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[外观设计]电蚊拍-CN202030642724.2有效
发明人：曾福恒;黄杰斌;黄义勋 -专利权人：佛山市溪下科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： 22-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电蚊拍。2.本外观设计产品的用途：用于杀灭蚊虫。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电蚊拍

[实用新型]一种印染行业浆染废气处理装置-CN202021654250.4有效
发明人：蔡教林;黄义勋;李宝宏;刘康胜;邓伟权;冯建樑;褚锐;张楚宁;邱芷晴;郭卓盈 -专利权人：广东恩维乐环境科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种印染行业浆染废气处理装置，包括进气管道、冲激水浴除尘器、循环水泵、泵前池和加药桶，所述冲激水浴除尘器固定连接在楼顶的顶部，所述进气管道的右端穿过冲激水浴除尘器上表面的左侧延伸至冲激水浴除尘器的内部。本实用新型将喷淋系统通过合理的方式整合到冲激水浴除尘器中，将加药桶内的废气处理药水加入至冲激水浴除尘器的内部，根据处理风量，废气在轴流风机的抽送作用下通过进气管道进入冲激水浴除尘器的内部后，在距离废气处理药水液面约毫米处冲激水面，形成涡流，尽可能去除纤维，通过喷淋，增大化学物质的溶解度，进一步去除有机废气，经过喷淋后的废气，通过折板除雾器，经除雾后达标排放。
一种印染行业废气处理装置

[发明专利]互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法-CN200710141862.6有效
发明人： 黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用数量减少的掩模来制造互补金属氧化物半导体(CMOS)TFT的方法，该方法包括：在基底的整个表面上形成缓冲层；在基底的具有缓冲层的整个表面上形成多晶硅层和光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝光并显影，以形成第一光致抗蚀剂图案；利用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻多晶硅层，以将第一TFT的半导体层和第二TFT的半导体层图案化；对第一光致抗蚀剂图案执行第一灰化工艺，以形成第二光致抗蚀剂图案；利用第二光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT的源极区和漏极区中注入第一杂质；对第二光致抗蚀剂图案执行第二灰化工艺，以形成第三光致抗蚀剂图案；利用第三光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT中注入第二杂质，以对第二TFT执行沟道掺杂。
互补金属氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基底的方法-CN200710140306.7有效
发明人： 黄义勋 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造具有改进的可靠性的薄膜晶体管(TFT)阵列基底的方法。通过在形成TFT的栅电极之后执行用于离子注入的光刻工艺，根据本发明示例性实施例的制造TFT阵列基底的方法可通过TFT的栅电极来防止可移动离子从光致抗蚀剂移动到TFT的沟道，另外，通过由用于PMOS TFT的沟道掺杂工艺来形成存储电容器的下电极，根据本发明另一示例性实施例的制造TFT阵列基底的方法可以省略用于形成存储电容器的下电极的光刻工艺。
制造薄膜晶体管阵列基底方法

[发明专利]有机发光显示器以及制造方法-CN200710001984.5无效
发明人： 黄义勋;崔雄植 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机发光显示器，在该有机发光显示器中，简化了形成存储电容器的工艺，防止了TFT的性能和可靠性的劣化。有机发光显示器包括：基底；薄膜晶体管，形成在基底的一部分上，该薄膜晶体管具有有源层、栅电极以及置于有源层和栅电极之间的栅极绝缘层；存储电容器，形成在基底的另一部分上。该存储电容器具有形成在与形成有源层的表面相同的表面上的第一电极、形成在与形成栅电极的表面相同的表面上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的栅极绝缘层。有源层和第一电极由本征多晶硅层制成。
有机发光显示器以及制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN200610125721.0有效
发明人： 黄义勋;李相杰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法。在同时形成金属互连和栅极电极时或在形成第一电极时，形成用于电连接元件的互连。从而，能减少使用掩模的次数，从而缩短总体制造工艺且降低制造成本。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及有机发光显示装置的制造方法-CN200610093263.7有效
发明人： 黄义勋;李相杰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：提供了TFT和采用所述TFT的OLED的制造方法。所述CMOS TFT的制造方法包括：制备具有第一和第二薄膜晶体管区域的基板；在所述基板上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的预定区域上利用掩模形成半导体层；利用所述栅电极对所述掩模的背部曝光；利用受到背部曝光的掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入n型杂质离子，形成沟道区以及源极区和漏极区；对所述背部曝光掩模的两侧进行灰化；利用所述灰化掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入低浓度杂质离子，形成LDD区；以及向所述第二薄膜晶体管区域的半导体层内注入p型杂质离子，形成源极区和漏极区。
薄膜晶体管有机发光显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、平板显示装置及其制备方法-CN200610073815.8有效
发明人： 黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的平板显示装置及其制备方法。非均匀结构形成在对应于沟道区域的多晶硅层图案的部分，使得沟道区域的边缘的沟道长度长于主沟道长度，从而沟道区域的边缘的电阻增加以导致流经沟道区域的边缘的电流减小，由此提高低压驱动时电路的可靠性。
薄膜晶体管平板显示装置及其制备方法

