专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法-CN202111476307.5在审
  • 于海龙;高汉超;王伟;马奔 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 2021-12-06 - 2022-03-25 - C30B25/16
  • 本发明提供一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法,包括以下步骤:步骤1,测定InP衬底的氧化膜厚度;步骤2,测定Ga和In的生长速率;步骤3,对InP衬底进行预处理除气;步骤4,在步骤3的预处理完成后,对InP衬底进行氧化膜的脱附;步骤5,在步骤4中氧化膜的脱附完成之后,进行InP缓冲层外延;步骤6,在步骤5中InP缓冲层外延完成之后,P阀门关闭,As阀门开至所需束流位置;步骤7,在步骤6中P/As束流切换完成之后,进行InGaAs外延。通过本发明提供的方法可以避免通过高能电子衍射仪观察衬底表面再构带来的时长偏差,可以有效地减少InP缓冲层与InGaAs材料之间四元合金界面的形成,减少杂质缺陷,降低InGaAs载流子浓度,提高材料迁移率。
  • 一种inp衬底外延生长ingaas方法
  • [发明专利]一种硅基图形衬底的制备方法-CN202111339381.2在审
  • 马奔;高汉超;于海龙;王伟 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 2021-11-12 - 2022-03-01 - H01L21/02
  • 本发明提供一种硅基图形衬底的制备方法,包括以下步骤:S1.在Si衬底上生长第一延伸层;S2.刻蚀第一延伸层直至露出Si衬底;S3.在露出的Si衬底上生长介质层;S4.刻蚀第一条型沟槽宽度范围内的介质层直至露出Si衬底;S5.在第二条型沟槽露出的Si衬底上生长第二延伸层;S6.在介质层上方的第二延伸层上刻蚀出条型窗口;S7.清除条型窗口下的介质层,即形成“回”字形的Si基图形衬底,在制备好的“回”字型的硅基图形衬底进行GaAs、InP、GaN等Ⅲ‑Ⅲ族半导体材料的外延,可将穿透位错大部分限制于图形衬底中,实现低缺陷密度硅基GaAs、InP、GaN等材料的外延。
  • 一种图形衬底制备方法
  • [发明专利]一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构-CN202111073898.1在审
  • 马奔;高汉超;王伟 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 2021-09-14 - 2021-12-17 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构,属于半导体制造领域。该结构包括Si衬底和在Si衬底上从下至上依次生长的缓冲层、InXGa1‑XAs沟道层、InXAl1‑XAs空间隔离层、平面掺杂层、InXAl1‑XAs势垒层、InXGa1‑XAs盖帽层;缓冲层包括从下至上依次形成采用低温生长的第一GaAs缓冲层、采用中温生长的InXGa1‑XAs/GaAs超晶格缓冲层、采用高温生长的第二GaAs缓冲层、采用低温生长的InXAl1‑XAs组分渐变缓冲层。本发明可以大幅降低高速HEMT器件的成本,还可以利用硅基材料高集成度的特性实现化合物半导体器件与集成电路的结合。
  • 一种硅基异质集成inalashemt结构

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