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[实用新型]大功率GaN器件散热与集成一体化结构-CN202020918472.6有效
发明人： 马盛林;练婷婷;金玉丰;王玮 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本实用新型在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。
大功率 gan 器件散热集成一体化结构

[发明专利]一种圆片级异质射频集成的封装制作方法-CN201910207433.7有效
发明人：姬峰;马盛林;王玮;张晓宇 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆片级异质射频集成封装制作方法。由于射频前端采用小型化轻量化设计，内部采用TSV基板作为射频基板，而TSV基板存在加工困难、射频集成难度大等问题。为了实现TSV基板的射频集成封装，本发明提出了一种用于圆片级异质射频集成的封装制作方法，包括下层基板制作、芯片在下层基板内集成、上层基板制作以及上下基板封装，进而实现射频前端TSV基板的制作。
一种圆片级异质射频集成封装制作方法

[发明专利]晶圆级超声波感测装置及其制造方法-CN201910627340.X在审
发明人：金玉丰;马盛林;赵前程;邱奕翔;刘欢;李宏斌;龚丹 -专利权人：茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法，所述晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、电性连接层及焊接部。基板组件包含第一晶圆及第二晶圆，第二晶圆覆盖第一晶圆上的凹槽而界定出中空腔体。超声波元件与中空腔体的投影叠合。第一保护层围绕超声波元件。第一晶圆、第二晶圆、第一保护层在第一侧表面与第一导电线路共平面，在第二侧表面与第二导电线路共平面。第二保护层具有开口，传导材料在开口内且接触超声波元件。电性连接层设置于第一侧表面及第二侧表面，焊接部连接电性连接层。
晶圆级超声波装置及其制造方法

[发明专利]基于阵列微喷结构的一体化散热封装结构及其制作方法-CN202010982843.1在审
发明人： 马盛林;练婷婷 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阵列微喷结构的一体化散热封装结构，包括CPU、转接板和壳体，转接板装配于壳体内，CPU设于转接板的封装区之上并与转接板封闭连接；转接板设有第一输入微流道、第二输入微流道、第三输入微流道和输出微流道，转接板的封装区内设有若干水平平行槽道，水平平行槽道的两端分别与第一输入微流道和输出微流道导通，水平平行槽道之内设有垂直阵列喷嘴，垂直阵列喷嘴于垂直方向上与第二输入微流道和第三输入微流道导通。本发明还公开了上述封装结构的制作方法。本发明通过于转接板上同时设置平行直通式槽道与垂直阵列微喷结构实现扰流，有效提高散热能力的同时降低转接板与CPU的键合工艺难度，提高CPU的机械强度。
基于阵列结构一体化散热封装及其制作方法

[发明专利]一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构-CN201910124346.5有效
发明人： 马盛林;龚丹;邱奕翔 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构，首先在ASIC处理电路IC圆片的正面形成一层再布线层，紧接着在再布线层涂敷一层有机物，光刻刻蚀图形化形成微腔阵列；然后将MEMS器件的正面电极焊盘层与微腔阵列对准键合形成闭合空腔结构；将MEMS器件背面硅衬底层减薄抛光至所需厚度，光刻图形化刻蚀暴露出MEMS器件正面电极焊盘层、再布线层的电学接触区；最后，制作金属连接件连接电极焊盘层以及电学接触区。本发明降低了MEMS器件的整体体积、成本，实现芯片倒装键合、提高成品率。
一种 mems 器件 asic 处理电路 ic 集成封装方法结构

[发明专利]基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构-CN201811202164.7有效
发明人： 马盛林;龚丹;蔡涵;厦雁鸣;胡鑫欣;胡柳成;王玮;金玉丰;陈兢 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端‑TSV射频转接板‑结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
基于复合相变材料射频前端小型化集成散热封装结构

[发明专利]一种阵列式微细阶梯槽的电火花加工方法-CN201710330837.6有效
发明人：吴烨娴;夏雁鸣;马盛林;陈兢 -专利权人：苏州含光微纳科技有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B23H1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列式微细阶梯槽的电火花加工方法。该方法首先制备大小不同图形的微细阵列电极，然后分别采用所述大小不同图形的微细阵列电极对工件进行不同深度的电火花加工，形成微细阵列的阶梯槽。所述阶梯槽的台阶数目大于等于2个，不同图形的数目与阶梯槽的台阶数相对应。进一步还可通过增加完全相同图形的微细阵列电极进行电极损耗补偿。本发明能够通过微细电火花技术完成阵列的N(N≥2)阶的微细阶梯槽加工，并能通过补偿电极损耗的方式保证阶梯槽的垂直度。
一种阵列式微阶梯电火花加工方法

[发明专利]一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构及制作方法-CN202010460602.0在审
发明人： 马盛林;练婷婷;王玮;金玉丰 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L23/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本发明在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。另外，本发明还提出了实现上述结构的制作方法。
一种大功率 gan 器件散热集成一体化结构制作方法

