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[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201910722668.X有效
发明人： 黄其赞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底内具有沟槽；采用热处理原子层沉积，在所述沟槽侧壁及底部形成第一隔离层；在所述第一隔离层表面形成第二隔离层，所述第二隔离层填充满所述沟槽，且形成所述第二隔离层的工艺步骤包括至少一步等离子体增强原子层沉积工艺。本发明有利于减少半导体结构的漏电流，提高半导体结构的电性能和良率。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器-CN202111121010.7在审
发明人： 黄其赞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器，涉及半导体领域，该半导体结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的一侧形成金属层，并对金属层进行退火处理；在金属层背离半导体衬底的一侧形成介电层；形成覆盖介电层与金属层的绝缘层。能够避免半导体结构制造过程中金属层的电阻变大。
半导体结构制造方法存储器

[发明专利]薄膜的炉管沉积方法-CN202011394386.0在审
发明人： 黄其赞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：该发明公开了一种薄膜的炉管沉积方法，所述薄膜的炉管沉积方法包括：提供沉积炉管，所述炉管内的制程腔沿上下方向分为多个制程区域，多个温度控制器分别与多个制程区域一一对应以分别控制多个制程区域的温度；提供衬底，对所述衬底执行薄膜沉积工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定沉积温度呈梯度逐渐递减；执行退火工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定退火温度呈梯度逐渐递增。根据本发明实施例的薄膜的炉管沉积方法，使得炉管内沉积后形成的薄膜的厚度和性能较为一致稳定，提高了产品良率。
薄膜炉管沉积方法

[发明专利]合成咪唑并[1,2-a]吡啶衍生物的一种简易方法-CN201410098040.4有效
发明人：安礼涛;陈雄;朱凤霞;黄其赞;张路路;周建峰;吕蒙;安晓伟 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明为合成咪唑并[1,2-a]吡啶衍生物的一种简易方法。该方法以2-氨基吡啶或其衍生物，和β-硝基苯乙烯或其衍生物为反应物，反应物溶于溶剂，在25℃～150℃下，以碘、吡啶为催化剂，过氧叔丁醇为氧化剂，且2-氨基吡啶或其衍生物﹑β-硝基苯乙烯或其衍生物﹑碘﹑过氧叔丁醇和吡啶的摩尔比依次为1：0.9～1.5：0.1～0.5：1～4：0.3～1制备得咪唑并[1,2-a]吡啶。本发明的反应原料、催化剂价廉易得，工艺流程短、反应条件温和，易于对产物结构进行拓展；所实施的串联反应一步得到目标产物；催化剂为非金属体系，无金属残留的风险。该方法是高效、经济、环境友好的合成路线。
合成咪唑吡啶衍生物一种简易方法

[发明专利]一种1-(3-氯-2-吡啶基)-1H-吡唑-5-甲酸酯的合成方法-CN201210502175.3有效
发明人：安礼涛;姜育田;周建峰;杨志坚;支三军;陈雄;安小伟;黄其赞 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种1-(3-氯-2-吡啶基)-1H-吡唑-5-甲酸乙酯的合成方法。该合成方法是由2,4-二氧代丁酸酯与2-肼基-3-氯吡啶缩合制得。而其中的2,4-二氧代丁酸酯又由丙酮酸酯与甲酸酯经Claisen缩合制得。本发明的原料组份价廉易得，工艺流程短、操作步骤简便、反应条件温和、能耗低、成本较低，还避免了传统方法所采用的有毒原料，减少了对设备腐蚀和对操作人员健康的危害，且“三废”排放少，有利于实现工业化应用，是一条绿色、经济、而行之有效的合成路线。
一种吡啶吡唑甲酸合成方法