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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有错误纠正功能的内存和相关内存系统-CN201811550056.9在审
发明人： 陈和颖;张丁峰;陈俊嘉 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有错误纠正功能的内存和相关内存系统。所述内存包括一控制器和一储存单元阵列。所述控制器选择性地写入一写入数据至所述储存单元阵列中的一一般储存区和一备份区，以及当所述控制器从所述一般储存区读出所述一般储存区对应所述写入数据的一第一数据时，如果所述第一数据出现至少二个错误，则所述控制器读取所述备份区以输出所述备份区中对应所述写入数据的一第二数据。因此，相较于现有技术，本发明可对所述一般储存区所储存的数据上的多个错误进行纠正。
储存区写入数据控制器备份区内存储存单元阵列错误纠正功能第一数据内存系统读取控制器选择读出写入储存输出纠正

[发明专利]输出存储电路在自刷新模式的信息的电路及其相关方法-CN201710796491.9在审
发明人：夏浚;陈和颖;张正男 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了一种输出存储电路在自刷新模式的信息的电路及其相关方法。所述电路包含驱动器。所述驱动器耦接于所述存储电路内的自刷新控制电路和自刷新地址计数器，用于当自刷新模式信号和测试模式信号启用且所述存储电路进入所述自刷新模式时，驱动所述存储电路内的多个衬垫输出对应所述自刷新模式信号的多个内部信号的信息，以及输出所述存储电路内对应所述多个内部信号的多条字线的地址的信息，其中所述多条字线的每一字线对应所述多个内部信号的一内部信号。因此，相较于现有技术，测试者将较容易根据所述多个内部信号的信息和所述多条字线的地址的信息，排除所述存储电路的故障。
输出存储电路刷新模式信息及其相关方法

[发明专利]伪静态随机存取记忆体的运作方法及相关记忆装置-CN201210366232.X有效
发明人： 陈和颖;刘士晖 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种伪静态随机存取记忆体的运作方法及相关记忆装置，该方法包括：在收到一外部指令信号时，依据一伪静态随机存取记忆体的一目前状态来设定其延迟时间。若伪静态随机存取记忆体并未在执行一特定运作，或已经完成特定运作且符合相对应时序参数，以一第一延迟时间来执行外部指令信号。若伪静态随机存取记忆体正在执行特定运作，或已经完成特定运作但尚未符合时序参数，以一第二延迟时间来执行该外部指令信号，其中第二延迟时间大于第一延迟时间。
静态随机存取记忆体运作方法相关记忆装置

[发明专利]可双向追踪时序参数的记忆装置-CN201210366277.7有效
发明人： 陈和颖;张宏任;夏濬 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种可双向追踪时序参数的记忆装置，记忆装置包含一动态随机存取记忆体、一第一双向追踪电路和一第二双向追踪电路。动态随机存取记忆体包含一记忆单元、一字符线，和一位元线。第一双向追踪电路用来追踪一第一时序参数，其中该第一时序参数相关于开启字符线或关闭字符线的动作。第二双向追踪电路用来追踪一第二时序参数，其中第二时序参数相关于开启位元线、关闭位元线，或通过位元线存取记忆单元的动作。
双向追踪时序参数记忆装置

[发明专利]增加芯片测试效率的装置及其方法-CN201110079825.3有效
发明人：刘士晖;洪森富;陈和颖 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种增加芯片测试效率的装置，包含一式样产生器、一读取单元、一逻辑运算器及一判断单元。该式样产生器用以对一存储器芯片内的每一记忆存储区块区域写入一逻辑电位；该读取单元用以读取该记忆存储区块区域内所有记忆存储单元储存的逻辑电位；该逻辑运算器用以对该记忆存储区块区域内所有记忆存储单元储存的逻辑电位执行一第一逻辑运算，以产生一对应于该记忆存储区块区域的第一逻辑运算结果，以及对多个第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，以产生一对应于该存储器芯片的第二逻辑运算结果；及该判断单元根据该第二逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。
增加芯片测试效率装置及其方法

[发明专利]一种字线缺陷的侦测装置与方法-CN201010198361.3无效
发明人：陈伟仁;陈和颖;杨连圣;吴书仁 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开一种侦测字线缺陷的方法，包含启动一第一字线以读取一预先储存于该存储单元的第一数据；以一预定时间，使该第一字线处于悬浮状态，然后写入与该第一数据互补的一第二数据至该存储单元；再度启动该第一字线，以从该存储单元读取一第三数据，以及比较该第二数据与该第三数据以判断该第一字线与一第二字线之间是否存在一电性连接路径。
一种缺陷侦测装置方法

[发明专利]转换装置-CN201010112438.0无效
发明人：夏浚;施正宗;陈和颖 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种转换装置，其具有一第一输入端、一第二输入端与一输出端，该转换装置包含有一第一电路与一第二电路。该第一电路是耦接第一输入端与输出端，用以依据第一输入端接收的一第一输入讯号来决定是否对该输出端充电，以产生一输出讯号。而第二电路是耦接该第二输入端与该输出端，用以依据第二输入端接收的一第二输入讯号，决定是否对该输出端放电，以产生该输出讯号。可仅通过差动讯号之上升缘或下降缘，来控制单端输出讯号，进而达成改善讯号品质的功效。
转换装置

[发明专利]一种对于临界电压变异有免疫效果的电流源及其产生方法-CN200910212160.1有效
发明人：夏濬;杨皓然;陈和颖;赖国贞 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本发明涉及一种对于临界电压变异有免疫效果的电流源，其提升该电流源中金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极间的电压差或增加该金属氧化物半导体晶体管的通道长度以使所产生的参考电流源能够固定。本发明亦公开一种对于临界电压变异有免疫效果的电流产生方法。
一种对于临界电压变异免疫效果电流及其产生方法

[发明专利]修补缺陷存储晶胞的存储模块及其修补方法-CN200810172056.X有效
发明人：夏浚;丁子仁;陈和颖 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明是有关于一种修补缺陷存储晶胞的存储模块及其修补方法，其主要结构包括有一编程接口、一模式暂存器、一控制信号产生器、一熔丝单元、一主存储阵列及一冗余存储阵列，其中编程接口包括有复数个接脚，并由存储模块的一标准接口中所选定而成，编程接口用于输入复数个编程指令及编程数据，当缺陷存储晶胞出现于主存储阵列时，模式暂存器将根据编程指令而进入一编程模式，并依此编程熔丝单元，如此冗余存储阵列的冗余存储晶胞将可用于取代缺陷存储晶胞，藉此，熔丝单元可通过标准接口直接进行编程程序，以有效的减少修补时间及降低成本。
修补缺陷存储晶胞模块及其方法

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