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[外观设计]保护套（PS5 精英版硅胶保护套）-CN202330221646.2有效
发明人： 韦文生 -专利权人： 韦文生
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：保护套（PS5 精英版硅胶保护套）。2.本外观设计产品的用途：用于游戏机保护套。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
护套 ps5 精英硅胶

[外观设计]保护套（Steam deck 掌机硅胶保护套）-CN202330221742.7有效
发明人： 韦文生 -专利权人： 韦文生
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：保护套（Steam deck 掌机硅胶保护套）。2.本外观设计产品的用途：用于游戏机保护套。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
护套 steam deck 硅胶

[发明专利]冷冻系统稳定压力源的控制方法及冷冻系统-CN202310537583.0有效
发明人：李雪冬;张飞飞;肖剑;熊飞;杨晶晶;韦文生;罗富良;黄乾富 -专利权人：海杰亚(北京)医疗器械有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F25D3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种冷冻系统稳定压力源的控制方法及冷冻系统，涉及消融技术领域。本发明的冷冻系统稳定压力源的控制方法，利用压力源不同阶段的情况输出，对应调整增压阀和放气阀的开度，从而降低系统压力源的不稳定现象，以此来控制压力介质的平稳输出，使得压力源在高液位时，压力稳定且降压速度可控、在低液位时也能够满足输出压力，以保证消融针上冰球正常生长。
冷冻系统稳定压力控制方法

[发明专利]嵌入3C/4H-SiC异构型续流结和缓变型半超结的UMOSFET及制备方法-CN202310183780.7在审
发明人：丁靖扬;韦文生 -专利权人：温州大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入3C/4H‑SiC异构型续流结和缓变型半超结的UMOSFET的制备方法，包括在N+‑4H‑SiC衬底上沉积N+‑4H‑SiC缓冲层及N‑‑4H‑SiC漂移区；在所述N‑‑4H‑SiC漂移区中制作所述缓变型半超结，包含2个N‑4H‑SiC柱、2个P‑‑4H‑SiC柱、1个P‑4H‑SiC柱；在所述缓变型半超结顶部制作P+‑屏蔽层；在所述P+‑屏蔽层上沉积N‑4H‑SiC电流扩展层、P‑4H‑SiC基区、N+‑4H‑SiC源区；制作1个P+‑4H‑SiC连接柱、2个P+‑4H‑SiC源区；在所述2个P+‑4H‑SiC源区外侧分别蚀刻侧槽，在所述侧槽沉积N+‑3C‑SiC层，形成所述3C/4H‑SiC异构型续流结；在所述P+‑4H‑SiC连接柱周围蚀刻U槽，表面氧化为SiO2隔离层，在SiO2上沉积多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极顶部制作欧姆电极；在所述衬底底部以及所述源极顶部、衬底底部分别制作欧姆电极。本发明制造的UMOSFET，静态优值高，反向续流开启电压低，反向恢复时间短，开关损耗低。
嵌入 sic 构型续流结和缓变型半超结 umosfet 制备方法

[发明专利]冰球尺寸的控制方法及存储介质-CN202211067596.8在审
发明人：王时;熊飞;肖剑;韦文生;杨晶晶;黄乾富 -专利权人：海杰亚（北京）医疗器械有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A61B18/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种冰球尺寸的控制方法及存储介质，涉及消融技术领域，用于兼顾消耗工质流量更少、且冰球尺寸更大的控制要求。本发明的冰球尺寸的控制方法，包括第一阶段：调节阀机构的开度，使冷源的第一输出侧以第一流量输出工质，且消融器械的第一输出侧以第二流量输出工质，以进行预冷，其中，第二流量大于第一流量。
冰球尺寸控制方法存储介质

