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[发明专利]存储控制方法、装置及电子设备-CN202310800203.8在审
发明人：冯星;霍文捷;刘璨;万婷;张航 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供了存储控制方法、装置及电子设备。本申请实施例通过在线动态调控存储系统中write buffer的write buffer释放速度和存储系统中各vblock对应的微码策略，以便动态优化存储系统的性能，保证存储系统在整个生命周期都能达到较优的性能。
存储控制方法装置电子设备

[发明专利]闪存颗粒测试方法、装置及电子设备-CN202310618579.7在审
发明人：万婷;霍文捷;刘璨;冯星;张航;李宏伟 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请实施例提供了闪存颗粒测试方法、装置及电子设备。本实施例中，通过在各温度保持时间下收集各温度保持时间对应的闪存颗粒测试信息，以实现通过闪存颗粒的温度量化温箱内部真实温度分布情况，取代单一的用温箱设置温度来代表整个温箱内的温度，减少闪存颗粒测试中温度带来的影响。
闪存颗粒测试方法装置电子设备

[发明专利]Buffer管理方法、装置及存储设备-CN202310219137.5在审
发明人：冯星;刘璨;万婷;霍文捷 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供了Buffer管理方法、装置及存储设备。本实施例通过通过对存储系统中Buffer空间合理划分至少一个任务类型对应的Buffer区域，并基于各任务实时的Buffer分配速度，从各任务的任务类型对应的Buffer区域中为各任务分配所需的可用的目标Buffer块，避免因为Buffer缓存的数据被频繁读写引起的Buffer使用状态不断发生变化所导致的整个存储系统的性能差的缺陷，实现了Buffer的智能高效管理，并且，本实施例通过基于硬件实现的Buffer管理组件来实现Buffer的智能高效管理，这能减少CPU管理Buffer的开销。
buffer 管理方法装置存储设备

[发明专利]Buffer管理方法、装置及存储设备-CN202310242802.2在审
发明人：冯星;刘璨;万婷;霍文捷 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供了Buffer管理方法、装置及存储设备。本申请通过对DRAMLess/DRAM Partial存储系统中Buffer空间合理划分至少一个Buffer区域，并基于各任务队列是否被标记的紧急状态标识、任务队列中的任务的优先级来为各任务分配所需的可用的目标Buffer块，保证了需要紧急分配Buffer的任务、或者高优先级的任务及时被分配Buffer，优化DRAMLess/DRAM Partial存储系统中Buffer的利用率，实现了Buffer的智能高效管理。进一步地，本实施例通过基于硬件实现的Buffer管理组件来实现Buffer的智能高效管理，这能减少CPU管理Buffer的开销。
buffer 管理方法装置存储设备

[发明专利]主机内存缓冲管理方法、装置、以及固态硬盘-CN202111149556.3有效
发明人：冯星;刘璨;万婷;霍文捷 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种主机内存缓冲管理方法、装置、以及固态硬盘，涉及数据存储技术领域。该方法包括：监测固态硬盘SSD所申请的主机内存缓冲HMB空间的当前空间信息，以及所述SSD的当前运行状态；基于所述当前空间信息和所述当前运行状态，确定所述SSD所申请的HMB空间的调整策略；其中，所述调整策略用于保证按照所述调整策略调整所述SSD所申请的HMB空间后，所述SSD的工作性能满足预定性能要求；按照所述调整策略，对所述SSD所申请的HMB空间进行调整。与现有技术相比，应用本发明实施例提供的方案，可以实现根据SSD的运行状态，对SSD所申请的HMB空间管理，以使得SSD在任何运行状态下，均可以具有较高的工作性能。
主机内存缓冲管理方法装置以及固态硬盘

