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[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202010751722.6有效
发明人：窦晓宇;关彦涛;陈月涛;赵晶晶;冯士振;刘明星 -专利权人：维信诺科技股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10K59/50 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种显示面板及显示装置。本申请实施例提供的显示面板：具有中心显示区域和边缘显示区域，显示面板包括：阵列基板；发光器件层，设置于阵列基板，发光器件层具有出光面，出光面背向阵列基板；封装层，设置于发光器件层远离阵列基板的一侧，封装层的折射率由中心显示区域至边缘显示区域方向呈递减分布。本申请实施例提供的显示面板降低显示面板发出的光在封装层中发生全反射的几率，避免了封装层中光线的横向传播造成的显示面板侧面漏光问题，进一步避免具有该显示面板的显示装置的侧面漏光问题。
一种显示面板显示装置

[发明专利]一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法-CN202210394970.9在审
发明人：闫贺亮;邵俊永;王战;杨森;陈月涛;董峰;刘建双;栗云慧;窦文海;乔帅;付林泊;杨双;高鹏 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B24D5/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380~440μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。
一种超薄 ic 专用划片及其制作方法

[发明专利]一种划片刀抗弯强度测试装置及使用方法-CN202210574198.9在审
发明人：乔帅;王战;刘建双;董峰;栗云慧;窦文海;陈月涛;付林泊;杨森;杨双;高鹏 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01N3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种划片刀抗弯强度测试装置，包括用于夹紧划片刀的夹紧机构和驱动夹紧机构转动的旋转驱动机构；还包括用于装载测针的进给机构和装载有显微镜的三轴微调平台；进给机构与夹紧机构移动配合以使测针接触划片刀；三轴微调平台与夹紧机构配合以使显微镜对准测针与划片刀的接触点。本发明通过气动夹头夹持划片刀，使用高精度微调平台调整显微镜的聚焦点，便于清晰观察测量；通过直线模组驱动测力件水平移动，通过测针接触划片刀的刀刃，通过控制器输出位移‑力曲线，通过控制移动的位移，显微镜的倍率、气动夹头的回转，调整测针和划片刀接触的位置，测试刀片局部抗弯强度，且能够达到高重复性、无损测试。
一种划片抗弯强度测试装置使用方法

[发明专利]一种表面无凸起的电镀超薄切割砂轮的制作方法-CN202210202342.6在审
发明人：董峰;邵俊永;王战;闫贺亮;乔帅;栗云慧;刘建双;窦文海;杨双;陈月涛;高鹏 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C25D5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面无凸起的电镀超薄切割砂轮的制作方法：将精加工过的铝合金轮毂基体组装模具后进行电镀预处理，包括：除油清洗‑水洗‑氧化层去皮‑水洗‑酸洗除灰‑水洗‑无氰浸锌溶液一次浸锌‑水洗‑退锌‑水洗‑无氰浸锌溶液二次浸锌‑水洗；将电镀预处理过的铝合金轮毂基体浸入含有金刚石微粒的电镀溶液中使基体外圆3‑4mm处沉积镍基‑金刚石复合镀层；去除表面的镍基金属凸起和浮沙修整镀层外圆，将复合镀层靠近刀片的铝合金基体边缘浸入氢氧化钠溶液中腐蚀掉，使复合镀层暴露出300‑700um长度，形成刀刃。该方法使刀片在切割过程避免晶圆正面崩裂的应用失效，同时电镀预处理工艺使用无氰溶液，降低了废液处理成本。
一种表面凸起电镀超薄切割砂轮制作方法

[发明专利]一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法-CN202110359262.7有效
发明人：闫贺亮;邵俊永;王战;乔帅;董峰;窦文海;陈月涛;高鹏 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法，刀刃靠近盘状基体段的厚度大于远离盘状基体段的厚度，消除电镀过程中尖端效应导致的刀刃根部过于薄弱的缺点，可以将刀刃长度做的更长，进而可以提高划片刀划切半导体晶圆的使用寿命；从原理上实现刀刃厚度一致，可以直接提高划片刀的极限转速和进刀速度，进而可以提高加工效率；刀片反复参与切割，刀刃根部疲劳断裂容易导致的过早断刀，而刀刃根部的强化可以延迟断刀的发生，刀刃根部的强化，可以减少切割过程中的刀刃摆动，减少切割过程中的正崩、背崩以及侧裂。
一种半导体阶梯切割强度划片制作方法

[发明专利]一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法-CN202110369700.8有效
发明人：张迪;邵俊永;王战;韩雪;闫贺亮;陈月涛 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法，首次提出划片刀用环形修刀板，将SiC晶圆与环形修刀板一起粘贴在胶膜后吸附在陶瓷工作盘上再依次进行切割，实现了SiC晶圆划片刀切割过程中的在线修整功能，每次划切时均先经过环形修刀板进行修刀，随后对SiC晶圆进行划切，最后再次经过环形修刀板进行修刀，保证了刀刃表面金刚石磨料的出露，解决了划片刀失去切割能力导致突然断刀的问题，不仅节省了单独修刀的时间，还减少了SiC晶圆切割过程中发生断刀的概率。
一种碳化硅切割划片结构及其在线修整方法

