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[发明专利]用于确定速热设备中的半导体晶片的温度的方法-CN200380109927.9无效
发明人： M·豪夫;C·默克尔;C·施特里贝尔 -专利权人： 马特森热力产品有限责任公司
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种借助于至少一个在RTP系统上量取的测量信号、即与要确定的状态变量具有依赖关系的被测量从RTP系统的模型中确定至少一个状态变量的方法，和借助于该模型预测的被测量、即预测值，其中所述被测量和预测值分别包括直流部分和交流部分的分量，并且其中，为了形成被测量的交流部分和被测量的通过该模型预测的交流部分之间的第一差值，通过过滤器分别分开地确定至少每个交流部分，为了使模型特性与变化的系统参数相匹配，通过将第一差值反馈到模型中来对至少一个模型参数进行参数自适应，从被测量和预测值或者从消除了交流部分的被测量和消除了交流部分的预测值中形成第二差值，为了使模型系统的状态与真实系统的状态一致，通过将所述第二差值反馈到模型中来进行模型系统的状态的状态校正，和在模型上量取至少一个状态变量。
用于确定设备中的半导体晶片温度方法

[发明专利]用于热处理衬底的方法和装置-CN02814635.2无效
发明人： M·豪夫;C·施特里贝尔 -专利权人： 马特森热力产品有限责任公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：为了以简单且经济的方法进行以高温计为基础的、对低温也能够实现的精确温度测量，本发明提供了一种装置和一种方法用于对衬底进行热处理，其中，衬底通过至少一个第一辐射源和至少一个第二辐射源被照射，在第一辐射源与衬底之间的第一辐射的给定波长被吸收，一个来自衬底的给定波长的辐射通过一个辐射检测器被测量，该辐射检测器与第二辐射源设置在同一侧，调制来自第二辐射源的第二辐射并且获得来自第二辐射源的第二辐射。
用于热处理衬底方法装置

[发明专利]容纳盘状物体的装置和该物体的搬运装置-CN02810188.X无效
发明人： A·佩尔茨曼;M·德雷希斯勒;J·尼斯;M·格兰迪;H·Y·钟;P·曼茨;O·格拉夫 -专利权人： 马特森热力产品有限责任公司
申请日： 2002-05-02 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种容纳盘状物体且优选是半导体晶片以便进行热处理的装置能够非常简单但生产率高且损伤风险小地实现尤其是化合物型半导体晶片的处理，如果一个支座有至少两个分别用于容纳一物体的凹槽的话。在该支座上的这些凹槽最好可以用盖盖上。为了物体装卸，最好设置支承销，其中该支座和这些支承销可相对垂直移动。另外，提供了用于该物体的搬运装置。
容纳物体装置搬运

[发明专利]钨硅闸极选择性侧壁氧化期间最小化氧化钨蒸气沉积之方法-CN02808720.8无效
发明人： S·弗里格;W·科格尔;J·－U·萨奇塞;M·斯塔德特米勒;R·哈伊恩;G·罗特斯;E·肖尔;O·斯托贝克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司;马特森热力产品有限责任公司
申请日： 2002-04-10 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在包含一多晶硅层以及一钨层之闸极结构之选择性氧化期间，其本身已知，氧化钨之蒸气沉积系借着一特殊处理被预防或至少大大地减少。闸极结构借着一含氢，非水溶液的惰性气体在一氢/水混合物之处理步骤之前，如果恰当，在之后来起作用。
钨硅闸极选择性侧壁氧化期间最小化氧化钨蒸气沉积方法