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[发明专利]石墨烯纸-金属复合材料的制备方法-CN201911109000.4有效
发明人：王海静;郭靖;王鹏程;李昕键;孟才;陈中子;朱东辉;郭汉杰 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;北京科技大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C25D5/54 文献下载
摘要：本申请公开一种石墨烯纸‑金属复合材料的制备方法，将石墨烯纸紧密贴附于阴极上，将阴极和阳极均浸入电解液中，阳极接电源正极，阴极接电源负极。阳极采用金属，开启电源通电时阳极的金属将会发生电解生成金属离子进入电解液中，在阴极的石墨烯纸上会生成金属镀层，实现石墨烯纸和金属的复合，制备过程较为简单，耗时短，耗能少，易控制镀层厚度，能够实现工业化。
石墨金属复合材料制备方法

[发明专利]一种射频功率放大器及射频前端模块-CN201610736864.9有效
发明人：陈高鹏;陈俊;陈中子 -专利权人：宜确半导体（苏州）有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频功率放大器及射频前端模块，其中，射频功率放大器由至少一个基于CMOS工艺或SOI工艺的第一晶体管和至少一个基于GaAs pHEMT工艺或GaN工艺或LDMOS工艺的第二晶体管构成。这种将第一晶体管和第二晶体管搭配构成射频功率放大器既满足了射频功率放大器对于作为其输出级的晶体管的高击穿电压的要求，又兼具了CMOS工艺的制作快、价格低和工艺成熟的优点，实现了降低射频功率放大器的成本和制作周期的目的。进一步的，第二晶体管设置于衬底的凹槽中，通过第一晶体管的再布线层实现与第一晶体管的连接，从而降低了射频功率放大器所占用的衬底的面积，进一步降低了射频功率放大器的成本。
一种射频功率放大器前端模块

[发明专利]用于高HBM ESD保护能力的横向二极管和垂直SCR混合结构-CN201580001641.1有效
发明人：蔡小五;严北平;陈中子 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电(ESD)保护结构，一个集成的横向p‑n二极管位于垂直可控硅整流器(SCR)中心并被其围住。横向p‑n二极管有一个交叉形状的二极管P+二极管抽头，在交叉的四个角里有四个矩形的N+二极管区。在P+二极管抽头下方的P‑阱也是垂直PNPN SCR的一个阳极，垂直PNPN SCR在P‑衬底上有一个深N‑阱。该深N‑阱围住横向二极管。触发MOS晶体管就形成在该交叉形P+二极管抽头的四个指端之外。每个触发MOS晶体管有N+区域在深N‑阱的边缘，触发MOS晶体管有N+区域在P‑衬底上，其充当阴极。在深N‑阱的边缘上、在N+区域下方的深P+注入区域会减少垂直SCR的触发电压。
用于 hbm esd 保护能力横向二极管垂直 scr 混合结构

[发明专利]具有简化AND和重建ADD逻辑阵列的直接数字频率合成器-CN201310226152.9有效
发明人： 陈中子;严北平;霍晓;蔡小五 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H03L7/24 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于直接数字频率合成器（DDS）的正弦波发生器，其将数字相位输入转换成数字正弦波输出。只读存储器（ROM）存储第一象限中较高粗值相位所对应的正弦值和斜率。其它三个象限的幅值通过象限折叠和分相器将第一象限的值镜像或者反转得到。只读存储器（ROM）所存储的每个正弦值和斜率对应一定范围内的较低相位比特。Delta值有条件地反转较低相位比特、正弦值、和最终极性。简化的AND逻辑阵列将斜率和有条件地反转的较低相位比特相乘。然后重建ADD逻辑阵列再将有条件地反转的正弦值加上。再添加上有条件地反转的极性，就得到最终正弦值。基于Delta值的有条件的反转，极大的精简以及优化了正弦产生逻辑。
具有简化 and 重建 add 逻辑阵列直接数字频率合成器

[发明专利]具有输出阻抗补偿辅助差分晶体管的数模转换器电流单元-CN201310048122.3有效
发明人：霍晓;严北平;陈中子;蔡小五 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：本发明披露的具有均衡阻抗辅助结构的电流单元可以布局在数模转换器（DAC）或其他转换器或应用中。具有均衡阻抗辅助结构的电流单元包括并联的主差分晶体管和辅助差分晶体管，辅助差分晶体管的栅极驱动与主差分晶体管的栅极驱动是相反的。来自辅助差分晶体管的辅助电流要比主差分晶体管切换的主电流小很多。单元的电流不会关断为零，而是变为辅助电流。电流单元的开状态阻抗和闭状态阻抗可以通过电路设计而设计成相互匹配，所以不管数字输入值是多少，阻抗都是相同的。可以调整辅助差分晶体管的宽度和长度，使得电流单元在开和闭状态时的总输出阻抗是匹配的。因为输出阻抗与输入码无关，所以高速性能得到提高。
具有输出阻抗补偿辅助晶体管数模转换器电流单元

[发明专利]一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法-CN201110030283.0有效
发明人：汪宁;陈中子;陈晓娟;刘新宇;罗卫军;庞磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。
一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件制作方法

[发明专利]砷化镓衬底改进的快速减薄方法-CN201010577694.7有效
发明人：汪宁;陈中子;陈晓娟;刘新宇;罗卫军;庞磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附，同时采用真空加压方法进行固定，再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真，采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄，再配合使用混合氧化铝研磨浆液，达到小于60µm的厚度。在研磨结束以后，使用纳米抛光溶液进行CMP（化学机械抛光）工艺，达到衬底厚度小于50µm，公差小于±1µm，粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂，不卷曲，无划伤等效果。
砷化镓衬底改进快速方法

