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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于扩散阻挡层形成的方法和湿式化学组成-CN202280017927.9在审
发明人： R·W·赫图比斯;E·亚科布森;孙绍鹏;T·L·威尔金斯;埃利·H·纳贾尔;邵文波 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种通过湿式工艺在电介质或半导体衬底上形成扩散阻挡层的方法。该方法包括以下步骤：用水性预处理溶液处理该电介质或半导体衬底，该水性预处理溶液包含一种或多种吸附促进成分并且能够制备用于在其上沉积该扩散阻挡层的衬底；以及使经处理的电介质或半导体衬底与包含锰化合物和无机pH缓冲液(任选地，含有一种或多种掺杂金属)的沉积溶液接触以在该电介质或半导体衬底上沉积该扩散阻挡层，其中该扩散阻挡层包含锰氧化物。还包括一种用于处理电介质或半导体基板以在其上形成扩散阻挡层的两部分试剂盒。
用于扩散阻挡形成方法化学组成

[发明专利]电解质和大马士革工艺中铜阻挡层的沉积-CN202180064020.3在审
发明人： L·卡伊拉尔德;P·博朗迪奥 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C25D5/50 文献下载
摘要：本发明涉及电解质及其在制造铜互连的工艺中的用途。pH大于6.0的电解质包含铜离子、锰或锌离子，以及与铜络合的乙二胺。通过对沉积的铜合金进行退火形成薄阻挡层，这会导致锰或锌迁移到绝缘介电材料与铜之间的界面处。
电解质大马士革工艺阻挡沉积

[发明专利]制造3D-NAND闪存的方法-CN202180082535.6在审
发明人： F·雷诺尔;V·梅威尔莱克;M·蒂亚姆;A·莱克达利 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明涉及制造3D‑NAND闪存的方法，包括电沉积铜与选自锰和锌的掺杂金属的合金的第一步骤，然后是对合金进行退火，通过使合金分层以形成铜的第一层和包含锌或锰的第二层的第二步骤。
制造 nand 闪存方法

[发明专利]使用镍或钴合金制造3D NAND的方法-CN202180046309.2在审
发明人： D·苏尔;V·梅威尔莱克;M·蒂亚姆 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种使半导体衬底金属化的工艺，特别是用于制造3DNAND存储器。该金属化工艺包括用贵金属如钯来活化介电材料表面的步骤，然后是使用包含金属离子的溶液通过无电工艺沉积镍或钴合金的步骤。
使用合金制造 nand 方法

[发明专利]用于电沉积纳米孪晶铜的组合物和方法-CN202180050528.8在审
发明人：凯尔·M·惠滕;S·I·布雷;韩建文;叶萍萍;T·B·理查德森;埃利·H·纳贾尔 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B82Y40/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜电镀溶液，该铜电镀溶液包含铜盐、卤离子源以及线性或支化的多羟基化合物。该铜电镀溶液用于在基板上沉积具有高密度纳米孪晶柱状铜晶粒的铜。该线性或支化的多羟基化合物可包括2,3‑环氧‑1‑丙醇与胺类醇或铵醇之间的反应产物。
用于沉积纳米孪晶铜组合方法

[发明专利]选择性电镀三维表面以产生装饰性和功能性效果-CN201980072892.7有效
发明人： P·A·布雷;M·V·赫伯特;K·P·帕森斯;P·A·沃里克 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09D5/08 文献下载
摘要：一种形成选择性电镀的三维热塑性部件的方法。该方法包括以下步骤：a)提供在其第一表面上具有硬涂覆层的未固化聚碳酸酯膜的膜；b)通过将催化剂以期望的图案沉积在聚碳酸酯膜的第一表面上来选择性催化该聚碳酸酯膜；c)热成形聚碳酸酯膜以形成三维聚碳酸酯膜；d)通过用紫外线照射硬涂覆聚碳酸酯膜来对该膜进行紫外线固化；e)模制硬涂覆聚碳酸酯膜以制备包括该硬涂覆聚碳酸酯膜的三维模制部件；f)活化该选择性催化的硬涂覆聚碳酸酯膜；以及g)在硬涂覆聚碳酸酯膜的催化部分上电镀金属层，其中电镀金属仅沉积在该硬涂覆聚碳酸酯膜的催化部分上。
选择性电镀三维表面产生装饰性功能效果

[发明专利]银/锡电镀浴及其使用方法-CN202180035232.9在审
发明人：徐凤婷;J·W·希瓦利埃;E·隆;R·A·贝勒马尔;M·M·瑞尔 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-05-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C25D3/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于将银/锡合金沉积在基板上的电镀浴。该电镀浴包含(a)锡离子源；(b)银离子源；(c)酸；(d)第一络合剂；(e)第二络合剂，其中该第二络合剂选自：烯丙基硫脲、芳基硫脲和烷基硫脲、以及它们的组合；和(f)任选地润湿剂以及(g)任选地抗氧化剂。
电镀及其使用方法

[发明专利]镀金浴和镀金最终饰面-CN202180033458.5在审
发明人：罗杰·伯纳兹;E·阿贝尔-塔蒂斯 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C18/31 文献下载
摘要：自催化金浴能够将金从溶液沉积到基材上，其中该基材在其上具有一个或多个金属层。该自催化金浴包含(a)螯合剂；(b)金盐；和(c)还原剂，其中该还原剂包含有机分子，该有机分子在该有机分子上具有多于一个碳原子。还包括将金电镀到该基材上的该一个或多个金属层的表面上的方法。该镀金浴可用于将最终饰面沉积到该一个或多个金属层的表面，该一个或多个金属层可在ENIG、ENEPIG、EPAG、直接金覆铜或金覆银工艺中形成。
镀金最终

