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[发明专利]一种双面厚铜结构的功率MOSFET器件制备方法及其功率MOSFET器件-CN202310035100.7在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开的一种双面厚铜结构的功率MOSFET器件制备方法，包括：步骤1：制备晶圆；步骤2：在金属电极的压焊点处制备正面厚铜；步骤3：对晶圆进行划片形成划片道；步骤4：在晶圆正面制备环氧树脂层，以完全覆盖晶圆正面的正面厚铜并且完全填充划片道；步骤5：研磨晶圆正面的环氧树脂层，使得正面厚铜的正面露出；步骤6：研磨晶圆的背面，露出划片道里的环氧树脂；步骤7：在晶圆背面制备背面厚铜；步骤8：将晶圆背面对应于划片道上的背面厚铜去除，露出划片道的环氧树脂；步骤9：从晶圆背面进行划片，将管芯分离；本发明还公开采用上述方法制备的功率MOSFET器件。
一种双面结构功率 mosfet 器件制备方法及其

[发明专利]一种功率MOSFET结构及其制备方法-CN202210843977.4在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开的功率MOSFET结构，包含单晶晶圆，在所述单晶晶圆上制作功率MOSFET结构，其中：功率MOSFET的源极和栅极位于晶圆的正面，漏极在晶圆的背面，其在源极和栅极的压焊点上设置金属凸块并在晶圆的正面设置塑封层，研磨塑封层使金属凸块的上表面露出所述塑封层的上表面；漏极通过在晶圆的背面注入及退火或者蒸发/溅射重掺杂Ge层或者Si层形成。本发明还公开了该功率MOSFET结构的制备方法。本发明通过控制研磨后晶圆的厚度，在满足击穿电压的前提下，将晶圆的厚度控制到最薄的厚度，以此来降低器件的导通电阻和热阻。
一种功率 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202210564925.3在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开的高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMT)及制备方法，其是在衬底材料上依次生长N+型GaN层、GaN缓冲层，AlGaN势垒层和GaN帽层制备而成；其隔离槽刻蚀需达到N+型GaN层；正面的源极(或者漏极)和栅极上有凸块结构；表面淀积塑封层并研磨，将源极(或者漏极)和栅极的凸块露出来；漏极(或者源极)通过引线连接到隔离槽中的N+型GaN层，背面激光剥离衬底，露出N+型GaN层，将器件的漏极(或者源极)从晶圆的背面引出。本发明将AlGaN/GaN HEMT器件的漏极和源极分置在器件的两侧，拓展了AlGaN/GaN HEMT器件的应用范围并使得应用更简单、更灵活。
一种电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]低电容TVS器件结构及制作方法-CN202210653127.8在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开的一种低电容TVS结构，包括低电容二极管D1和低击穿电压TVS二极管D2，其低电容的二极管D1成型于一晶圆；低电容二极管D1中的P+区域成型在晶圆的正面；低击穿电压TVS二极管D2中的N型掺杂多晶硅柱设置在晶圆中；通过晶圆背面研磨和干法刻蚀的方法使N型掺杂多晶硅柱穿透出晶圆的背面；在晶圆的背面蒸发或溅射重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层；低击穿电压TVS二极管D2中的多晶硅柱延伸至所述蒸发或溅射制备的重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层中；晶圆是高阻N型单晶片。本发明还公开了该低电容TVS结构的制作方法。本发明用高阻单晶片来代替高阻外延片，完全消除高难度的外延问题。
电容 tvs 器件结构制作方法

[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法-CN202210482999.2在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开的屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法，其经过多次氧化、多次蚀、多次淀积，尤其是第一次沟槽的宽度要比第二次沟槽的宽度要宽；Spacer材料是Si3N4；两层多晶硅之间的氧化层，采用热氧化。本发明具有以下优点：1)第二次氧化时，在Spacer侧壁上几乎不会生长SiO2，所以第一次多晶硅刻蚀之后可以非常容易去除侧壁上的氧化层；2)第一次多晶硅刻蚀之后，采用热氧化的方法，可以非常方便生长厚的隔离氧化层(第三氧化层)，这样就很好地避免了之前两层多晶硅之间隔离氧化层太薄的问题。
一种屏蔽 mosfet sgt 制作方法