[发明专利]一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法-CN201010561133.8有效
发明人：庞磊;陈晓娟;陈中子;罗卫军;袁婷婷;蒲颜;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。
一种适用于氮化微波单片集成电路金属制备方法

[发明专利]应用于微带-波导转换的阶梯型脊波导结构-CN200810222333.3无效
发明人：陈晓娟;刘新宇;阎跃鹏;陈中子;袁婷婷;陈高鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01P3/123 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于微带-波导转换的阶梯型脊波导结构，该阶梯型脊波导结构包括：一阶梯型脊波导转换部分，该阶梯型脊波导转换部分制作于波导腔内且与波导腔内壁成为一体；一微带线，从一端延伸入波导腔，连接于阶梯型脊波导转换部分；一波导，与波导腔的另一端连接。该阶梯型脊波导结构用于实现信号在波导和微带两种结构中的转换，信号从一端的微带线或波导结构输入，经过阶梯型脊波导转换部分的转换，由另一端输出。本发明提供的这种应用于微带-波导转换的阶梯型脊波导结构，可以有效的完成微带线到波导的转换，损耗低、驻波好、加工简单且装配方便。
应用于微带波导转换阶梯结构

[发明专利]一种针对波导-探针-波导形式的双层腔体结构-CN200810119584.9无效
发明人：陈晓娟;刘新宇;阎跃鹏;陈中子;袁婷婷;陈高鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对波导-探针-波导形式的双层腔体结构，该结构采用精密一体化加工，包括三个部分：输入波导腔、双层波导-探针-波导转换部分和输出波导腔；其中，双层波导-探针-波导转换部分由波导-探针转换结构和探针-波导转换结构两部分构成；信号从输入波导腔输入，通过波导-探针转换结构耦合形成两路信号，实现功率3dB分配，两路信号分别经过阻抗匹配与信号放大，由探针-波导转换结构进行耦合，实现3dB功率合成，最后信号由输出波导腔输出。利用本发明，实现了波导到微带过渡的同时完成3dB功率合成，提高了合成的效率，降低了损耗，实现了宽频带特性。
一种针对波导探针形式双层结构

[发明专利]一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构-CN200810119585.3无效
发明人：陈晓娟;刘新宇;阎跃鹏;陈中子;袁婷婷;陈高鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构，该波导结构包括波导腔和波导内腔两个部分，该波导腔由两段并行的标准方波导构成，该两段并行的标准方波导通过波导内腔连接，每段标准方波导具有两个端，每端作为该波导结构的一个端口，该波导结构共具有四个端口，信号从任一端口输入，从另外三个端口输出。利用本发明，可以有效的实现功率的空间合成，而且损耗低，驻波性能好，频带宽，加工简单，具有可定制的特点。
一种适用于毫米波功率合成分配波导结构

[发明专利]对Ku波段微带型开关电路印制电路板进行背金的方法-CN200810119084.5有效
发明人：袁婷婷;陈晓娟;刘新宇;陈中子;陈高鹏;阎跃鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对Ku波段微带型开关电路印制电路板进行背金的方法，该方法是在对该Ku波段微带型开关电路中印制电路板进行背金处理时，有选择性的对印制电路板进行背金处理，隔断该印制电路板微带线接地底板背面之间的部分，抑制微波信号的耦合效应，避免电路中引入更多的寄生参数，提高微带型开关电路的隔离度性能。利用本发明，有效抑制了微波信号的耦合效应，避免了电路中引入更多的寄生参数，最终提高微带型开关电路的隔离度性能。该方法具有制作简单，可重复性好，成本低，适用范围广等特点。
ku 波段微带开关电路印制电路板进行方法

[发明专利]多个子腔体的微带型微波开关-CN200710303892.2有效
发明人：袁婷婷;陈晓娟;陈中子;李滨;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01P1/10 文献下载
摘要：本发明一种多个子腔体的微带型微波开关，涉及微波开关技术，其含有的多个子单元电路的子腔体结构，提高了微波开关电路的隔离度，可用于任何基于PIN二极管的微带型微波开关电路。本发明有效提高微波开关的隔离度，解决了微带型开关应用在微波频段中难以突破隔离度性能的瓶颈，同时开关电路的插入损耗以及驻波等特性均比较好。
个子微带微波开关

[发明专利]一种微带-波导转换探针与阻抗匹配的方法-CN200810239889.3有效
发明人： 陈中子;陈晓娟;袁婷婷;刘新宇;阎跃鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01P5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种微带-波导转换探针与阻抗匹配的方法，属于电磁场和微波电路技术领域。所述方法包括：根据背靠背微带—波导转换探针结构，设计得到转换探针尺寸；在背靠背微带—波导转换探针结构的中间放置一段微带线；变换微带线的宽度进行计算机仿真，得到转换探针的输入阻抗；利用1/4波长阻抗变换线将输入阻抗匹配到50欧姆。本发明将转换探针本身尺寸的设计与阻抗计算结合起来，即在设计微带—波导转换探针的同时，完成了阻抗匹配设计，极为方便的得到了转换探针的输入阻抗，进而实现匹配电路设计；这种方法操作简单，过程简便，并且简化了匹配电路，提到了阻抗匹配的精确度。
一种微带波导转换探针阻抗匹配方法

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