[发明专利]晶圆级超声波芯片规模制造及封装方法-CN201710803335.0有效
发明人：金玉丰;马盛林;赵前程;刘欢;邱奕翔 -专利权人：茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种超声波模块及其制造方法，该超声波模块包含基底、复合层、以及覆盖层。基底具有上表面。复合层具有顶面、底面及内陷于底面的内凹面。底面位于基底的上表面上，内凹面与上表面之间形成至少一空间。复合层具有至少一第一沟槽，第一沟槽由顶面朝内凹面延伸。第一沟槽将复合层区隔为电路结构与连接电路结构的超声波结构。覆盖层结合复合层的顶面。
晶圆级超声波芯片规模制造封装方法

[发明专利]一种集成电路三维异质集成芯片及封装方法-CN202010356668.5在审
发明人：金玉丰;马盛林;孙允恒 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路三维异质集成芯片及封装方法，其方法包括：通过临时键合工艺将不同的IC器件键合在第一辅助衬底圆片上，将IC器件和第一辅助衬底圆片通过键合层键合在第二辅助衬底圆片上；减薄第一辅助衬底圆片；利用晶圆级键合技术将第二辅助衬底圆片上的IC器件键合在最终衬底上，去除第二辅助衬底圆片；在IC器件和第一辅助衬底圆片之间填充有机物；重复上述操作以形成若干异质集成层，并在填充层上设置连接IC器件的布线孔，通过电线以实现若干异质集成层电学互联；将多余最终衬底除掉，划片并封装。本发明有效降低三维堆叠芯片的制作难度，集中更多的资源专注器件的性能提升，从而实现高可制造性、高性能、高稳定性的三维异质集成芯片。
一种集成电路三维集成芯片封装方法

[发明专利]晶圆级超声波芯片模块及其制造方法-CN201811491104.1在审
发明人：金玉丰;马盛林;赵前程;邱奕翔;刘欢;李宏斌;龚丹 -专利权人：茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L41/04 文献下载
摘要：一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、传导材料以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面，传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。
晶圆级超声波芯片模块及其制造方法

[发明专利]具悬浮结构的晶圆级超声波芯片模块及其制造方法-CN201811429713.4在审
发明人：金玉丰;马盛林;赵前程;邱奕翔;刘欢;李宏斌;龚丹 -专利权人：茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种具悬浮结构的晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，复合层具有沟槽，沟槽连通保护层的上表面、保护层的下表面及贯通槽，且沟槽围绕超声波体周围的一部分且超声波体对应于贯通槽，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的一上表面之间形成空间，空间连通沟槽。
悬浮结构晶圆级超声波芯片模块及其制造方法

[实用新型]一种用于射频系统三维集成的封装结构-CN201921188518.7有效
发明人：胡柳林;何舒玮;陈依军;卢朝保;侯杰;吴晓东;马盛林;周鹏;胡鑫欣;王兵;李强斌;肖龙 -专利权人：成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于射频系统三维集成的封装结构，该结构包括从下到上交替纵向堆叠设置的硅基转接板和支撑互联转接板；支撑互联转接板至少两个，且其之间形成空腔；硅基转接板和支撑互联转接板均包括硅基板、硅通孔TSV、微凸点和RDL布线层；硅通孔TSV贯穿于硅基板；硅基板的上表面和下表面上均设置有RDL布线层；微凸点设置于两个RDL布线层上；硅通孔TSV、RDL布线层和微凸点相互连接。该结构具有上下垂直互联，以及结构支撑的作用，可以实现射频芯片的三维垂直堆叠，同时可以通过灵活的设计解决射频芯片三维堆叠时的电磁兼容性问题。
一种用于射频系统三维集成封装结构

[实用新型]一种新型射频传输结构-CN201921188868.3有效
发明人：胡柳林;何舒玮;陈依军;卢朝保;吴晓东;马盛林;侯杰;周鹏;周文瑾;王兵;李强斌;肖龙 -专利权人：成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型射频传输结构，包括硅基板及设置于硅基板上射频信号传输硅通孔TSV和若干个接地硅通孔TSV；射频信号传输硅通孔TSV设置于由接地硅通孔TSV围成的圆形中心，与其形成类同轴结构；射频信号传输硅通孔TSV的孔内直径大于接地硅通孔TSV的孔内直径。本实用新型中的射频传输结构通过小尺寸高深径比TSV与传统孔径的中空结构TSV相结合的方式，在实现垂直贯穿微电子芯片体内的电互连通路，支持芯片级三维层叠集成与封装的同时，进一步缩小封装尺寸，解决高频传输性能不佳，传统的TSV应力较大的缺点，实现高可靠性、低损耗的射频垂直互联结构。
一种新型射频传输结构

[发明专利]实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法-CN201810601226.5有效
发明人： 马盛林;蔡涵;王玮;金玉丰;陈兢;龚丹;胡鑫欣 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
实现大功率 gan 器件散热三维结构封装方法