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[发明专利]一种改善金属浮栅存储器读取性能的方法-CN202310538539.1在审
发明人：陈彩云;顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属浮栅存储器读取性能的方法，半导体结构包括多个凹槽，凹槽之间填充有覆盖多晶硅结构的氧化物；依次沉积隧穿氧化层、ALD TiN层和第一ALD氧化层；光刻定义出存储区；去除非存储区上的第一ALD氧化层、ALD TiN层和隧穿氧化层；沉积第二ALD氧化层；去除存储区氧化物上表面及存储区的凹槽底部的第二ALD氧化层、第一ALD氧化层、ALD TiN层和隧穿氧化层；并去除非存储区的氧化物上表面及凹槽底部的第二ALD氧化层；对半导体结构进行高温热处理，并进行第一次离子注入；对半导体结构的表面进行预处理，以改善半导体结构中异质结的界面状态；在半导体结构表面沉积TiN阻挡层；在存储区和非存储区的凹槽内填充钨。
一种改善金属存储器读取性能方法

[发明专利]一种改善超薄金属浮栅连续性的方法-CN202310288241.X在审
发明人：陈彩云;顾珍;张磊;陈超;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种改善超薄金属浮栅连续性的方法，半导体结构包括多个凹槽，沉积隧穿氧化层覆盖凹槽表面；在隧穿氧化层上依次淀积第一ALD SiN层、浮栅TiN层、第一ALD氧化层；光刻定义出存储区；去除非存储区上的第一ALD氧化层和浮栅TiN层；去除存储区上的第一ALD氧化层及存储区的凹槽侧壁以外的浮栅TiN层；在半导体结构上依次沉积第二ALD SiN层、第二ALD氧化层、氮化硅层；去除半导体结构上表面及沟槽底部的氮化硅层、第二ALD氧化层、第二ALD SiN层、第一ALD SiN层及隧穿氧化层，将沟槽的底部及半导体结构表面露出。本发明的方法从工艺集成的角度，便于实现和现有工艺的兼容，而且易于在工艺上实现。
一种改善超薄金属连续性方法

[发明专利]浮栅型闪存的制作方法-CN201911334533.2有效
发明人：秦佑华;陈昊瑜;王奇伟;顾珍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供的浮栅型闪存的制作方法，包括提供半导体基底，半导体基底包括由控制栅线分隔的源极形成区和漏极形成区，对漏极形成区的半导体基底进行浅掺杂离子注入，再进行源极自对准刻蚀，去除位于相邻的控制栅线之间的场氧隔离中的场氧，并对半导体基底进行热氧化处理。由于浅掺杂注入的离子在热氧化处理过程中运动加剧，离子在漏极形成区中的分布的均匀性得到改善，可以使所述浮栅型闪存漏极的电流分布更均匀，从而使不同位线的电流分布收敛，阈值电压的分布也会收敛，在对浮栅型闪存进行编写时，阈值电压不容易受到干扰，从而改善浮栅型闪存编写的抗干扰能力。
浮栅型闪存制作方法

[发明专利]针对光刻中光罩热效应的修正方法-CN202310442773.4在审
发明人：陈超;顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本申请提供一种针对光刻中光罩热效应的修正方法，包括：步骤S1，通过测量掩膜版光罩在光刻测试作业中的温度变化和套准偏差，预先建立该掩膜版光罩的套准偏差修正模型；步骤S2，实时测量掩膜版光罩单个或多个位置的温度，代入步骤S1中建立的套准偏差修正模型，计算出套准偏差的补偿值；步骤S3，根据步骤S2中得到的套准偏差的补偿值，在量产连续作业的每次作业开始前进行套准偏差的补偿；步骤S4，重复实施步骤S2和步骤S3，直至量产连续作业的所有作业完成。根据本申请，可以在一次量产连续作业中为每一次的作业给出精准的套准偏差修正，增加了受光罩热效应影响的一次量产连续作业的作业次数，从而提高作业效率和质量。
针对光刻中光罩热效应修正方法