[发明专利]碳化硅异构结常闭型高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211080038.5在审
发明人： 韦文生;戴森荣;丁靖扬;汪子盛;杨晨飞 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅(SiC)异构结常闭型高电子迁移率晶体管的制备方法，包括选择一非故意掺杂n型4H‑SiC晶片为衬底；在衬底的表面同构外延生长4H‑SiC过渡层，并在4H‑SiC过渡层的上表面外延生长出C面；在4H‑SiC过渡层的C面生长非故意掺杂的3C‑SiC势阱层；在3C‑SiC势阱层上表面生长n型掺杂的4H‑SiC势垒层，并在4H‑SiC势垒层的上表面外延生长出Si面；在4H‑SiC势垒层的Si面生长非故意掺杂的3C‑SiC帽层；制作电极和保护膜，得到3C‑SiC/4H‑SiC异构结常闭型单沟道高电子迁移率晶体管。实施本发明，因制备过程中SiC异构结界面两侧的元素相同，无扩散污染，降低了工艺复杂性；所得SiC异构结常闭型高电子迁移率晶体管的阈值电压低，比导通电阻很小，击穿电压高，功率品质因数大，使用可靠性高。
碳化硅异构结常闭型高电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]根据温度控制的消融系统及其温度控制方法-CN202210956590.X在审
发明人：王时;熊飞;肖剑;韦文生;杨晶晶;黄乾富 -专利权人：海杰亚（北京）医疗器械有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： A61B18/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种根据温度控制的消融系统及其温度控制方法，涉及消融技术领域，用于根据不同低温操作要求制定控制策略，从而获得符合预期尺寸的冰球。本发明的根据温度控制的消融系统，通过控制机构分别对不同状态下各温度调节机构发送指令，使其调节各管路中工质的温度，从而可根据不同低温操作的要求，实施不同的控制策略，以获得符合预期尺寸的冰球，例如可以实现在最少的消耗工质的前提下获得最大尺寸的冰球的低温操作要求。
根据温度控制消融系统及其方法

[实用新型]加热装置及医疗器械-CN202221309444.X有效
发明人：曹华飞;高维良;熊飞;韦文生;黄乾富 -专利权人：海杰亚（北京）医疗器械有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： F24H7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种加热装置及医疗器械，涉及医疗器械设备技术领域。该加热装置包括保温壳体、导热体以及加热体，导热体安装于保温壳体内，且导热体的侧壁密封贴合于保温壳体的内表面，导热体的侧壁沿其轴向间隔布设有多个导流环槽，且相邻两个导流环槽相连通，位于导热体两端的导流环槽分别与开设于导热体上的进流孔和出流孔相连通；加热体安装于导热体的内部，用于加热导热体。该医疗器械应用上述的加热装置。基于本实用新型的技术方案，增加了医疗用流体或者气体在导流环槽内的时间，从而延长了导热体对医疗用流体或者气体进行加热的时间，使得医疗用流体或者气体充分加热，加热效果得到有效提高。
加热装置医疗器械

[发明专利]一种微弱电流测量装置-CN202110696949.X有效
发明人：莫越达;韦文生;黄文喜;何明昌 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明提供一种微弱电流测量装置，包括依序连接的电流强度‑电压(I‑V)转换及放大电路、模数转换电路、单片机和显示器；I‑V转换及放大电路根据待测微弱电流信号的类型，选择相应的I‑V转换及放大电路将微弱电流信号转换成微弱电压信号并进行噪声抑制及信号放大处理；模数转换电路将噪声抑制及信号放大处理后得到的电压信号转换为数字信号；单片机对数字信号进行分析得到电压值，并根据电压值，在预设的电压与微弱电流映射表中，得到待测微弱电流信号的电流值；显示器显示待测微弱电流信号的电流值及其对应的电压值。本发明不仅能解决现有微弱电流测量装置因噪声干扰所带来的测量误差的问题，提高了测量精度，而且价格便宜。
一种微弱电流测量装置

[发明专利]冷热消融系统及其控制方法-CN202210822941.8有效
发明人：王时;熊飞;肖剑;韦文生;杨晶晶;黄乾富 -专利权人：海杰亚（北京）医疗器械有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： A61B18/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种冷热消融系统及其控制方法，涉及消融技术领域，用于兼顾消耗工质流量更少、且冰球尺寸更大的控制要求。本发明的冷热消融系统，包括冷源、消融器械以及阀机构，通过控制工质在不同的阶段以及不同的位置的流量，使系统运行过程中消耗工质流量和所获得的冰球的尺寸可控，从而能够兼顾降低消耗工质流量和增大冰球尺寸的要求，从而适应不同的治疗策略，可获得最优的治疗时间和治疗效果。
冷热消融系统及其控制方法

