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[发明专利]一种高分辨率的低温柔性应变电阻开关及其制备方法-CN202010664699.7有效
发明人： 马春蕊;花文涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及功能氧化物薄膜材料领域，具体涉及到一种高分辨率的低温柔性应变电阻开关及其制备方法，本发明的高分辨率的低温柔性应变电阻开关，包括基片、设置于基片表面的SrTiO3缓冲层和设置于SrTiO3缓冲层表面的La2/3Ca1/3MnO3薄膜，所述基片采用二维层状结构的基片。制备过程为：在二维层状结构的基片上表面通过激光脉冲沉积制备SrTiO3缓冲层，在SrTiO3缓冲层上表面通过激光脉冲沉积制备La2/3Ca1/3MnO3薄膜，通过机械剥离的二维层状结构的基片从下表面进行厚度减薄，使二维层状结构的基片达到预设厚度。本发明高分辨率的低温柔性应变电阻开关分辨率可达105级别，柔性化操作简单实用，适合超低温的环境，在柔性化微型化电子器件、阻变存储器和传感器领域有广阔的应用前景。
一种高分辨率低温柔性应变电阻开关及其制备方法

[发明专利]一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法和应用-CN202110997090.6有效
发明人：刘明;马春蕊;胡天翼 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法和应用，本发明NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，包括主成分和辅助成分，其中，以重量百分比计，主成分包括：Fe2O3:64.14wt％～65wt％，ZnO:14.22wt％～24.5wt％，NiO:7.64％～17.34wt％，余量为CuO；辅助成分包括V2O5和Co2O3，以重量百分比计，V2O5的含量为主成分的0.4wt％，Co2O3的含量为主成分的0.4wt％～0.8wt％。本发明的材料能在工作频率下稳定工作，其磁导率实部(μ′)为60～150同时虚部(μ″)小于3，满足NFC的使用要求。
一种 nfc 损耗 nicuzn 磁铁材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜及其制备方法-CN202210043372.7在审
发明人：刘明;马春蕊;陆锐 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01G11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜及其制备方法，高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜，包括Nb:SrTiO3基片和设置于Nb:SrTiO3基片上的无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜；所述无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜为BaHf0.17Ti0.83O3‑xHfO2薄膜，其中x的取值范围为0.06≤x≤0.32。其制备方法是通过磁控溅射的方式，利用BaHfxTi1‑xO3薄膜的陶瓷靶材，在Nb:SrTiO3基片表面制备BaHf0.17Ti0.83O3‑xHfO2薄膜，之后进行退火，得到所述高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜。本发明高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜具有储能密度高，宽温范围宽的特点。
一种高储能密度工作温度纳米复合柱状阵列结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜及其制备方法-CN202210044753.7在审
发明人：刘明;马春蕊;陆锐 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01G4/08 文献下载
摘要：本发明公开了高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜及其制备方法，高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜，包括Nb:SrTiO3基片和成分梯度结构薄膜，所述成分梯度结构薄膜设置于Nb:SrTiO3基片的表面；所述成分梯度结构薄膜为BaHfx1Ti1‑x1O3/BaHfx2Ti1‑x2O3/BaHfx3Ti1‑x3O3薄膜，其中x的取值范围为0.17≤x≤0.32。在制备时通过磁控溅射的方式，利用BaHfxTi1‑xO3薄膜的陶瓷靶材，在Nb:SrTiO3基片表面制备BaHfx1Ti1‑x1O3/BaHfx2Ti1‑x2O3/BaHfx3Ti1‑x3O3成分梯度结构薄膜，之后进行退火，得到所述高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜。本发明高储能密度宽工作温度无铅薄膜具有储能密度高，宽温范围宽的特点。
一种高储能密度工作温度成分梯度结构薄膜及其制备方法

