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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种助溶杯-CN202111240221.2在审
发明人：马杨杨;黄为栋;冯汇;毛博文;钟预全 -专利权人：马杨杨
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种助溶杯，包括杯身，所述杯身的顶部螺纹连接有圆环，且圆环的顶部卡接有杯盖，所述杯盖的底部轴心处螺纹连接有活塞，所述活塞包括塞头和螺纹杆，所述塞头的顶部轴心处与螺纹杆的底部固定连接，所述杯盖的轴心处开设有螺纹孔，且螺纹孔的内侧与螺纹杆的外侧螺纹连接。该助溶杯，实现了通过旋转活塞的螺纹杆，减小了空腔中的气压强度，从而使用负压帮助溶解疏水溶剂，使得溶剂得到节约不浪费，饮品还能显著提升口感，使得品尝起来更丝滑，并且活塞的顶部通过螺纹杆与杯盖螺纹安装，即使长期使用后，螺纹杆与杯盖的螺纹孔之间发生摩擦损耗，塞头及其外侧的密封环也会保持杯身顶部空间的密封，极大地提升本助溶杯整体的气密性能。
一种助溶杯

[发明专利]CMOS图像传感器结构-CN201510767767.1有效
发明人：黄建彰;黄为栋;许雁翔;叶玉隆;方俊杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。
cmos 图像传感器结构

[发明专利]具有结泄漏减少的半导体结构-CN201610055864.2有效
发明人：方俊杰;黄建彰;温启元;吴健;吴明锜;郑容裕;陈世雄;黄为栋;叶玉隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。
具有泄漏减少半导体结构

[发明专利]图像器件及其形成方法-CN201310134088.1有效
发明人：陈愉婷;杨敦年;刘人诚;施宇豪;王志谦;周世培;黄为栋;吴政达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。
图像器件及其形成方法

[发明专利]包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法-CN201110288597.0有效
发明人： 黄为栋;郭俊聪;刘世昌;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。发射极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在发射极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶面布置在发射极电极的顶面和至少一个含锗层的顶面之间并且使二者电隔离。本发明还提供了包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法。
包括双极型晶体管集成电路及其制造方法

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