专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种横向绝缘栅双极型晶体管-CN201710328740.1有效
  • 张金平;陈钱;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 - 电子科技大学
  • 2017-05-11 - 2019-08-02 - H01L29/739
  • 本发明属于半导体功率器件技术领域,具体的说是涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管。本发明结构通过在器件漂移区表面形成多晶二极管并在集电极附近集成PMOS和齐纳二极管,在阻断状态下,通过器件表面多晶二极管反偏状态下漂移区耗尽提供的电荷和场板作用,在提高器件漂移区掺杂浓度的同时获得比传统结构更高的耐压;在器件关断过程中,利用集电极电压的变化以及表面多晶二极管和齐纳二极管形成的自偏置效应使集电极附近的PMOS自动开启并导通加快LIGBT内部的载流子抽取,从而提高器件的关断速度,在导通状态下,使集电极附近的PMOS处于关断状态,电子电流通路被截断。因此具有更高的击穿电压;同时在关断过程中,具有更快的关断速度和更低的关断损耗。
  • 一种横向绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]一种横向绝缘栅双极型晶体管-CN201710328737.X有效
  • 张金平;陈钱;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 - 电子科技大学
  • 2017-05-11 - 2019-08-02 - H01L29/739
  • 本发明属于半导体功率器件技术领域,具体的说是涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在传统横向绝缘栅双极型晶体管的基础上,在器件表面沿沟道长度方向刻蚀沟槽形成三维结构,形成具有三维结构的横向绝缘栅双极型晶体管;同时在器件三维漂移区表面形成多晶二极管并在集电极附近集成三维PMOS和齐纳二极管。本发明结构具有比传统LIGBT更低的正向导通压降并在导通过程中不存在负阻现象,同时具有更高的器件击穿电压,更快的关断速度和更低的关断损耗。
  • 一种横向绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]一种无挡片红外热像仪的非均匀性校正方法-CN201510062027.8有效
  • 隋修宝;陶远荣;陈钱;顾国华;刘源;高航;匡小冬;潘科辰;沈雪薇;孙毅诚 - 南京理工大学
  • 2015-02-05 - 2019-07-12 - G01J5/52
  • 本发明公开了一种无挡片红外热像仪的非均匀性校正方法,首先根据基底温度范围将基底温度分为M个区间,每个温度区间拍摄不同温度黑体,同时将探测器原始输出也分为N个区间,标定出M×N帧图像,存储起来;然后,探测器工作时根据基底温度将标定的此基底温度上下的各M帧图像读出;接下来,根据每个像素点的响应值确定对应于基底温度上下两个温度曲线的对应值,再结合基底温度加权计算出最终输出值。本发明在标定时将基底温度的分区间,成功剔除挡片,还考虑了探测器输出非线性带来的非均匀性,将探测器原始输出也进行分区间,这样在标定完所有图像后不需进行第二次标定,一劳永逸,同时也解决了红外探测器非线性响应带来的非均匀性影响。
  • 一种无挡片红外热像仪均匀校正方法

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