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[发明专利]一种电化学氧化法去除硅晶圆表面污染物的工艺-CN202310951606.2在审
发明人：俞辉;昝芳情;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明采用一种电化学氧化法去除硅晶圆表面污染物的工艺，基于非离子型表面活性剂APE和金属离子鳌合剂EDTA混合清洗剂去除颗粒污染和金属原子，利用电化学催化氧化的方法去除硅晶圆材料表面附着的有机污染物，电化学催化氧化不仅能够去除材料表面原生有机污染物，更是可以对第一步引入的次生有机物进行清除，不会造成二次污染。
一种电化学氧化去除硅晶圆表面污染物工艺

[发明专利]一种去除晶圆表面Cu离子污染的工艺方法-CN202310792510.6在审
发明人：昝芳情;韩五静;王俊豪 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除晶圆表面Cu离子污染的工艺方法，本发明的目的在于去除晶圆表面Cu离子污染，在作业过程中，不会对硅片造成损伤，也不会影响硅衬底内部结构。该工艺方法首先将晶圆表面膜层完全去除，然后通过药液+超声处理，使得硅衬底表面的Cu离子含量＜5E10 atoms/cm2，确保Cu离子不会进入后续的抛光工段，防止污染生产线，经过抛光及洗净后，最终的Cu离子含量能达到5E8 atoms/cm2的水平，满足客户再生要求。
一种去除表面 cu 离子污染工艺方法

[发明专利]一种12寸再生晶圆双面抛光平坦度的控制方法-CN202310792563.8在审
发明人：王思远;俞辉;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种12寸再生晶圆双面抛光平坦度的控制方法，本发明目的在于通过双面研磨设备，对12寸再生晶圆进行平坦度的控制，达到TTV0.5um的目标。
一种 12 再生双面抛光平坦控制方法

[发明专利]一种再生晶圆内部Cu离子析出工艺及析出装置-CN202310470835.2在审
发明人：王俊豪;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种再生晶圆内部Cu离子析出工艺及析出装置，涉及到再生晶圆加工技术领域，包括如下步骤，S1：铜晶圆经过再生项目的第一步‑膜剥离；S2：将去膜后的晶圆放进析出装置进行热处理设备，经过一定温度的热处理，将晶圆内部的Cu离子析出至表面；S3：然后将经过热处理的铜片进行药液清洗，将析出到表面的Cu洗净；S4：将再生后的铜片进行ICP‑MS体金属检测，确保体金属Cu元素在5E8 atoms/cm2以下，满足铜产品再生要求。通过析出装置对晶圆进行热处理，将晶圆内部Cu离子烘出到表面，在处理过程中，不会对硅片造成损伤，也不影响晶圆内部结构，经过处理后的晶圆，采测试晶圆内部铜离子含量，能够达到5E8 atoms/cm2的水平，满足客户再生要求。
一种再生内部 cu 离子析出工艺装置

[发明专利]一种晶圆离心式清洗工艺及其清洗设备-CN202310480375.1在审
发明人：俞辉;韩五静;王晨 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆离心式清洗工艺及其清洗设备，通过臭氧水、酸洗药液以及中性药液依次对晶圆表面进行清洗，重复2‑4次，保证了晶圆表面清洗的效果，同时清洗设备中的保护装置能够根据清洗工艺控制不同的喷头处于不同的状态，提高了晶圆清洗的质量，对设备进行了有效保护。该能够降低Haze数值以及让Haze分布更加均匀，提高了晶圆清洗的质量。
一种离心清洗工艺及其设备

[发明专利]一种晶圆CMP异常检测系统-CN202310480464.6在审
发明人：俞辉;韩五静;王思远 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B24B49/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆CMP异常检测系统，涉及到晶圆加工技术领域，包括电流检测单元、超载触发单元和停机报警单元；电流检测单元：用于检测抛光头驱动电机电流变化以判断其是否超载；超载触发单元：当所述电流检测单元检测到抛光头驱动电机超载时，超载触发单元被启动，触发所述停机报警单元停机报警。本系统通过电流检测单元检测抛光头电机负载（电流与负载呈正比关系）情况，当检测到其超载时，超载触发单元被启动控制抛光设备停止抛光操作并控制报警单元进行报警，由于本检测系统是监控抛光头驱动电机负载情况，因此不会出现碎片小，飞片位置不在Sensor感应区导致无法检测的情况，也不会出现sensor沾水误报警的异常，提高其检测精度及降低其报警错误率。
一种 cmp 异常检测系统