[发明专利]一种像素排列结构及显示面板-CN201911244851.X有效
发明人：窦晓宇;陈月涛;戴伟杰;赵晶晶;刘明星 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种像素排列结构及显示面板。本发明实施例提供的像素排列结构包括多个子像素单元，每一子像素单元包括中央子像素和围绕所述中央子像素的多个外围子像素，中央子像素和外围子像素的发光颜色相同，子像素单元包括多个顶角，每一顶角对应设置一外围子像素。本发明实施例提供的技术方案通过在子像素单元的每一顶角对应设置一外围子像素，在某一方向上显示线条时，子像素单元的每一顶角对应设置一外围子像素与中央子像素单独控制，改善显示面板的显示锯齿状不良的问题。
一种像素排列结构显示面板

[发明专利]一种超薄晶圆的划切方法-CN202110369726.2在审
发明人：张迪;邵俊永;王战;闫贺亮;陈月涛 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：一种超薄晶圆的划切方法，利用跳步划切的方式，首先将晶圆划切为较大芯片颗粒，将晶圆内应力进行释放，然后再将较大芯片颗粒划切为更小颗粒，直至划切为目标尺寸，该方法适用于30～200μm厚度晶圆的划切，完美解决了超薄晶圆容易发生裂片、崩边的问题，降低划切过程中飞晶发生概率，降低超薄晶圆划切正面、背面崩边不良率，提高超薄晶圆划切效率。
一种超薄方法

[发明专利]显示装置-CN201911000579.0在审
发明人：刘明星;赵栋;陈月涛;甘帅燕;李伟丽;冯士振 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示装置，其中，显示装置包括显示面板和覆盖显示面板的盖板；显示面板开设有贯穿其厚度方向的通孔，显示面板还包括显示区和边框区，显示区包围边框区，边框区包围通孔；盖板包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域覆盖显示区，第二区域覆盖边框区，第三区域覆盖通孔，其中，第二区域靠近显示面板的表面设置有遮光部。上述显示装置将盖板划分为第一区域、第二区域和第三区域，且在盖板的第二区域靠近显示面板的表面上设置遮光部，也即遮光部围绕通孔一圈设置，利用遮光部改变光线的传输路径或吸收显示区发出的光线，防止或减少光线从通孔射出，可以提高摄像模组的感光效果，也可提高显示装置的显示效果。
显示面板第二区域通孔显示装置盖板边框区显示区遮光部第一区域覆盖包围表面设置传输路径感光效果区域覆盖摄像模组显示效果射出贯穿吸收

[实用新型]一种用于电沉积的阳极组件-CN201820520981.6有效
发明人：陈伟;明平美;陈月涛;闫亮;杨文娟;秦歌;王伟;张峻中;申继文;赵小康;蔡锦涛 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电沉积的阳极组件，包括阳极；还包括封闭环形管、调节阀和氮气源。封闭环形管固定于阳极四周；封闭环形管与氮气源连通连接；调节阀设置于封闭环形管与氮气源之间；封闭环形管设有进气孔和阵列出气孔。在电铸过程中，封闭环形管和阳极浸于电解液之中，调节阀和氮气源置于电解液之外。当需要向电解液中阳极区域充入氮气时，接通氮气源，并调节调节阀，使氮气通过进气孔充入到封闭环形管中，并从阵列出气孔被排出，由此排除或隔离电解液中阳极区域产生的氧气或氯气等副反应产物，加快传质，减弱阳极极化程度，从而抑制阳极区域亚铁离子的氧化；反之，关闭氮气源即可。本实用新型为非添加剂方式，一举多得。
封闭环形氮气源电解液阳极阳极区域氮气本实用新型阳极组件出气孔电沉积进气孔副反应产物电铸过程亚铁离子阳极极化氯气传质排出添加剂连通氧气接通隔离

[实用新型]一种用于电沉积的阴极旋转挂具-CN201721644516.5有效
发明人：明平美;陈伟;闫亮;陈月涛;郑兴帅;杨文娟;秦歌;王伟;申继文;赵小康 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电沉积的阴极旋转挂具，包括阴极基底、可伸缩引线、挂杆和挂杆横梁；还包括旋转支撑板、锁紧螺栓和蝶形螺母。旋转支撑板设有圆弧滑槽和螺栓取放槽；阴极基底通过放于圆弧滑槽中的锁紧螺栓和与锁紧螺栓相配合的蝶形螺母固定在旋转支撑板上。此挂具悬挂并固定于阴极移动横梁上，挂具上的旋转支撑板和固定在旋转支撑板上的阴极基底均浸于电铸溶液中。当需要旋转阴极基底时，先把挂具整体提升一定高度并固定在阴极移动横梁上，然后将压紧在短挂耳和长挂耳上的蝶形螺母旋松，其次将阴极基底旋转至某一所需的小于180°的角并再次旋紧蝶形螺母，最后重新把挂具下降到最初位置并固定于阴极移动横梁上。此挂具实用性强，操作简单。
阴极挂具旋转支撑板蝶形螺母基底锁紧螺栓阴极移动横梁圆弧滑槽电沉积挂耳本实用新型可伸缩引线电铸溶液挂杆横梁基底旋转旋转阴极整体提升最初位置螺栓取放槽挂杆旋紧旋松压紧悬挂配合