[发明专利]用于平滑拓扑的钴化学-CN202080083568.8在审
发明人：孙绍鹏;凯尔·惠滕;S·布雷;埃利·纳贾尔 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀钴沉积物和一种在表面上电沉积钴以在衬底表面上产生平整沉积物的方法。钴电解质含有(1)钴离子源；(2)硼酸；(3)pH调节剂；以及(4)有机添加剂，其含有抑制剂。该电镀钴沉积物呈现出平整的表面，使得衬底基本上整个表面上的厚度差小于约200nm。
用于平滑拓扑化学

[发明专利]填充印刷电路板和其他基板中的通孔的单步电解方法-CN202080076897.X在审
发明人： D·德萨尔沃;R·布雷克;C·古廖蒂;W·J·德西萨雷;R·贝勒马尔 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在印刷电路板的制造中铜电镀的方法。该方法用于用铜填充通孔和微过孔。该方法包括以下步骤：(1)制备电子基板以在其上接受铜电镀；(2)在该电子基板中形成一个或多个通孔和/或一个或多个微过孔中的至少一者；以及(3)通过使该电子基板与酸性铜电镀溶液接触，在该一个或多个通孔和/或一个或多个微过孔中电镀铜。该酸性铜镀溶液包含铜离子源；硫酸；氯离子源；增亮剂；湿润剂；和平整剂。该酸性铜电镀溶液镀覆该一个或多个通孔和/或该一个或多个微过孔直到金属化完成为止。
填充印刷电路板其他中的电解方法

[发明专利]消除浸镀锡溶液中的H2S-CN201880033939.4有效
发明人：彻丽·S·桑托斯;泰勒·班克;约翰·斯旺森;徐凤婷;欧内斯特·隆 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C25D3/30 文献下载
摘要：在使用浸镀锡溶液时，污染物在溶液中堆积，这导致镀速和镀覆沉积物的质量降低。在使用时在镀液中堆积的一种主要污染物是硫化氢，H2S。如果气体被鼓泡通过或吹过溶液，则污染物(尤其是硫化氢)可有效地从溶液中除去，并且因此可恢复或保持高镀速和镀覆质量。就这一点而言，可使用任何气体，然而，优选的是使用将不会不利地与溶液相互作用的气体，而不是去除污染物。就该目的而言，氮气是特别优选的，因为其在去除包括硫化氢的污染物方面是有效的，但不引起锡离子从其二价状态到四价状态的氧化，这是不利的。
消除镀锡溶液中的 h2s

[发明专利]集成电路的晶圆级封装中的铜沉积-CN202111451796.9在审
发明人：汤玛斯·理察生;凯力·惠登;文森·潘尼卡西欧二世;约翰·康曼德;里查·贺图比兹 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种电沉积组合物，其包含：(a)铜离子来源；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)调平剂，其中该调平剂包含将联吡啶化合物与二官能基烷化剂反应而制备的季铵化联吡啶化合物、或季铵化聚(表氯醇)。该电沉积组合物可用于在半导体基板上以晶圆级封装形成铜特征，而在半导体组合件的凸块下结构上电沉积出铜凸块或柱体的方法。
集成电路晶圆级封装中的沉积

[发明专利]互连件的钴填充-CN201880052018.2有效
发明人：约翰·科曼德;凯尔·惠滕;小文森特·帕内卡西奥;孙绍鹏;埃里克·雅各布森;韩建文;埃利·纳贾尔 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C25D3/16 文献下载
摘要：本文提供了组合物以及使用此类组合物将钴电镀到包括亚微米尺寸电互连特征的半导体基底结构上的方法。通过以下方式使互连特征金属化：使半导体基底结构与电解组合物接触，该电解组合物包含钴离子源、抑制剂、缓冲剂、以及去极化化合物和均匀度增强剂中的一者或多者。将电流提供给电解组合物以将钴沉积到基底结构上并且用钴填充亚微米尺寸特征。本文提出的方法可用于对互连特征进行超级填充。
互连填充

[发明专利]集成电路的晶圆级封装中的铜沉积-CN201780058270.X有效
发明人：汤玛斯·理察生;凯力·惠登;文森·潘尼卡西欧二世;约翰·康曼德;里查·贺图比兹 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C07C333/20 文献下载
摘要：本发明公开一种电沉积组合物，其包含：(a)铜离子来源；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)调平剂，其中该调平剂包含将联吡啶化合物与二官能基烷化剂反应而制备的季铵化联吡啶化合物、或季铵化聚(表氯醇)。该电沉积组合物可用于在半导体基板上以晶圆级封装形成铜特征，而在半导体组合件的凸块下结构上电沉积出铜凸块或柱体的方法。
集成电路晶圆级封装中的沉积

[发明专利]用于制造镍互连件的组合物和方法-CN202080009400.2在审
发明人：埃里克·雅各布森;孙绍鹏;埃利·纳贾尔;T·理查德森;文森特·帕内卡西奥;邵文波;凯尔·惠滕 -专利权人： 麦克德米德乐思公司
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：一种用于通路填充或势垒镍互连件制造的镍电沉积组合物，该镍电沉积组合物包含：(a)镍离子源；(b)一种或多种极化添加剂；和(c)一种或多种去极化添加剂。该镍电沉积组合物可包含各种添加剂，包括合适的酸、表面活性剂、缓冲剂和/或应力调节剂，以产生通路和沟槽的自下而上填充。
用于制造互连组合方法

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