[发明专利]一种适用于磁性晶圆的磁悬浮清洗装置-CN202211692160.8在审
发明人：俞辉;王晨;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于磁性晶圆的磁悬浮清洗装置，涉及到货物运输领域，包括超声波清洗槽、驱动用于承载磁性晶圆的放置框进行上下运动的两电动伸缩杆，所述放置框的内腔竖直放置有若干个磁性晶圆，每个所述磁性晶圆的底部均安装有竖直向外倾斜张开设置的两承重永磁体，所述放置框两相对的侧壁上均安装有水平向外倾斜张开设置的两限位永磁体，且两所述限位永磁体分别位于所述磁性晶圆的两侧。通过倾斜设置的四个限位永磁体和两承重永磁体的配合可使得磁性晶圆稳定悬浮，以实现对磁性晶圆地无接触超声波清洗，使得磁性晶圆清洗的更加彻底且不会发生变形。
一种适用于磁性磁悬浮清洗装置

[发明专利]一种可对去离子水进行回收的晶圆清洗快排槽-CN202211692576.X在审
发明人：王晨;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可对去离子水进行回收的晶圆清洗快排槽，涉及到晶圆清洗技术领域，包括槽体、喷淋管、匀流板、曝气管、注水管、排水管以及控制各设备有序工作的工控机，所述排水管设置有两个，分别为外排管和回收管，还包括在所述槽体进行排液之前对所述槽体内的去离子水进行电阻率检测的检测单元。利用检测单元检测槽体内去离子水的电阻率，工控机根据电阻率数值判断决定将清洗后的去离子水通过外排管排放还是回收管排放，可对可用的去离子水进行回收利用，同时在每次检测后都需要对检测单元的电阻率检测探头进行清洗，以提高检测精度，且电阻率检测探头在清洗或检测运动过程中做摆动运动，可进一步提高电阻率检测探头的检测精度。
一种离子水进行回收清洗快排槽

[发明专利]一种晶圆夹持式边缘抛光装置及工艺-CN202211612202.2在审
发明人：王思远;王晨;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶圆再生的边缘抛光装置领域，具体为一种晶圆夹持式边缘抛光装置及工艺，包括固定主轴和晶圆吸盘，所述固定主轴与外设机械臂固定连接，外设机械臂内设置有驱动固定主轴旋转的主轴电机，所述固定主轴底端固定连接有三角夹盘，所述三角夹盘表面阵列转动连接有晶圆夹臂，所述固定主轴表面滑动连接有三角滑盘，所述三角滑盘表面阵列转动连接有拉板。本发明的通过设置晶圆夹臂、夹持部和抛光布，采用夹持抛光一体式结构，通过晶圆夹臂和夹持部带动晶圆进行移送，减少工序加工中的机械时间，提高生产效能，同时抛光布套接在夹持部上，便于拆卸，并且降低了抛光布使用面积，从而提高抛光布的有效利用率。
一种夹持边缘抛光装置工艺

[发明专利]一种抛光布自动刷洗装置及方法-CN202211612447.5在审
发明人：王思远;俞辉;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光布自动刷洗装置及方法，涉及抛光布刷洗技术领域，包括底座，底座设有第一安装架，第一安装架设有控制箱，第一安装架安装有液压升降杆，液压升降杆设有伸缩柱，固定轴上套设有旋转座，旋转座设有延伸杆，延伸杆设有弧形架，伸缩柱设有第一电机，第一电机设有与弧形架相匹配的平齿轮，旋转座设有旋转槽，旋转槽设有电动伸缩杆，电动伸缩杆设有机械臂，电动伸缩杆外侧壁设有斜齿轮环，第二电机设有与斜齿轮环相啮合的斜齿轮，机械臂设有双轴电机，双轴电机设有圆盘硬质毛刷、研磨轮。本发明实现自动硬毛刷的清洁功能，可有效提高清洁效果，增加工艺稳定性的同时，不会带来人力成本的增长，适合推广。
一种抛光自动刷洗装置方法