[发明专利]一种数据纠错方法、系统及电子设备-CN202310227364.2在审
发明人：刘璨;霍文捷;万婷;冯星;张航 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种数据纠错方法、系统及电子设备。其中，方法包括：接收目标客户端发送的目标存储设备的目标设备状态和目标存储设备成功纠错时所使用的纠错读电压，其中，目标设备状态用于表示目标存储设备的擦除次数和/或读次数；根据纠错读电压，确定目标存储设备的目标读电压；根据服务端预先存储的第一对应关系，确定目标设备状态和目标读电压对应的目标对数似然比LLR，其中，第一对应关系为存储设备的设备状态、读电压以及对数似然比LLR之间的对应关系；将目标对数似然比LLR发送至目标客户端，以使得目标客户端对目标存储设备的LLR表进行更新，并使得目标存储设备基于更新后的LLR表对读取的数据进行纠错，可以提高纠错成功率。
一种数据纠错方法系统电子设备

[发明专利]冷热数据阈值的确定方法、装置及设备-CN201911355841.3有效
发明人：冯星;吴国骏;霍文捷;孙承华 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种冷热数据阈值的确定方法、装置及设备，属于数据存储技术领域。所述方法包括：基于冷热数据阈值，确定当前闪存块的第一冷热属性，当前闪存块为闪存颗粒对应的多个闪存块中被选中的一个闪存块。确定当前闪存块的更新参数。根据更新参数，确定当前闪存块的第二冷热属性。若第二冷热属性与第一冷热属性不同，则对冷热数据阈值进行更新。本申请通过在第一冷热属性和第二冷热属性不同时对冷热数据阈值进行更新，可以实现对冷热数据阈值的动态更新。
冷热数据阈值确定方法装置设备

[发明专利]存储数据的方法、装置、设备及存储介质-CN202010832056.9有效
发明人：曾伟;霍文捷 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储数据的方法，属于计算机技术领域。所述方法包括：获取第一数据存储请求；将所述第一数据存储请求对应的待存储的第一数据存入DRAM中；如果在所述第一数据存入所述DRAM之后的预设时长内未获取到其它数据存储请求或其他数据处理请求，则将所述DRAM中未写入FLASH的数据写入所述FLASH。本申请通过将保存在DRAM中的数据的时间控制在预设时长内，可以降低由于意外断电导致DRAM中存储的数据丢失的可能。
存储数据方法装置设备介质

[发明专利]标定阈值电压组的方法、装置及计算机存储介质-CN201911412072.6有效
发明人：刘攀;霍文捷;万婷;刘璨;孙承华 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种标定阈值电压组的方法、装置及计算机存储介质，属于计算机存储技术领域。本申请通过存储单元的使用状态确定一个起始搜索电压组，根据起始搜索电压组和预设搜索步长确定出一个错误比特数最小的阈值电压组，将该错误比特数最小的阈值电压组确定为标定后的阈值电压组。由于正确读取存储单元中存储的数据所需的阈值电压组中的阈值电压会随着存储单元的使用状态的变化而发生偏移，因此，根据存储单元的使用状态可以确定一个更加接近偏移后的阈值电压组的起始搜索电压组，如此可以有效减少从起始搜索电压组开始搜索到搜索出错误比特数最小的阈值电压组时所需的搜索次数，从而减小了搜索时长，也就提高了标定过程的效率。
标定阈值电压方法装置计算机存储介质

[发明专利]读写速度控制方法、装置-CN202010134850.6有效
发明人：程博;霍文捷;孙承华 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2020-02-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种读写速度控制方法、装置及计算机存储介质，属于计算机存储技术领域。所述方法包括：确定第一数据访问特征，也即确定当前时刻之前的某一时间段内处理器对多种类型的应用程序的数据的访问情况；根据第一数据访问特征，预测第二数据访问特征，也即预测时刻之后处理器对多种类型的应用程序的数据的访问情况；根据第二数据访问特征，控制存储介质的读写速度。由于处理器对不同类型的数据的访问情况指示用户的使用习惯，且处理器对不同类型的数据的访问会导致不同的存储介质功耗，因此通过任一时刻之前用户的使用习惯预测该时刻之后用户的使用习惯，再根据预测后用户的使用习惯控制存储介质的读写速度，达到控制存储介质功耗的目的。
读写速度控制方法装置

