区之间连接电阻，保证器件的端口正常工作在正负高压下，并具有低漏电流、无击穿延迟的特点。
正负高压 esd 防护器件及其制备方法电子设备

1
共 1 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top