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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]记忆体装置-CN202321244651.6有效
发明人：谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一种记忆体装置，包括具有设置于两个电极之间的铁电薄膜的第一电容器，及具有设置于两个电极之间的另一介电薄膜的第二电容器。在第一电容器上施加第一电压，使得铁电薄膜极化，从而改变经由装置的有效电阻。在第一电容器上施加第二电压，使得泄漏电流通过铁电薄膜，并沿第二电容器的电极、及晶体管的栅极累积，从而影响对晶体管的漏极至源极电阻的改变，其可经量测以判定铁电薄膜的极化状态。
记忆体装置

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202310602434.8在审
发明人：陈逸轩;陈坤意;王怡情;丁裕伟;涂国基;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：根据本发明的实施例形成存储器器件的方法包括：在第一晶圆的第一衬底中形成沟槽；在沟槽中沉积数据存储元件；对第一晶圆实施热处理以改进数据存储元件中的结晶；在第一衬底上方形成第一再分布层；在第二晶圆的第二衬底中形成晶体管；在第二衬底上方形成第二再分布层；以及在实施热处理之后将第一晶圆与第二晶圆接合。数据存储元件通过第一再分布层和第二再分布层电耦合至晶体管。本申请的实施例还涉及存储器器件。
存储器器件及其形成方法

[发明专利]形成存储器器件的方法-CN202310131134.6在审
发明人：陈逸轩;陈坤意;王怡情;黄国钦;庄学理;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种形成存储器器件的方法。根据本公开的方法包括在第一晶圆中形成多个晶体管并在第二晶圆中形成存储器阵列。第一晶圆的第一表面包括电耦接到晶体管的第一多个接合焊盘。存储器阵列包括多个铁电隧道结(FTJ)堆叠件。第二晶圆的第二表面包括电耦接到FTJ堆叠件的第二多个接合焊盘。该方法还包括对第二晶圆中的FTJ堆叠件执行热处理，并且在执行热处理之后，将第一晶圆的第一表面与第二晶圆的第二表面接合。晶体管通过第一多个接合焊盘和第二多个接合焊盘耦接到存储器阵列。
形成存储器器件方法

[实用新型]半导体装置-CN202320285383.6有效
发明人：谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：半导体装置包括底部电极、绝缘体层、半导体层、介电层、铁电层以及顶部电极。底部电极设置于基板上。绝缘体层设置于底部电极上，且具有不同厚度的多个区段。半导体层设置于绝缘体层上。介电层设置于半导体层上。铁电层设置于介电层上。顶部电极设置于铁电层上。
半导体装置

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