[发明专利]低Cgd电容功率MOSFET的制备方法-CN202210483008.2在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开的低Cgd电容功率MOSFET的制备方法，其在对Si3N4侧墙之间沟槽的底部进行第二次氧化，形成第二氧化层；所述第二氧化层的厚度大于所述第三氧化层(栅氧化层)的厚度。本发明的沟槽底部的中间部分是第二氧化层(厚氧化层)，使得栅漏电容Cgd较小，也即Qgd较小。
cgd 电容功率 mosfet 制备方法

[发明专利]一种鳍型结构的功率MOSFET及其制备方法-CN202010109407.3有效
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-02-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍型结构的功率MOSFET，包括衬底、成型在衬底正面上的外延层、若干间隔且平行成型在所述外延层上的鳍型硅墙、成型在所述相邻鳍型硅墙之间的掺杂多晶硅层、成型在掺杂多晶硅层正面上且位于相邻鳍型硅墙之间的BPSG层以及覆盖在鳍型硅墙顶部和BPSG层顶部的金属布线层；鳍型硅墙包含成型在所述衬底正面上的外延硅片层、成型在所述外延硅片层上的P‑Well层和成型在所述P‑Well层正面的N+区域或/和P+区域；所述N+区域或/和P+区域用金属布线层连接。本发明还公开了该鳍型结构的功率MOSFET的制备方法。本发明极大缩小之前传统功率MOSFET多晶硅Trench之间的距离。
一种结构功率 mosfet 及其制备方法

[实用新型]一种自动化切割小车-CN202122543747.X有效
发明人：顾华;王春徳;顾中华;顾海颖;王玉柱 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B27C5/02 文献下载
摘要：本申请涉及板材切割的技术领域，尤其是涉及一种自动化切割小车，其包括工作台，工作台上安装有夹具和移动式切割机，工作台上设有贯穿于工作台上下表面的切割槽，切割槽的下方设有吸屑罩，吸屑罩通过管道连接有收集桶；收集桶上设有嵌设在收集桶内的滤盘、抵触于滤盘上表面的刮板和用于带动刮板绕滤盘轴线旋转的带动件，收集桶的外壁上设有连通于收集桶内部的风机和排屑口，管道和风机分设于滤盘的上下两侧，滤盘的上表面高于或齐平于排屑口的底部口壁并低于排屑口的顶部口壁，排屑口处设有封闭件。本申请能够减少木屑的飘扬。
一种自动化切割小车

[实用新型]一种加气块生产用便于分离加气块的掰板机-CN202121956421.3有效
发明人：顾华;顾中华;顾海颖;王春德;王玉柱 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B28B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加气块生产用便于分离加气块的掰板机，包括底板、主支架、下安装板Ⅰ、上安装板Ⅰ、上安装板Ⅱ、下安装板Ⅱ、左右升降装置、前后升降装置、传送装置、控制电箱、前部推动装置、左部推动装置、右部推动装置和后部推动装置；本实用新型通过左右升降装置和前后升降装置带动前部推动装置、左部推动装置、右部推动装置和后部推动装置上下移动，通过前部推动装置、左部推动装置、右部推动装置和后部推动装置来扳动加气块，通过传送装置来传送需要扳动分离的加气块，通过控制电箱来控制所有用电设备。
一种加气块生产便于分离板机

[实用新型]一种用于板材的高精度开槽装置-CN202122481472.1有效
发明人： 顾海颖;王春徳;赵晓勇;顾华;王玉柱 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B23D19/08 文献下载
摘要：本申请涉及板材加工的技术领域，尤其是涉及一种用于板材的高精度开槽装置，其包括支架，支架上安装有呈水平设置的传送带和位于传送带侧部的开槽机，支架上安装有供板材两侧边分别抵触的定位板和限位板，定位板上转动连接有若干沿传送带长度方向依次排布在传送带上方的压轮，开槽机和定位板沿传送带的长度方向依次设置，传送带位于定位板和限位板之间，限位板沿传送带的宽度方向滑移连接于支架，支架上设有用于将限位板锁紧固定的锁紧组件。本申请能够提高板材的开槽质量。
一种用于板材高精度开槽装置