[发明专利]一种可旋转阴极的电铸挂具-CN201711245279.X在审
发明人：明平美;陈伟;闫亮;陈月涛;郑兴帅;杨文娟;秦歌;王伟;申继文;赵小康 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可旋转阴极的电铸挂具，包括阴极基底、可伸缩引线、挂杆和挂杆横梁；还包括旋转支撑板、锁紧螺栓和蝶形螺母。旋转支撑板设有圆弧滑槽和螺栓取放槽；阴极基底通过放于圆弧滑槽中的锁紧螺栓和与锁紧螺栓相配合的蝶形螺母固定在旋转支撑板上。此挂具悬挂并固定于阴极移动横梁上，挂具上的旋转支撑板和固定在旋转支撑板上的阴极基底均浸于电铸溶液之中。当需要旋转阴极基底时，先把挂具整体提升一定高度并固定在阴极移动横梁上，然后将压紧在短挂耳和长挂耳上的蝶形螺母旋松，其次将阴极基底旋转至某一所需的小于180°的角并再次旋紧蝶形螺母，最后重新把挂具下降到最初位置并固定于阴极移动横梁上。此挂具实用性强，操作简单。
一种旋转阴极电铸

[发明专利]一种多功能霍尔槽系统-CN201610310479.8有效
发明人：刘伟;陈月涛;明平美;李欣潮;赵云龙;张艳华;赵晨昊;杨文娟 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能霍尔槽系统，该系统包括调节槽、霍尔槽和电沉积槽。所述的电沉积槽设有阴极装夹单元，所述的阴极装夹单元包括设有直槽的装夹杆、定位板、固定件，所述的直槽的轴线平行于阴极壁，所述的调节槽、霍尔槽和电沉积槽共用一个底板，所述的霍尔槽与电沉积槽共用阴极壁，所述的霍尔槽与调节槽共用短侧壁，所述的电沉积槽与调节槽共用侧壁，所述的霍尔槽和电沉积槽的底板上分别设有一排进液孔，所述的调节槽的底板上设有出液孔，所述的霍尔槽的短侧壁和电沉积槽的侧壁均设有溢流口。该系统功能更加完善，除具有现有常规霍尔槽所有功能外，而且还能在接近生产的工艺条件下评测电沉积层的内应力、硬度、厚度等指标的分布特性，且结构简单、成本低廉。
一种多功能霍尔系统

[发明专利]一种电化学加工三维金属微结构的系统与方法-CN201610170808.3有效
发明人：张新民;李欣潮;明平美;张晓东;秦歌;陈月涛;赵云龙;张艳华;赵晨昊 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：本发明专利公开一种电化学加工三维金属微结构的系统与方法，属于微细特种加工领域。该系统包括电沉积子系统、电解子系统和导电基底。电沉积子系统包括喷头和电沉积电源。电解子系统包括阴极（横梁阴极、左侧阴极和右侧阴极）和电解加工电源。电沉积电源负极和电解加工电源正极都连接于导电基底，电沉积电源正极与喷头连接，电解加工电源负极与阴极连接。基于该系统，先通过射流电沉积加工在基底上沉积出一层金属，再用阴极对已沉积金属表面进行电化学溶解加工，以去除其表面积瘤、毛刺等缺陷，接着再沉积金属，然后对新金属层电解加工……如此交替进行，直到达到加工要求。本发明结构简单，操作容易，成本低，能较好地解决射流沉积层存在的问题。
一种电化学加工三维金属微结构系统方法

[发明专利]一种用于电沉积的搅拌机构-CN201610170805.X有效
发明人：陈东海;张艳华;明平美;陈丹佛;赵云龙;李欣潮;陈月涛;赵晨昊;秦歌 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C25D21/10 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种用于电沉积的搅拌机构，包括电沉积槽、阴极、阴极移动机构和搅拌机构；所述的搅拌机构包括近阴极搅拌桨、远阴极搅拌桨、近阴极悬挂梁、远阴极悬挂梁和限位座。搅拌机构工作时，水平往复移动梁带动与近阴极悬挂梁和远阴极悬挂梁分别联接的近阴极搅拌桨和远阴极搅拌桨作同步水平往复移动，通过机构中的近阴极搅拌桨和远阴极搅拌桨的双重作用，能使阴极面附近和整个沉积槽中的电解液获得高强度均匀的搅拌效果。此装置极大地改善了沉积层厚度分布均匀性，且结构简单、成本低廉。
一种用于沉积搅拌机构

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