[发明专利]金属浮栅存储器及其制造方法-CN202310172579.9在审
发明人：顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属浮栅存储器，具有金属浮栅侧壁结构，金属浮栅侧壁结构包括：自对准形成于第一栅极沟槽侧面的第一氧化层以及第二氮化层并叠加形成第一侧侧墙。以第二氮化层的第二侧面为自对准条件对底部的半导体衬底进行刻蚀形成的第二凹槽。第三隧穿氧化层自对准形成在第二氮化层的第二侧面和底部的第二凹槽的侧面并延伸到第二凹槽的底部表面。金属浮栅自对准形成在第三隧穿氧化层的第二侧面，在金属浮栅的第二侧面形成有第二侧侧墙，由第四氧化层、第五氮化层、第六氧化层和第七氮化层叠加而成。金属浮栅侧壁结构呈ONO‑金属浮栅‑ONON结构。本发明还提供一种金属浮栅存储器的制造方法。本发明能降低金属浮栅周围的氧含量从而改善器件的擦除性能。
金属存储器及其制造方法

[发明专利]金属浮栅存储器及其制造方法-CN202310172513.X在审
发明人：顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请提供一种金属浮栅存储器及其制造方法，所述方法包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底内形成沟槽；步骤S2，依次形成位于沟槽内并向上延伸的金属浮栅层和覆盖金属浮栅层侧壁的第一氮化硅层；步骤S3，形成位于沟槽内并向上延伸的源线层；步骤S4，形成覆盖金属浮栅层顶部的第二氮化硅层；步骤S5，在衬底上形成字线层，字线层覆盖金属浮栅层远离源线层的一侧。通过形成覆盖金属浮栅层侧壁的第一氮化硅层和覆盖金属浮栅层顶部的第二氮化硅层，可以防止金属浮栅层顶部区域的氧化，降低擦除电压，提升擦除速度。
金属存储器及其制造方法

[发明专利]用于居家健康监测和安全保护的多功能机器人-CN202210965998.3在审
发明人：朱敏敏;冯宁翰;任奥林;梁宵;顾珍;常翰轩;丁久红 -专利权人：无锡市第二人民医院
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能机器人，尤其涉及一种用于居家健康监测和安全保护的多功能机器人。本发明的目的是提供一种对老人进行心率检测并且能够在发生火灾时及时报警的用于居家健康监测和安全保护的多功能机器人。本发明提供了这样一种用于居家健康监测和安全保护的多功能机器人，包括有驱动机构和摄像机构等，固定壳下部设置有用于进行移动的驱动机构，连接壳上设置有用于对周围环境进行观察的摄像机构。本发明的温度检测仪能够对周围的环境温度进行检测，并将检测结果显示在控制面板上，当温度检测仪检测到周围环境温度高于预设值时，温度检测仪会发出信号，控制机箱接收到信号后会进行自动报警，安全性较高。
用于居家健康监测安全保护多功能机器人

[发明专利]一种存储器及其制备方法-CN202210656838.0在审
发明人：王鹏;顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有沟槽；源线层，位于所述沟槽内并向上延伸；金属浮栅结构，位于所述沟槽内，包括由内到外依次覆盖所述源线层的侧壁的金属浮栅层及阻挡层；字线层，位于所述衬底上并覆盖所述阻挡层远离所述源线层的一侧。所述阻挡层可以阻挡游离的金属离子向其他扩散，进而提高所述金属浮栅层的连续性，防止所述金属浮栅层在高温环境中发生断裂，增强所述存储器的稳定性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种平衡肠道菌群的益生菌组合物及其制备方法和应用-CN202210851358.X在审
发明人：朱敏敏;梁宵;顾珍;任奥林;孙柯娜;常翰轩 -专利权人：无锡市第二人民医院
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： A61K36/752 文献下载
摘要：本发明提出了一种平衡肠道菌群的益生菌组合物及其制备方法和应用，属于益生菌技术领域，将熟化的柚子皮与蜂蜜混合后，接种凝结芽孢杆菌TQ33发酵，然后与含有蒲公英提取物、葛根素、碳源、氮源、维生素和无机盐的液体培养基混合，接种嗜酸性乳酸杆菌JYLA‑191和酿酒酵母菌发酵，得到的发酵混合物与火麻仁油、夜明砂混合均匀后，制得平衡肠道菌群的益生菌组合物。本发明制得的组合物具有良好的改善和平衡菌群的效果，有助于抑制致病菌繁殖，促进有益菌繁殖，并调节肠道菌群丰度，对于糖尿病、高血脂、高血糖、肥胖等代谢疾病有很好的调节作用。
一种平衡肠道益生菌组合及其制备方法应用