[发明专利]液氮传输温度控制系统及方法-CN202110518121.5有效
发明人：江思达;解明;陈懂;戴静;韦文生;黄乾富 -专利权人：海杰亚（北京）医疗器械有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： F25D3/10 文献下载
摘要：本发明提供一种液氮传输温度控制系统及方法，该系统应用于液氮制冷技术，包括：测温组件、控制组件及流量调节阀；控制组件分别与测温组件及流量调节阀连接；所述控制组件用于接收管道温度，当检测到管道温度大于第一温度时，向流量调节阀发送第一控制信号，以使流量调节阀的阀门开度增大，可以降低传输管道的温度；当检测到管道温度小于第二温度时，向流量调节阀发送第二控制信号，以使流量调节阀的阀门开度减小，升高传输管道的温度，如此，形成闭环反馈调节系统，以使液氮输出的温度稳定在第一温度与第二温度之间，提升液氮的使用效率。
液氮传输温度控制系统方法

[发明专利]一种光敏型SiC异构结多势垒变容二极管-CN202110203368.8有效
发明人： 韦文生;戴森荣;余寿豪;彭栋梁;郭文;周迪;何明昌 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种光敏型SiC异构结多势垒变容二极管，包括依次设置的N+型3C‑SiC衬底、至少一组异构结、N+型3C‑SiC接触层；所述异构结由N型3C‑SiC调制层、本征4H‑SiC或者6H‑SiC势垒层、N型3C‑SiC调制层构成，所述异构结中，窄带隙的N型3C‑SiC为势阱，宽带隙的本征4H‑SiC或本征6H‑SiC为势垒；所述异构结的表面产生二氧化硅保护层，之外涂覆遮光层；所述N+型3C‑SiC衬底、N+型3C‑SiC接触层的外表面分别有欧姆电极；N+型3C‑SiC接触层的外表面有透光孔。本发明优点是漏电流小、电容小、截止频率高、动态负载调制范围宽，光照改变电容；适用于倍频、参数放大、光探测等。
一种光敏 sic 异构结多势垒变容二极管

[发明专利]纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法-CN202110203412.5有效
发明人： 韦文生;吴晓华;莫越达;王渊;熊愉可;何明昌;周迪 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法，包括N+型单晶硅衬底、N+型单晶硅衬底上沉积的N型纳米硅调制层、N型纳米硅调制层上沉积的非晶碳化硅势垒层、非晶碳化硅势垒层上沉积的N型纳米硅调制层；根据耐压和容量要求，确定由N型纳米硅调制层、非晶碳化硅势垒层、N型纳米硅调制层构成的异质结的生长周期；然后沉积N+型纳米硅接触层；在N+型单晶硅衬底、纳米硅接触层上表面分别蒸镀金铝电极，异质结外面氧化产生保护层，之外涂覆遮光层，制成异质结多势垒变容二极管，加工时无扩散污染。本发明的异质结多势垒变容二极管的电容小、变容比率高、截止频率高、动态负载调制范围宽，适用于倍频、电调谐、参数放大等。
纳米碳化硅异质结多势垒变容二极管制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置-CN202210248392.8在审
发明人：余寿豪;韦文生;宋慧慧;莫越达 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置，包括低噪声直流稳压电源、测试条件产生电路、信号采样及处理电路和主控及输入/输出电路；低噪声直流稳压电源提供稳定直流电压；测试条件产生电路给被测功率半导体器件进行预热处理，之后迅速中和被测功率半导体器件中的少数载流子，并进行热敏处理后产生瞬态热敏电压差；信号采样及处理电路对瞬态热敏电压差进行采集、放大及转换；主控及输入/输出电路将瞬态热敏电压差进行显示，以及实现对测试条件产生电路所需的加热电流/热敏电流脉冲的产生、幅度与加热时间以及中和电流脉冲的控制。实施本发明，具有电路结构简单，操作简单，受外界环境变化而造成干扰较小，波形稳定等优点。
一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置

[实用新型]一种冷冻溶脂的施用器-CN202122634719.9有效
发明人：高维良;孟凡龙;胡敏露;韦文生;肖剑;熊飞;冯亮;黄乾富 -专利权人：海杰亚（北京）医疗器械有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： A61B18/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种冷冻溶脂的施用器，包括施用器主体，施用器主体上具有导热部；导热腔，成型于导热部上并用于容纳待冷冻组织，导热腔整体呈相对导热部凹陷的槽状结构；制冷单元，设置于施用器主体内部，制冷单元的冷端贴紧于导热部的外表面，制冷单元的冷端能够通过导热部对导热腔制冷。基于本实用新型的技术方案，能够实现对负压吸入组织的全方位均匀降温，增大了制冷面积，有效缩短冷冻时间，使得溶脂效果和用户体验更好。
一种冷冻施用

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