[发明专利]高储能密度宽工作温度无铅薄膜、电容器及其制备方法-CN202111603394.6在审
发明人：刘明;马春蕊;陆锐 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了高储能密度宽工作温度无铅薄膜、电容器及其制备方法，高储能密度宽工作温度无铅薄膜，包括Nb:SrTiO3基片和薄膜，所述薄膜设置于Nb:SrTiO3基片的表面；所述薄膜为BaHfxTi1‑xO3薄膜，其中x的取值范围为0.05≤x≤0.32。在制备是通过磁控溅射的方式，利用BaHfxTi1‑xO3薄膜的陶瓷靶材，在Nb:SrTiO3基片表面制备BaHfxTi1‑xO3薄膜，之后进行退火，得到所述高储能密度宽工作温度无铅薄膜。本发明高储能密度宽工作温度无铅薄膜具有储能密度高，宽温范围宽的特点。
高储能密度工作温度薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种硅集成具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法-CN202011168094.5在审
发明人： 马春蕊;刘明;范江奇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及储能薄膜材料领域，具体涉及一种硅集成具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法，包括硅基底、设置于所述硅基底表面的过渡层、设置于所述过渡层表面的缓冲层和设置于所述缓冲层表面的0.88BaTiO3‑0.12Bi(Mg0.5Ti0.5)O3薄膜，所述过渡层为钛层，所述缓冲层为Pt层。本发明通过合理的结构设计，使得该薄膜电容器能够采用硅基基底，并且具有较高的储能密度。本发明的硅集成高储能密度薄膜电容器在室温下具有优异的储能特性，而且‑100℃～150℃的宽温区内具有优秀的热稳定性。
一种集成具有高储能密度薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种宽工作温度无铅外延薄膜及其制备方法-CN201911206360.6有效
发明人： 马春蕊;胡天翼 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及储能薄膜材料领域，公开一种宽工作温度无铅外延薄膜及其制备方法，本发明的宽工作温度无铅外延薄膜包括Nb:SrTiO3基片和薄膜，所述薄膜设置于Nb:SrTiO3基片的上表面；所述薄膜为Ba0.3Sr0.7TiO3/0.85BaTiO3‑0.15Bi(Mg0.5Zr0.5)O3复合多层薄膜，所述宽工作温度无铅外延薄膜结构为Nb:SrTiO3/Ba0.3Sr0.7TiO3/0.85BaTiO3‑0.15Bi(Mg0.5Zr0.5)O3。本发明的宽工作温度无铅外延薄膜不含铅材料且保持有良好的储能特性，更重要的是在25℃～250℃宽温区域内在具有优异的热稳定性且工作温度远远高于其它无铅薄膜。
一种工作温度外延薄膜及其制备方法

[发明专利]一种BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜及其制备方法-CN201910556522.2有效
发明人： 马春蕊;刘明;乔文婧 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及储能薄膜材料领域，具体公开一种BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜及其制备方法，本发明的BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜包括Nb:SrTiO3基片和薄膜，所述薄膜设置于Nb:SrTiO3基片的上表面；所述薄膜包括掺杂了1％SiO2的BaZr0.35Ti0.65O3薄膜和BaZr0.35Ti0.65O3薄膜；本发明的薄膜在击穿场强高的同时，具有很好的宽温储能特性。
一种 bazr0 35 ti0 65 o3 外延薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高可靠性BZT无铅外延单晶储能薄膜及其制备方法-CN201810974140.7在审
发明人： 马春蕊;刘明;孙梓雄 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性BZT无铅外延单晶储能薄膜及其制备方法；该制备方法在高温、高氧压环境下，利用超高真空射频磁控溅射技术，通过等离子体对靶材轰击，使靶材粒子沉积在基片上，并实现外延生长，得到BZT外延薄膜。因射频磁控溅射技术的特点，本身薄膜的生长速度较慢，使得通过该方法制备出的薄膜晶粒尺寸均匀，薄膜表面平整，结晶度好，结合BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材优良的储能特性，使其该陶瓷靶材作为BT‑基储能材料的储能特性进一步增强。
制备薄膜射频磁控溅射储能特性高可靠性陶瓷靶材外延单晶储能无铅等离子体薄膜表面薄膜晶粒超高真空储能材料粒子沉积外延薄膜外延生长结晶度靶材对靶高氧轰击平整生长

[实用新型]一种多功能宿舍床-CN201520235693.2有效
发明人： 马春蕊 -专利权人： 马春蕊
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： A47C19/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能宿舍床，第一床板和第二床板安装在支架上，第一床板设置在第二床板的上端，第一床板的短边上安装有上端护栏，第一床板的长边上安装有侧护栏，第一床板的下方安装有抽屉，第二床板的下方安装有储物网，第二床板的短边上安装有下端护栏，上端护栏、第一床板、下端护栏上分别安装有衣架。该多功能宿舍床设计简单，成本低廉，使用方便，实用性大。抽屉用来存放书籍或者生活用品，取用方便，不占用空间；第一床体上的翻盖掀开后可以放置被褥或者生活用品，使整个宿舍干净整洁；储物网上可放置鞋子、衣服、脸盆，隔潮防湿；充分了利用了宿舍里的空间，满足了学生在学校的生活需求。
一种多功能宿舍

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