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[发明专利]半导体装置-CN201910837996.4有效
发明人：江口佳佑;井上贵公;米山玲;鱼田紫织;村上晴彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整，进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，与第一开关区域并联连接；以及控制部，其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号，控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止，在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。
半导体装置

[发明专利]半导体封装件-CN202210157788.1在审
发明人：寺户悠贵;鱼田紫织;酒井伸次 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：得到能够提高散热性并且确保绝缘耐量的半导体封装件。多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)分别设置于多个芯片焊盘(3a～3d)之上。多个引线端子(6a～6f)分别与多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)连接。封装件(7)将多个芯片焊盘(3a～3d)、多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)及多个引线端子(6a～6f)封装。多个芯片焊盘(3a～3d)和多个引线端子(6a～6f)从封装件(7)的下表面露出。在封装件(7)的下表面，在相邻的芯片焊盘(3a～3d)之间及相邻的引线端子(6a～6f)之间设置有槽(8)。
半导体封装

[发明专利]寿命推定电路及使用了该寿命推定电路的半导体装置-CN201610827463.4有效
发明人： 鱼田紫织;为谷典孝;井上贵公;米山玲 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：寿命推定电路(3)具有：温度检测器(4)，其对功率元件部(1)的温度进行检测；拐点检测部(5)，其基于温度检测器(4)的输出信号(Vt)，对功率元件部(1)的温度变化的拐点进行检测；运算部(8)，其求出本次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度与前次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度之差的绝对值；计数电路(9)，其对温度差的绝对值达到阈值温度(Tth)的次数进行计数；以及信号发生部(10)，其在计数电路(9)的计数值(C)达到阈值次数(Cth)的情况下，输出表示功率元件部(1)的寿命已至的警告信号(AL)。
寿命推定电路使用半导体装置

[发明专利]信号传送绝缘设备以及功率半导体模块-CN201580052629.3有效
发明人：菅健一;钓本崇夫;盐田裕基;诸熊健一;折田昭一;为谷典孝;井上贵公;鱼田紫织 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由电阻率比第1电介质低的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由电阻率比第1电介质低的第3电介质构成，或者使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由介电常数比第1电介质高的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由介电常数比第1电介质高的第3电介质构成。
信号传送绝缘设备以及功率半导体模块

[发明专利]半导体装置以及半导体模块-CN201410504762.5有效
发明人：吉田宽;大山香子;田中良和;鱼田紫织;西田信也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：得到一种半导体装置以及半导体模块，其在施加高电压的环境下也能够抑制电力消耗，并根据电源电压相对于基准电位的电位状态而控制输出。电阻分压电路(1)具有串联连接在电源电位(HVB)和基准电位(Com)之间的电阻(R1、R2)，并输出电阻(R1、R2)的连接点处的电位(VMON)。瞬态响应检测电路(2)具有一端与电源电位(HVB)连接的电阻(R3)、以及连接在电阻(R3)的另一端和基准电位(Com)之间的电容器(C1)，并输出电阻(R3)和电容器(C1)的连接点处的电位(Vdvdt)。AND电路(3)对电阻分压电路(1)的输出信号和瞬态响应检测电路(2)的输出信号进行AND运算。输出电路(4)根据AND电路(3)的输出信号而控制通断。
半导体装置以及模块

[发明专利]功率器件控制电路以及功率器件电路-CN201210466744.3有效
发明人： 鱼田紫织;井上贵公;玉木恒次;折田昭一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G05F1/66 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件控制电路和功率器件电路。功率器件控制电路（200）向功率器件（100）的栅极端子（100a）输入栅极驱动信号，具备：控制信号输入电路（2），接收用于控制功率器件（100）的功率器件控制信号（1a）；驱动系统控制电路（4），连接于控制信号输入电路（2）；驱动电路（5），具有多个驱动系统（5a、5b、5c），并且从驱动系统控制电路（4）接收驱动电路控制信号（1c）来驱动功率器件（100）；以及定时器电路（3），在输入规定的信号、即功率器件控制信号（1a）之后的一定时间后，根据驱动电路控制信号（1c）切换多个驱动系统（5a、5b、5c），由此使驱动系统控制电路（4）的驱动能力变化。
功率器件控制电路以及电路

[发明专利]具有浮动电极的半导体装置-CN200710139927.3有效
发明人：寺岛知秀;鱼田紫织 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制了寄生动作的半导体装置。该半导体装置具有n^－区域(2a)、与n^－区域(2a)分离地形成的n^－区域(2c)、形成在n^－区域(2a)和n^－区域(2c)之间的n^－区域(2b)、配置于n^－区域(2c)和n^－区域(2b)之间并具有比p^－区域(1)低的电阻的p扩散区域(4b)。具有以与n^－区域(2a)的方式形成的发射极(7)。具有以与n^－区域(2c)接触的方式形成的发射极(9)。具有形成在被n^－区域(2a)和n^－区域(2b)夹持的区域的基极(8)。n^－区域(2b)和p扩散区域(4b)通过导线(11)电连接。n^－区域(2b)与n^－区域(2c)的距离Y大于n^－区域(2b)的宽度X。
具有浮动电极半导体装置