[实用新型]一种用于物料存储库的高效率除尘装置-CN202122481073.5有效
发明人：顾华;顾海颖;王玉柱;赵晓勇;王春徳 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B01D46/681 文献下载
摘要：本申请涉及物料存储的技术领域，尤其是涉及一种用于物料存储库的高效率除尘装置，其包括收集箱和通过管道连通于收集箱内部的吸尘罩，收集箱的外壁上安装有连通于收集箱内部的风机，管道的下方和风机的上方设有同一转动嵌设在收集箱内的滤板；收集箱上设有用于带动滤板上下翻转的带动组件，收集箱的外壁上设有连通于收集箱内部的排尘口，排尘口处设有用于控制排尘口启闭的封闭件和用于供滤板向下翻转抵触的限位板。本申请能够减少扬尘的弥漫。
一种用于物料存储高效率除尘装置

[实用新型]一种用于自动切割机的限位机构-CN202122543559.7有效
发明人： 顾海颖;赵晓勇;顾华;操红显;王春徳 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B27C5/02 文献下载
摘要：本申请涉及板材切割的技术领域，尤其是涉及一种用于自动切割机的限位机构，其包括工作台，工作台上设有供板材侧部贴靠的定位板和两块分设于定位板左右两侧并供板材搁置的支撑板，支撑板沿两块支撑板的排布方向滑移连接于工作台，支撑板上设有若干沿支撑板的滑移方向依次排布的弹性组件，弹性组件在竖直方向上运动。本申请能够提高板材的切割效率。
一种用于自动切割机限位机构

[实用新型]一种用于产品包装的多用途高效自动打包机-CN202122118887.2有效
发明人： 顾海颖;赵晓勇;顾华;顾中华;王春徳 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B65B65/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于产品包装的多用途高效自动打包机，涉及打包机领域，旨在移动、减震和便于打包，用于打包，技术方案是：底板上设万向轮、减震装置和把手，减震装置连接打包机，打包机上设空腔、通孔和固定框，空腔内设第二液压缸，第二液压杆连接第二液压缸和连接块，第一电机连接转轴和连接块，第一液压缸连接第一液压杆和转轴，固定框轴连接圆柱杆和第二齿轮，圆柱杆连接第一齿轮和第二电机，相邻第一齿轮间啮合第二齿轮，第二电机固定在固定框上；本实用新型设万向轮，使该装置能移动；设减震装置，避免零件损坏和精度降低，延长使用寿命；设圆柱杆，使产品输送更方便，设第一电机和转轴，使产品能转动，可从多角度打包，省时省力。
一种用于产品包装多用途高效自动打包机

[实用新型]一种用于粉料加工的粉料搅拌机-CN202122236105.5有效
发明人： 顾海颖;顾华;赵晓勇;王春徳;王玉柱 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B01F27/85 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于粉料加工的粉料搅拌机，包括搅拌箱，所述搅拌箱的下表面四角均设有支撑柱，所述搅拌箱的内侧壁开设有加热腔，所述加热腔的内部设有电热丝，本粉料搅拌机通过搅拌单元、防护板和搅拌杆可使搅拌箱内不同粉料的混合效率及混合效果均得到提升，且具有更好的分散效果，可有效将带有水分的粉料集结块分散，使粉料中的水分充分蒸发，且通过对粉料进行充分搅拌和分散，可使粉尘之间的水分进行充分蒸发，通过防尘单元、雾化喷头、加热腔和电热丝可有效的对搅拌箱内粉料在搅拌过程中产生的粉尘进行抑制，由此可避免搅拌箱内的粉尘经进料口飘至本粉料搅拌机的外部，由此可有效的避免了粉尘对空气的污染。
一种用于加工搅拌机

[实用新型]一种便于安装且清理效果好的配料秤-CN202121954494.9有效
发明人：王春徳;王玉柱;操红显;顾华;顾海颖 -专利权人：南阳市广利建材有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B65D88/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于安装且清理效果好的配料秤，涉及配料秤领域，旨在解决现有技术中不便于安装和清理效果差的问题，采用的技术方案是，通过在配料斗上方可拆卸设置盖体，不仅可有效避免物料扬尘，还便于打开盖体对内部进行清洁；配料斗内设置搅拌桨，搅拌桨上安装毛刷，在配料过程中不仅便于对内部物料进行混合，毛刷还能够在搅拌过程中清理内壁，防止物料附着，后期难以清理；原料罐下方的供料管在下料管内滑动连接，下料管在盖体上滑动连接，不仅在下料过程中能够有效防止物料外泄，在配料完成后还便于对设备进行拆卸，便于对内部进行清理。
一种便于安装清理效果配料

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