[发明专利]确定待使用读电压的方法、系统、装置及设备-CN202011603511.4有效
发明人：刘璨;霍文捷;万婷;孙承华 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种确定待使用读电压的方法、系统、装置及设备，属于存储技术领域。方法包括：基于多个权重系数集合，确定目标权重系数集合，其中，所述权重系数集合中包括存储设备中每个代表性字线对应的权重系数，所述代表性字线为所述存储设备的多个字线中满足性能要求的字线，所述目标权重系数集合中的权重系数用于对所述存储设备中多个代表性字线的最优读电压进行加权求和，得到加权求和后的读电压，所述加权求和后的读电压在所述存储设备中多个字线上的读性能表现数据满足性能要求；将所述目标权重系数集合发送至所述存储设备。采用本申请能够解决相关技术中存在的读电压的确定方式较为繁琐的问题。
确定使用电压方法系统装置设备

[发明专利]确定闪存的物理状态的方法、装置及设备-CN201911311786.8有效
发明人：万婷;霍文捷;刘攀;刘璨;孙承华 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种确定闪存的物理状态的方法、装置和设备，属于数据存储技术领域。所述方法包括：确定第一闪存中的目标页在多组目标阈值电压下的比特翻转数，比特翻转数是指在对应组目标阈值电压下目标页中比特位的读取状态发生变化的比特位个数；确定目标页的关系分布图，关系分布图用于描述多组阈值电压偏移量与目标页在多组目标阈值电压下的比特翻转数之间的关系，且一组阈值电压偏移量用于确定一组目标阈值电压；基于关系分布图，通过分类模型，确定第一闪存的物理状态。本申请通过分类模型对关系分布图进行识别，可以更准确地确定第一闪存的物理状态，解决了现有技术通过擦除时间确定的物理状态可能不准确的问题。
确定闪存物理状态方法装置设备

[发明专利]数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备-CN202011058432.X有效
发明人：刘璨;霍文捷;万婷;孙承华 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备，属于存储技术领域。所述方法包括：确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，代表性字线为多个字线中满足性能要求的字线；基于代表性字线的原始数据读电压，确定多个字线的数据读电压。如此，实现了从全局字线中选择少量的具有代表性的字线，基于具有代表性的字线的数据读电压确定全局字线的数据读电压的效果，简化了数据读电压的确定方式，减少了数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低了对存储设备性能的影响。
数据电压确定方法参数装置设备

[发明专利]闪存纠错方法及装置-CN201910351203.8有效
发明人：彭攀来;霍文捷;秦义 -专利权人：武汉海康存储技术有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种闪存纠错方法及装置，属于固态存储技术领域。本申请实施例提供的一种闪存纠错方法，接收读请求，读请求携带闪存存储器的第一位置的位置标识，用于读取第一位置上存储的数据，当接收到闪存存储器返回的错误指示时，将读请求的多个出错信息添加到多个第一纠错链表中，根据多个第一纠错链表中的出错信息，并行进行纠错。该方法通过将多个出错信息添加到多个第一纠错链表中，对多个第一纠错链表中的出错信息并行纠错，缩短了纠错的时间，提高了纠错效率。
闪存纠错方法装置

[发明专利]闪存纠错方法及装置-CN201910351232.4有效
发明人：彭攀来;霍文捷;秦义 -专利权人：武汉海康存储技术有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种闪存纠错方法及装置，属于固态存储技术领域。本申请实施例提供的一种闪存纠错方法，接收读请求，读请求携带闪存存储器的第一位置的位置标识，用于读取第一位置上存储的数据，当接收到闪存存储器返回的错误指示时，确定当前出错信息的错误类型，根据错误类型和多个纠错方法，确定纠错方法序列，纠错方法序列包括至少一个纠错方法，通过纠错方法序列，对当前出错信息进行纠错。该方法根据错误类型确定与该错误类型对应的纠错方法序列，不同错误类型的出错信息通过不同的纠错方法序列进行纠错，从而对出错信息进行有针对性的纠错，缩短了纠错的时间，提高了纠错效率。
闪存纠错方法装置

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