[发明专利]有机发光器件及其制造方法-CN200510074768.4有效
发明人： 黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光器件及其制造方法，其中单位像素区的数据线、电源线、或者数据线和电源线形成于在绝缘层中形成的沟槽中。第一像素电极重叠所述沟槽。
有机发光器件及其制造方法

[发明专利]制备显示装置的方法-CN200510082115.0有效
发明人： 黄义勋;金得钟 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在本发明提供了一种制备显示装置的方法。该方法包括提供具有像素区域和在像素区域外围的电路区域的基板。分别在像素区域和电路区域形成第一半导体层和第二半导体层。选择性地对第一半导体层进行表面处理以增加第一半导体层的表面晶格缺陷密度。
制备显示装置方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法-CN200510082118.4有效
发明人： 黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造CMOS薄膜晶体管(TFT)的方法和使用该方法制造的CMOS TFT。该方法包括：提供具有第一区和第二区的衬底；分别在所述第一和第二区上形成第一半导体层和第二半导体层；形成栅极绝缘层，具有位于所述第一半导体层的端部分上的第一部分和位于所述第二半导体层上的端部分上的第二部分；在所述栅极绝缘层上形成离子掺杂掩模图案；利用所述离子掺杂掩模图案作为掩模在所述第一半导体层的端部中掺杂第一杂质，且利用所述离子掺杂掩模作为掩模在所述第二半导体层的端部中掺杂第二杂质，所述第二杂质的导电类型不同于所述第一杂质。因此，可以减少掩模的数量且简化制造CMOS TFT所需的工艺。
互补金属氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN200510081330.9无效
发明人： 黄义勋;李根洙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管以及制备该薄膜晶体管的方法，在该薄膜晶体管中半导体层和栅极绝缘膜通过在多晶硅层图案和第一绝缘膜图案上沉积第二绝缘膜而形成，它们是通过对由连续形成的第一绝缘层所覆盖的非晶硅层首先结晶然后构图形成，或是通过对由连续形成并作为栅极绝缘层一部分的第一绝缘层所覆盖的预先形成的非晶硅层首先构图然后结晶形成。
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]平板显示器及其制造方法-CN200410095822.9有效
发明人：金得钟;黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种平板显示器及其制造方法。所述平板显示器包括基底。信号线以阵列形式设置在所述基底上，由所述信号线的交叉设置所限定的单位像素区域具有像素驱动电路区域和发射区域。定位在所述像素驱动电路区域中的像素驱动TFT包括半导体层和对应于所述半导体层预定部分的栅极。所述栅极与所述信号线形成在相同的层中。电连接到所述像素驱动TFT的像素电极被定位在所述发射区域中。
平板显示器及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN200410103856.8无效
发明人： 黄义勋;李相杰;金得钟 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管可包括栅绝缘层和底图形，底图形位于栅绝缘层下方并与栅绝缘层接触、具有至多约80°的锥角的边缘。采用这种设计，能够提高栅绝缘层的介电强度。底图形可以是栅电极层。
薄膜晶体管

[发明专利]电容器和具有此电容器的平板显示器-CN200410095879.9无效
发明人：金得钟;黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：提供了一种可以防止电极边沿部分处的电流泄漏、绝缘层破坏、以及短路的电容器以及一种包括此电容器的平板显示器。此电容器包括至少二个排列成叠层结构且彼此隔离的电极，其中，各个电极小于下部电极。
电容器具有平板显示器

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