专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]即时通讯工具中搜索联系人的方法及即时通讯客户端-CN201010197592.2有效
  • 谢伟文;陈俊标;张强 - 腾讯科技(深圳)有限公司
  • 2010-06-04 - 2011-12-07 - G06F3/048
  • 一种即时通讯工具中搜索联系人的方法,包括以下步骤:A.将分组的联系人及未分组的联系人展现在主面板上;B.获取输入的关键字,并按照所有联系人在主面板上当前展现的状态保存;C.根据所述关键字进行搜索,获取相应的候选联系人;D.将所有联系人与候选联系人进行比较,在主面板上隐藏未在候选联系人中的联系人,展现在候选联系人中的联系人。此外,还提供一种即时通讯客户端。上述即时通讯工具中搜索联系人的方法及即时通讯客户端,根据关键字搜索到候选联系人,在主面板上隐藏未在候选联系人中的联系人,展现在候选联系人中的联系人,从而很直观的显示候选联系人的分组信息及详细状态信息,且可进行会话及其他多种操作。
  • 即时通讯工具搜索联系人方法客户端
  • [发明专利]集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法-CN201010502011.1有效
  • 钱梦亮;陈俊标;李泽宏 - 江苏东光微电子股份有限公司
  • 2010-09-24 - 2011-03-02 - H01L27/02
  • 本发明是对集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT改进,其特征是ESD保护单元的多晶二极管组中各P型区浓度与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度相同,各N型区浓度与功率MOSFET或IGBT的N+源相同;多晶二极管组在栅极压焊区与元胞区间半环绕栅极压焊区设置,如果为栅插指结构,将半环绕的多晶二极管组中间由栅极插指结构隔开,形成不连通的左右L型,其中多晶二极管的各P型区和各N型区,分别由功率MOSFET或IGBT的P阱和N+源注入和扩散形成。所得ESD保护的功率MOSFET或IGBT,栅极与源极间漏电小,制备时栅、源极间击穿电压可调,ESD泄放能力高、可靠性好,制造简单。
  • 集成esd保护功率mosfetigbt制备方法
  • [实用新型]台面型固体放电管管芯-CN200720034792.X无效
  • 陈俊标;许志峰;陈夕宁 - 江苏东光微电子股份有限公司
  • 2007-02-15 - 2008-02-06 - H01L29/73
  • 实用新型是关于对台面型固体放电管管芯的改进,其特征是管芯二表面的基区和衬底区PN结交界面(4)开有纵向槽,槽内填充钝化玻璃粉,经熔结定型形成电子钝化玻璃体。玻璃体中的硼离子、磷离子形成了带负电的离子团,对正电荷粘污的固定作用,以及玻璃体钝化层厚度较平面工艺二氧化硅层厚数千倍,较二氧化硅层具有更高的强度,使得钝化保护效果大大提高,较现有技术大大提高了PN结的击穿电压和高温性能,可以承受1600V以上电压,以及在高温(例如80℃及以上)环境下工作,性能稳定,长期使用性能不下降,高温稳定性好。
  • 台面固体放电管芯
  • [实用新型]荧光灯用电子启辉器-CN200720034793.4无效
  • 陈俊标;许志峰;陈夕宁 - 江苏东光微电子股份有限公司
  • 2007-02-15 - 2008-01-16 - H05B41/02
  • 本实用新型涉及一种点亮荧光灯的电子启辉器,其特征是由一个二极管与一个电容并联再与一个固体放电管串接组成。较现有技术具有:所需电子原器件少,仅需三个元器件,而且为通用器件,价格低,组成电路简单,占用空间小,可以直接焊在灯具电路中,而不需另行设置启辉器座。启辉迅速、性能好,可以瞬间点亮,在220V电压下起辉时间小于1.2秒,启辉时间短,对灯管损伤小,可延长灯管寿命3倍以上;所用元器件少,也使得组成电路可靠性好,启辉器电路寿命长,启辉次数可在10万次以上。
  • 荧光灯用电启辉器
  • [实用新型]改良的半导体抗浪涌器件-CN03278785.5无效
  • 陈俊标;王权 - 江苏东光微电子股份有限公司
  • 2003-09-24 - 2004-11-17 - H01L23/62
  • 本实用新型是对过电压保护用半导体抗浪涌器件的改进,其特征在于所说半导体固体芯片有二片,相间熔焊在同一电极片表面,两芯片另一极及电极片分别与三外电极电连接,芯片保护封装在电极片或散热片上。本实用新型不仅可使原来二个半导体芯片单独二次封装,简化为一次封装,而且减少了使用中组装连接零件,简化了组装工艺,尤其是彻底消除了分立元件弹簧夹持组装结构带来的缺陷。本实用新型较已有技术具有结构简单,生产成本低,整体电性能更稳定,安全性好,同时可简化保安单元。
  • 改良半导体浪涌器件
  • [实用新型]一种改进的抗浪涌保护器件-CN03278784.7无效
  • 陈俊标;王权 - 江苏东光微电子股份有限公司
  • 2003-09-24 - 2004-10-06 - H02H9/04
  • 本实用新型涉及一种过电压保护用半导体抗浪涌器件,尤其是能适应高频、宽带通讯的半导体抗浪涌器件,其特征是固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。实用新型半导体抗浪涌器件,不仅较已有技术可以显著降低极间电容,使之适应高频、宽带通讯要求,也可以用于低频通讯,扩大了半导体抗浪涌器件使用范围,而且放电芯片原有抗浪涌电性能基本得到保持不变,有效避免了因降低极间电容,而导致电性能的下降,使保护功能减弱的缺陷。
  • 一种改进浪涌保护器

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