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[发明专利]热处理装置及热处理方法-CN201910073446.X有效
发明人： 青山敬幸;上田晃颂;大森麻央;天児和则 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在中断氧浓度的测定时，也能够维持低氧浓度区域中的测定精度的热处理装置及热处理方法。在将腔室(6)内的压力设为大气压，且将腔室(6)内设为惰性气体的气氛时，腔室(6)内的气氛经过取样管线(92)被吸引至氧浓度计(91)，由氧浓度计(91)测定腔室(6)内的氧浓度。如果腔室(6)内减压至小于大气压，那么中断腔室(6)内的氧浓度的测定，与此同时，从惰性气体供给管线(94)对氧浓度计(91)供给氮气。在中断腔室(6)内的氧浓度的测定时，也能够防止从气体排气管(88)向氧浓度计(91)的逆流，从而能够防止氧浓度计(91)暴露在来自腔室(6)的排气中而维持氧浓度计(91)的低氧浓度区域中的测定精度。
热处理装置方法

[发明专利]热处理方法-CN201811542249.X有效
发明人： 青山敬幸;加藤慎一 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
热处理方法

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN202011536845.4在审
发明人： 青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
热处理方法以及装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710540888.1有效
发明人： 青山敬幸 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在不给器件结构带来损伤的情况下导入氟的半导体装置的制造方法。作为处理对象的半导体晶片具有在硅基材的上方隔着二氧化硅的界面层膜形成高介电常数栅极绝缘膜，而且在高介电常数栅极绝缘膜的上方形成含有氟的金属栅极电极的堆叠结构。热处理装置(1)在含有氢的环境气体中从闪光灯向半导体晶片照射闪光来进行100毫秒以下的极短时间加热处理。由此，能够抑制金属栅极电极中含有的氮的扩散，仅使氟从高介电常数栅极绝缘膜扩散至界面层膜和硅基材之间的界面来减少界面态，并提高栅极堆叠结构的可靠性。
半导体装置制造方法

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN201610730607.4有效
发明人： 青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
热处理方法以及装置

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN202010945865.0在审
发明人： 青山敬幸;河原崎光;古川雅志;布施和彦;谷村英昭;加藤慎一 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。
热处理方法以及装置

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201710477838.3有效
发明人： 青山敬幸;近藤泰章;宫胁真治;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭;上田晃颂;河原崎光;古川雅志 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
热处理方法装置

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN201610736763.1有效
发明人： 青山敬幸;河原崎光;古川雅志;布施和彦;谷村英昭;加藤慎一 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。
热处理方法以及装置

[发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201911266333.8在审
发明人：上野智宏;青山敬幸;大森麻央;北澤貴宏;秋吉克一 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够容易地进行热处理条件的条件设定的热处理方法及热处理装置。将收容构成批次的多个半导体晶圆的载具搬入至热处理装置之后，对各半导体晶圆设定规定了处理顺序及处理条件的制程配方。接着，测定收容于载具的各半导体晶圆的反射率。基于所设定的制程配方与测定出的半导体晶圆的反射率，估算闪光加热处理时半导体晶圆的到达预测温度，并显示该估算的到达预测温度。因为可将所显示的到达预测温度作为参考来设定处理条件，所以能够容易地进行热处理条件的条件设定。
热处理方法装置

[发明专利]p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法-CN201910677777.4在审
发明人：谷村英昭;山田隆泰;加藤慎一;青山敬幸 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法。本发明提供一种能够使p型掺杂剂以高效率活化的技术。向氮化镓(GaN)衬底注入镁作为p型掺杂剂。在包含氮及氢的气氛中利用来自卤素灯的光照射，将该GaN衬底进行预加热，进而利用来自闪光灯的闪光照射，极短时间内加热至高温。通过在包含氮及氢的气氛中将GaN衬底加热，便可补充已脱离的氮，防止氮缺乏。而且，可一面向GaN衬底供给氢一面进行加热处理。进而，可使GaN衬底中存在的结晶缺陷修复。作为该等结果，可使注入至GaN衬底的p型掺杂剂以高效率活化。
氮化半导体制造方法热处理

[发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN201610656585.1有效
发明人： 青山敬幸 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明提供一种热处理方法以及热处理装置，无论基板的表面状态如何都能够以简单的结构测定基板的表面温度。从利用卤素灯的预备加热阶段至利用闪光灯照射闪光时，由辐射温度计测定半导体晶片的背面的温度，并求出在照射了闪光时半导体晶片的背面从预备加热温度上升的上升温度(ΔT)。由于半导体晶片的比热是既定值，上升温度(ΔT)与通过照射闪光对半导体晶片的表面施加的能量的大小成比例，因此，能够根据照射闪光时的半导体晶片的背面的上升温度(ΔT)来计算半导体晶片的表面到达温度。
热处理方法以及装置

[发明专利]半导体制造方法-CN201510578248.0有效
发明人： 青山敬幸;加藤慎一 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
半导体制造方法以及装置

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