[实用新型]一种晶圆用自动清洗槽-CN202222574823.8有效
发明人：王思远;韩五静;王晨 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆用自动清洗槽，涉及晶圆清洗技术领域，包括超声波清洗槽,所述超声波清洗槽的内腔转动设置有转轴，所述转轴的右端贯穿所述超声波清洗槽并与通过连接杆与第二抱闸电机外壳固定连接的安装环固定连接，所述第二抱闸电机的输出轴上固定有限位块，所述第二抱闸电机的输出轴和限位块均与转动设置在所述转轴内腔的螺杆一端插接，所述螺杆上安装定位单元。本实用新型结构合理，可同时对多个晶圆同时进行夹持固定，无需单个进行固定，操作方便简单，且在利用定位单元对晶圆夹持完毕后，第二抱闸电机进行抱闸，螺杆无法转动，可有效防止定位单元因超声波清洗槽工作时产生的震动而减弱对晶圆的夹持固定效果。
一种晶圆用自动清洗

[实用新型]一种半导体晶圆高效清洗设备-CN202222499386.8有效
发明人： 韩五静;王思远;王晨 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆高效清洗设备，涉及半导体晶圆清洗技术领域，包括清洗槽，所述清洗槽的内腔底部安装有超声波清洗板，所述清洗槽左右端均固定连接有可进行升降运动的驱动杆，且两个所述驱动杆的输出端均固定连接有安装板，两个所述安装板之间安装有可旋转的晶圆放置架。本清洗槽可利用驱动电机可带动晶圆放置架进行旋转，可使得晶圆的端面与清洗槽平行设置，相比传统晶圆与清洗槽垂直设置的方式，可增大气泡与晶圆的接触面积，进而提高对晶圆的清洗效率。
一种半导体高效清洗设备

[发明专利]一种晶圆研磨厚度控制装置及系统-CN202211612211.1在审
发明人：昝芳情;韩五静;王俊豪;林源 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆研磨厚度控制装置及系统，涉及晶圆加工技术领域，包括可旋转的研磨垫和可竖直移动的陶瓷模框，陶瓷模框的下部设有与研磨垫贴合的晶圆片材，研磨垫与陶瓷模框之间至少设有一组信号发射端和信号接收端，信号发射端和信号接收端通过导线连接CMP主机；信号接收端以嵌入的方式设置在研磨垫上，信号发射端以嵌入的方式固定在陶瓷模框的边缘上，并位于晶圆片材的一侧，与信号接收端的旋转轨迹相对应。本发明还提出了一种晶圆研磨厚度控制的系统，包括位于CMP主机内的光源、光学处理系统和终点检测系统。本发明可实时检测整片晶圆厚度变化，实现晶圆厚度研磨的精确控制。
一种研磨厚度控制装置系统

[实用新型]一种晶圆衬底性能检测设备-CN202222573484.1有效
发明人： 韩五静;王思远;陈磊 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆衬底性能检测设备，包括检测装置以及输送待测物的输送设备，所述检测装置安装于输送设备上端，所述检测装置包括检测平台，所述检测平台下端转动连接有安装盘，所述安装盘下端安装有检测管，所述检测管根据竖直高度分为第一端以及第二端，所述检测管的第一端位于靠近输送设备的一侧，所述检测管第一端设置有检测部，所述检测部中间位置开有通口，所述检测管的第二端连通有气体控制装置，所述输送设备上端设置有驱动设备，通过所述驱动设备以驱动检测平台线性移动。本实用新型其解决了如何对衬底表面缺陷进行连续高效检测的问题。
一种衬底性能检测设备

[实用新型]一种晶圆清洗用超声波清洗设备-CN202222541443.4有效
发明人：昝芳情;王俊豪;韩五静 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆清洗用超声波清洗设备，涉及到晶圆清洗技术领域，包括清洗槽，所述清洗槽的底部安装有超声波发生器，所述清洗槽的清洗腔底部安装有与所述超声波发生器电性连接的超声波振板，所述清洗槽的左右端分别位于第一密罩体和第二密封罩的内腔，所述清洗槽的底部左右侧分别设置有第一移动脚轮和支撑柱，所述支撑柱与所述第二密封罩的内壁固定连接，所述第一密封罩的上端安装有抽气泵，所述第二密封罩前后端上均固定有同步电机，且两个所述同步电机的输出轴均通过联轴器固定连接有螺杆。本清洗槽在工作时，第一密封罩运动并配合第二密封罩形成一个密封室，通过抽气泵将密封室抽真空，可利用真空环境减弱噪声的传播。
一种清洗超声波设备

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