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[实用新型]金属料盘及料盘组合-CN202123213843.4有效
发明人：何庆丹;欧阳晃;周多;陈海华;江忠贤;骆国泉;赖齐贤 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属料盘及料盘组合，金属料盘包括盘体，所述盘体上设置有横向布置的若干排第一挡块以及纵向布置的若干列第二挡块，所述第一挡块和第二挡块均呈阵列结构，所述第二挡块朝向相邻的两个第一挡块之间的间隙设置，所述同一排相邻的两个第一挡块和对应的两个第二挡块围成了芯片放置位，该金属料盘具有芯片放置位，对待放入芯片起到定位作用，可以有效避免芯片之间的堆叠和摩擦，芯片外观较好，良率较高。
金属组合

[实用新型]芯片去毛刺装置-CN202123193040.7有效
发明人：欧阳晃;周多;陈海华;江忠贤;骆国泉;赖齐贤 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B24B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种芯片去毛刺装置，其包括箱体、毛刷机构和芯片固定机构；所述箱体包括第一安装腔；所述毛刷机构设于第一安装腔的下部，所述毛刷机构与毛刷驱动机构连接以带动毛刷机构左右运动，所述毛刷机构的上表面设有毛刷；所述芯片固定机构设于第一安装腔的上部，所述芯片固定机构与升降机构连接以带动芯片固定机构上下运动，所述芯片固定机构固定所述待加工芯片并使得待加工芯片的加工面暴露于所述毛刷的上方。通过将待去毛刺的芯片设于上部，可以有效避免芯片被刷下来的毛刺二次污染。
芯片毛刺装置

[实用新型]芯片侧面检测装置-CN202123213869.9有效
发明人：欧阳晃;周多;陈海华;江忠贤;骆国泉;赖齐贤 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开一种芯片侧面检测装置，所述检测装置包括载片平台和至少两个反射模块，所述至少两个反射模块对应载片平台设置并以一定的角度布置在载片平台的周向以反射待检测芯片的侧面镜像，本实用新型可以直接观测到芯片侧面的镜像，无需对产品进行翻转，检查效率高，节省成本。
芯片侧面检测装置

[实用新型]焊线压板及具有其的压制加热组件、焊线设备-CN201721000437.0有效
发明人：谢金言;舒爱鹏;骆国泉;赖齐贤;郑瑞育;吴进瑜;商峰旗;王鹏 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种焊线压板，用于对焊线工艺中的引线框进行压着固定，所述引线框上形成有多列晶粒，所述焊线压板包括压板本体及连接在所述压板本体两端的安装部，所述压板本体的中部开设有与所述引线框上的多列晶粒对应的贯穿其上、下表面的一焊线窗口，所述压板本体的下表面的两端分别形成有与所述焊线窗口的两端相接的凹陷，所述下表面的两侧形成有分别压接在所述引线框两侧的压接部，藉此，在对引线框提供可靠压着的同时能够有效避免所述焊线压板在压着、运送过程中压到或刮到元件等状况的发生。另外，本实用新型还公开了具有上述焊线压板的一种压制加热组件及焊线设备。
压板具有压制加热组件设备

[实用新型]SIP封装胶模和封装设备-CN201621103897.1有效
发明人：林永强;骆国泉;赖齐贤 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SIP封装胶模，用于封装元件芯片以制成超厚背蚀的单粒产品，包括模具本体、以一定间距开设于所述模具本体上的若干个单元凹槽、与若干个所述单元凹槽一一对应的注塑流道以及至少一个注胶口，所述注塑流道连通对应的单元凹槽和注胶口，每一所述单元凹槽对应封装一单粒产品。本实用新型一个单元凹槽对应地独立封装一个单粒产品，对应一个注塑流道，注胶时，单元凹槽可以很快注满封装胶，不但注胶速度快不易产生气泡，而且有效缩短了注塑流道的长度，使得空气得以有效排除，减少内部空洞的产生，而且使得注胶后无需专门分割产品，无需专门的分割机台成本低、封装速度快且可以有效防止切割失误。本实用新型还公开了对应的封装设备。
sip 封装设备

[发明专利]SIP封装胶模、封装设备及封装方法-CN201610875517.4在审
发明人：林永强;骆国泉;赖齐贤 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种SIP封装胶模，用于封装元件芯片以制成超厚背蚀的单粒产品，包括模具本体、以一定间距开设于所述模具本体上的若干个单元凹槽、与若干个所述单元凹槽一一对应的注塑流道以及至少一个注胶口，所述注塑流道连通对应的单元凹槽和注胶口，每一所述单元凹槽对应封装一单粒产品。本发明一个单元凹槽对应地独立封装一个单粒产品，对应一个注塑流道，注胶时，单元凹槽可以很快注满封装胶，不但注胶速度快不易产生气泡，而且有效缩短了注塑流道的长度，使得空气得以有效排除，减少内部空洞的产生，而且使得注胶后无需专门分割产品，无需专门的分割机台成本低、封装速度快且可以有效防止切割失误。本发明还公开了对应的封装设备及封装方法。
sip 封装设备方法

[发明专利]一种获取光刻机最佳参数的方法及装置-CN200810104079.7有效
发明人： 骆国泉;林大野;刘鹏飞 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取光刻机最佳参数的方法，设置所需分辨率，该方法包括：输入参数并计算断截数值孔径值；判断当前数值孔径值是否小于断截数值孔径值，如果小于，则计算当前数值孔径值对应的景深值、分辨率并保存，将数值孔径值增加数值孔径增加步长作为新的当前数值孔径值，再次计算；否则，选择分辨率小于所需分辨率，且景深值最大的一组景深值、分辨率及对应的数值孔径值输出。本发明还公开了相应装置，根据输入参数计算并选出最佳的一组景深值、分辨率及对应的数值孔径值输出。本发明提高光刻机调机效率，延长了硅片的使用寿命。
一种获取光刻最佳参数方法装置

[发明专利]一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法-CN200810105970.2无效
发明人：林大野;骆国泉;方绍明 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法，涉及半导体芯片工艺技术领域，解决了现有的MOSFET晶体管的栅极容易被击穿或产生漏电的技术问题。本发明实施例MOSFET晶体管的栅极，包括栅极介质层以及栅极本体，栅极介质层形成于半导体材料的外延层和阱上，栅极本体形成于栅极介质层上，栅极介质层包括形成于外延层和阱上的第一介质层以及在第一介质层上形成的致密介质层。本发明实施例MOSFET晶体管的栅极的制造方法，包括如下步骤：在半导体材料的外延层和阱上形成第一介质层；在第一介质层上形成致密介质层；在致密介质层上形成栅极本体。本发明主要应用于晶体管等半导体器件中栅极的制造。
一种 mosfet 晶体管栅极及其制造方法

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