[发明专利]提高金属浮栅存储器擦除速度的工艺方法-CN202210494662.3在审
发明人：陈彩云;顾珍;张磊;王鹏;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种提高金属浮栅存储器擦除速度的工艺方法，提供衬底，在衬底上形成有形成覆盖刻蚀停止层、层间介质层的第四氧化层，之后利用含氮等离子对第四氧化层掺杂，之后进行退火；在第四氧化层上形成第五氧化层。本发明通过对氧化层界面进行预处理，通过对氧化层层氮化处理，降低势垒高度，从而使TIN中电子更容易通过氧化层界面，从而实现改善擦除性能。
提高金属存储器擦除速度工艺方法

[发明专利]改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法-CN202210494666.1在审
发明人：陈彩云;顾珍;黄斌冰;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，提供衬底，在衬底上形成形成覆盖刻蚀停止层、层间介质层的氮化硅层及位于氮化硅层上的第四氧化层，之后对第四氧化层进行氮化处理；在第四氧化层上形成擦除栅。本发明采用SIN和热氧化层的膜层结构，降低势垒高度，从而使TIN中电子更容易通过，从而实现改善擦除性能。另外优选的，还可以进一步对热氧化层进行氮化，达到进一步改善擦除性能的目的。
改善 tin 金属存储器结构擦除特性方法

[发明专利]一种改善金属浮栅连续性的工艺方法-CN202210597547.9在审
发明人：陈彩云;顾珍;张磊;王鹏;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属浮栅连续性的工艺方法，提供半导体结构，半导体结构包括衬底，位于衬底上的控制栅；在控制栅的侧壁生长浮栅隧穿氧化层；对浮栅隧穿氧化层进行SPA掺氮处理，形成掺氮膜层；在掺氮膜层侧壁淀积TiN。本发明在进行金属栅TIN沉积前，先对其先前的隧穿氧化层界面进行SPA掺氮处理，然后进行TIN沉积，以防止出现TIN的不连续的现象。
一种改善金属连续性工艺方法

[发明专利]存储器浮栅的制作方法-CN202210719922.2在审
发明人：康小平;张磊;顾珍;贺可强;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器浮栅的制作方法，提供衬底，衬底上形成有有源区，有源区上形成有多个浮栅结构，之后在衬底上形成覆盖浮栅结构的隧穿氧化层；在浮栅结构上形成自下而上依次堆叠的无定形硅层、氮化钛层和第一掩膜层；通过光刻定义出存储区域和非存储区域，刻蚀去除裸露的第一掩膜层，去除光刻胶层，之后刻蚀去除非存储区域上的氮化钛层和无定形硅层；形成覆盖剩余第一掩膜层的第二掩膜层；刻蚀去除部分第一、二掩膜层，使得剩余的第一、二掩膜层或第一掩膜层保留在隧穿氧化层的侧壁。本发明通过在现有金属浮栅淀积之前先淀积一层无定形硅，形成合浮栅，降低势垒，从而实现降低擦除电压的目的。
存储器制作方法

[实用新型]多通路压力换能模块-CN202220246614.8有效
发明人：周永连;朱敏敏;梁宵;顾珍 -专利权人：无锡市第二人民医院
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： A61B5/0215 文献下载
摘要：本实用新型提供多通路压力换能模块，包括固定外壳和换能器，多个换能器位于固定外壳内部，通过整合结构与外部连通，固定外壳的外侧底部设有调位结构，固定外壳外侧壁设有激光发射器；本实用新型能够将多个换能器统合在一起，不易掉落，整理换能器的连接管路的各个连接管路，不易被触碰拉着导致掉落，通过激光定位，确定水平面的位置，降低测压位置确定的难度。
通路压力模块

[发明专利]改善接触孔电阻的方法-CN202210235444.8在审
发明人：高杏;顾珍 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善接触孔电阻的方法，提供衬底，衬底上形成有源极区和漏极区，衬底上形成有浮栅以及覆盖浮栅的层间介质层，形成与衬底连通的凹槽；在衬底上形成覆盖凹槽的第一掩膜层；在第一掩膜层上形成光刻胶层，光刻打开凹槽底部的第一掩膜层，用以定义出离子注入的位置；对凹槽底部的第一掩膜层及其下方的衬底进行离子注入，之后去除光刻胶层；刻蚀第一掩膜层，使得凹槽底部之外的第一掩膜层去除；在剩余的第一掩膜层上形成屏障层；形成覆盖浮栅以及填充凹槽的控制栅；对控制栅进行后续热制程工艺。本发明利用掺杂栅极的选择性刻蚀，形成牺牲硅层并利用锗离子注入，降低硅化钛形成的缺陷，抑制钛的扩散，改善了器件性能。
改善接触电阻方法

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