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- [发明专利]半导体结构的制造方法-CN202110340176.1在审
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饶帆;孔晟濜
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长鑫存储技术有限公司
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2021-03-30
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2022-10-04
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H01L21/8242
- 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法,包括:提供基底,基底包括相互分立的有源区,有源区沿第一方向延伸,有源区包括位线接触区以及位于位线接触区两侧的电连接区;在基底上形成相互分立的第一掩膜层,第一掩膜层沿第二方向延伸且横跨多个有源区,第二方向与第一方向不同;在第一掩膜层相对的两个侧壁形成侧墙层,侧墙层沿第二方向延伸且横跨多个有源区,且每一位线接触区均与侧墙层正对;在相邻第一掩膜层之间形成第二掩膜层;第二掩膜层横跨多个有源区;去除位于第一掩膜层与第二掩膜层之间的侧墙层;以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀基底,形成位线接触孔。本发明实施例能够简化生产工艺,并提高半导体结构的性能。
- 半导体结构制造方法
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