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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装-CN202110804724.1在审
发明人：陈骏盛;黄丘宗 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装，包括基板、多个中介层、多个芯片与虚拟中介层。多个中介层堆叠在基板上。多个芯片位于多个中介层上。芯片电连接至中介层。虚拟中介层位于中介层与基板之间，且电连接至中介层。芯片不位于虚拟中介层与中介层之间。
半导体封装

[发明专利]晶体管结构与存储器结构-CN202110733744.4在审
发明人：陈骏盛;黄丘宗 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管结构与存储器结构，其中该晶体管结构包括第一掺杂层、第二掺杂层、通道层、栅极与介电结构。第二掺杂层位于第一掺杂层上。通道层位于第一掺杂层与第二掺杂层之间。栅极贯穿第二掺杂层与通道层。第二掺杂层与通道层分别环绕栅极。介电结构位于栅极与第二掺杂层之间，且位于栅极与通道层之间。
晶体管结构存储器

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201510067873.9有效
发明人：徐懋腾;黄丘宗 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与至少一第一内连线结构。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各存储单元包括第一导线、第二导线与可变电阻结构。第二导线设置于第一导线的一侧，且第二导线的上表面高于第一导线的上表面。可变电阻结构设置于第一导线与第二导线之间。在垂直相邻的存储单元中的可变电阻结构彼此隔离。第一内连线结构连接垂直相邻的第一导线。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构-CN201510429176.3有效
发明人：徐懋腾;黄丘宗 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器结构，包括电阻式随机存取存储器。电阻式随机存取存储器包括晶体管、介电层及多个第一电阻式随机存取存储单元串。介电层覆盖晶体管。第一电阻式随机存取存储单元串设置于介电层中。各第一电阻式随机存取存储单元串包括多个第一存储单元、多条第一位线及内连线结构。第一位线分别电连接各第一存储单元。内连线结构电连接于第一存储单元，第一位线与内连线结构分别位于第一存储单元两侧。第一电阻式随机存取存储单元串包含的内连线结构彼此分离，内连线结构将第一电阻式随机存取存储单元串电连接至同一晶体管的同一端子。
电阻随机存取存储器结构

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN200810005503.2无效
发明人：庄仁吉;黄丘宗;廖御杰 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-02-03 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器，其包括二极管以及存储单元。二极管包括掺杂区、金属硅化物层与图案化掺杂半导体层。掺杂区配置于基底中，且掺杂区为第一导电型。金属硅化物层配置于基底上。而图案化掺杂半导体层配置于金属硅化物层上，且图案化掺杂半导体层为第二导电型。存储单元配置于基底上，并与二极管耦接。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN200710088405.5有效
发明人：汪信亨;黄丘宗;林世翔 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器，其包含定义于半导体基底上的多个像素、依序设于像素电极上的光导层以及透明导电层、以及设于任意两个相邻的像素电极之间的遮蔽元件。遮蔽元件包含有遮蔽电极与绝缘结构，包覆该遮蔽电极，以使遮蔽电极隔离于像素电极和光导层。
图像传感器及其制作方法

[发明专利]非易失性存储器的操作方法-CN200610094108.7无效
发明人： 黄丘宗;陈育志 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的操作方法，适用于操作一存储单元，此存储单元包括设置于基底中的源极与漏极；设置于源极与漏极之间的基底上的堆叠栅极结构，堆叠栅极结构由下而上包括浮置栅极与控制栅极；以及设置于堆叠栅极结构侧壁的选择栅极，此选择栅极位于堆叠栅极结构与漏极之间的基底上。这个操作方法例如是在进行编程操作时，于控制栅极施加第一正电压，于漏极施加第二正电压，于选择栅极施加第一负电压，于基底施加第二负电压，并且使源极浮置，以利用沟道启始二次电子注入效应，将电子注入浮置栅极中。
非易失性存储器操作方法

[发明专利]非挥发性存储器的操作方法-CN200510091965.7无效
发明人：张格荥;黄丘宗 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的操作方法，适用于操作一存储单元列，此存储单元列至少包括位于绝缘层上硅基底中的主体层、位于主体层上的多个浮置栅极、位于相邻两浮置栅极间的主体层中的多个源极/漏极区，以及位于浮置栅极上的控制栅极。此操作方法于进行抹除操作时，在存储单元列选定的第一源极/漏极区施加第一电压，于选定的第二源极/漏极区施加第二电压，以对于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的存储单元区块进行抹除操作。
挥发性存储器操作方法

[发明专利]形成埋入式掺杂区的方法-CN200510091948.3无效
发明人： 黄丘宗;张骕远 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种埋入式掺杂区的形成方法，包括：首先提供一基底，在基底上形成第一绝缘层。之后，图案化第一绝缘层以形成往第一方向延伸的开口，在开口所暴露的基底中形成埋入式掺杂区。然后，在基底上形成第二绝缘层，此第二绝缘层填满开口，并与第一绝缘层构成为第三绝缘层。然后，图案化第三绝缘层以形成一隔离层，并暴露基底及埋入式掺杂区，此隔离层往第二方向延伸，而第二方向与第一方向交错。在基底上形成半导体层填满隔离层两侧区域。本发明因先形成埋入式掺杂区，再于其上形成隔离层，故可降低注入离子的能量。
形成埋入掺杂方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN200510065586.0无效
发明人：张格荥;黄丘宗 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器，由基底、辅助栅极结构、字线、浮置栅极、穿隧介电层、栅间介电层与源极区/漏极区所构成。辅助栅极结构设置于基底上，且辅助栅极结构的底部宽度大于顶部宽度。浮置栅极设置于辅助栅极结构的一侧，且位于字线与基底之间，浮置栅极的底部宽度小于顶部宽度。字线、浮置栅极与辅助栅极结构构成一存储单元。穿隧介电层设置于浮置栅极与基底之间。栅间介电层设置于字线、浮置栅极与辅助栅极结构之间。源极区/漏极区设置于存储单元两侧的基底中。
挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200410088232.3无效
发明人：张格滎;黄丘宗 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，此方法提供一基底，此基底中已形成第一金属层和第二金属层。于此基底上依序形成第一介电层、具有位于第一金属层上方的第一开口与位于第二金属层上方的第二开口的蚀刻终止层、以及第二介电层。移除部分第一介电层与第二介电层形成暴露第一金属层的第一沟槽。之后，于基底上形成电容介电层，并于此电容介电层中形成位于第二金属层上方的第三开口。移除第三开口所暴露的电容介电层、第二介电层与第一介电层以形成暴露第二金属层的开口。之后，于第一沟槽与开口填入一金属。
半导体元件制造方法

[发明专利]非挥发存储器的结构与制造方法-CN200410033269.6无效
发明人：张格荥;黄丘宗 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非挥发存储器的结构与制造方法，此制造方法于基底上形成掩模层，再于掩模层与基底中形成一沟槽，然后在沟槽中形成穿隧介电层。接着在沟槽中形成一浮置栅，再去除掩模层，然后于浮置栅一侧的基底中形成高电压掺杂区，其同时作为第一源/漏极区与一控制栅，再于浮置栅另一侧的基底中形成第二源/漏极区。
挥发存储器结构制造方法

[发明专利]多阶存储单元-CN200410033263.9无效
发明人：张格荥;黄丘宗 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种多阶存储单元，包括基底、穿隧介电层、电荷陷入层、顶介电层、栅极以及源极/漏极区。其中，穿隧介电层、电荷陷入层以及顶介电层依序配置在基底与栅极之间，且顶介电层中划分有至少二区块，顶介电层在每一区块内的厚度皆不相同。而源极/漏极区则设置在栅极两侧的基板中。由于顶介电层在每一区块内的厚度皆不相同，因此当施加电压于存储单元时，每一区块所对应的栅极与基底之间的电场强度即不相同，而使每一区块所对应的电荷陷入层内所储存的电荷量并不相同。故能在单一存储单元储存多个位，而可提高存储单元的存储容量。
存储单元

[发明专利]非挥发性存储单元及其制造方法-CN200410031215.6无效
发明人：张格荥;黄丘宗 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储单元及其制造方法，此存储单元至少是由衬底、栅极、第一源极/漏极区、复合介电层、第二源极/漏极区所构成。其中，衬底具有一沟槽；栅极位于沟槽中；第一源极/漏极区位于沟槽底部；复合介电层位于栅极与沟槽表面之间，且复合介电层至少包括电荷陷阱层；第二源极/漏极区位于栅极两侧的衬底中。
挥发性存储单元及其制造方法

[发明专利]二位元氮化物只读存储单元及其制造和读取方法-CN03106855.3无效
发明人： 黄丘宗;洪至伟 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有寄生放大器的二位元氮化物只读存储单元及其制造和读取方法。该存储单元包括：一半导体衬底；一第一阱区，设置于上述半导体衬底内且具有与半导体衬底相反的电性；一第二阱区，设置于上述第一阱区内且具有与第一阱区相反的电性；一栅极介电层，设置于上述第二阱区的部分表面，且包括一氮化物层；一导电层，设置于上述栅极介电层上并与栅极介电层构成一栅极；以及一对第一掺杂区，对称地设置于上述栅极两侧的第二阱区内并部分接触栅极且具有与第二阱区相反的电性，其中藉由上述第一掺杂区之一、第二阱区以及第一阱区以构成一寄生的电流放大器。
位元氮化物只读存储单元及其制造读取方法

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