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[发明专利]等离子体处理装置-CN202310352493.4在审
发明人：小林忠正;山本良明;佐佐木康次;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置包括电极凸缘、腔室、绝缘凸缘、处理室、支撑部和高频电源。在安装凸缘与电极凸缘之间，配置有用于限定安装凸缘与电极凸缘之间的相隔距离的绝缘间隔部。绝缘间隔部被埋入于绝缘凸缘中。
等离子体处理装置

[发明专利]升降销及真空处理装置-CN201880004839.9有效
发明人：山本良明;神保洋介;宮谷武尚;江藤谦次;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。
升降真空处理装置

[发明专利]电路基板、电路基板的制造方法以及电子设备-CN202280013525.1在审
发明人：酒井泰治;饭田宪司;尾崎徳一;高野宪治;中川隆;稻叶孝之;宫川哲郎;矢岛章;平野伸;青井孝大;阿部洋一;江村美绪 -专利权人： FICT株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：目的在于，提供一种电路基板，该电路基板内置有半导体元件，该电路基板为防止裂纹且广泛的温度范围内的动作的可靠性优异的结构。作为解决手段，电路基板(10A)构成为，第1绝缘基板(1)经由第1粘接层(7a)层叠于第2绝缘基板(2)，在第1绝缘基板(1)所形成的埋入部(1c)中内置有半导体元件(9)。
路基制造方法以及电子设备

[发明专利]真空室及基板处理装置-CN202010406402.7有效
发明人：江藤谦次;冈山智彦;龟崎厚治;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开真空室及基板处理装置。真空室由多个块体沿基板的运送方向配置而构造，其中块体在从运送方向观察时具有环状的开口空间，真空室能够将通过连通多个块体的开口空间而形成的内部空间的气氛切换为大气压气氛和真空气氛，该真空室包括：作为多个块体之一的第一块体；作为多个块体之一的第二块体，具有沿与运送方向交叉的方向延伸且在开口空间的内侧下表面上形成的槽，第二块体通过密封部件连接固定到第一块体；基底部件，沿着槽的延伸方向延伸且嵌合到槽中；和多个基板支撑销，具有支撑端和固定端，支撑端与基板接触，固定端位于支撑端的相反侧且固定到基底部件，多个基板支撑销在真空室的内部支撑基板。
真空处理装置

[发明专利]真空处理装置及支撑轴-CN201980006855.6有效
发明人：山本良明;神保洋介;宮谷武尚;江藤谦次;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的真空处理装置进行等离子体处理，具有：电极凸缘，在腔室内与高频电源连接；簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。
真空处理装置支撑

[发明专利]真空处理装置-CN201980087725.X在审
发明人：宫谷武尚;神保洋介;山本良明;江藤谦次;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述簇射极板被形成为具有大致矩形轮廓。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述电极框具有：安装于所述电极凸缘的框状的上板面部；纵板面部，从所述上板面部的轮廓外侧整周朝向所述簇射极板竖立设置；以及下板面部，从所述纵板面部的下端以与所述上板面部大致平行的方式朝向所述上板面部的轮廓内侧端延伸。
真空处理装置

[发明专利]真空处理装置、真空处理装置的清洁方法-CN201980087734.9在审
发明人：宫谷武尚;神保洋介;山本良明;江藤谦次;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述簇射极板通过贯穿设置在所述簇射极板的周缘部的长孔的支撑部件而被支撑到所述电极框。所述长孔被形成为所述支撑部件对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够在所述长孔内相对移动。在所述长孔中设置有与所述长孔连通并供给吹扫气体的气孔。所述气孔与由所述簇射极板、所述电极凸缘、所述电极框和所述滑动板包围的空间连通。
真空处理装置清洁方法

[发明专利]真空处理装置-CN202010933390.3在审
发明人：江藤谦次;神保洋介;山本良明;阿部洋一;宫谷武尚 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的真空处理装置具备电极框。电极框具有上板部、下板部和纵板部。上板部被安装在电极法兰上，在俯视中形成为框形状且具有上外侧区域。下板部具有与滑动板的一部分接触的接触面且与上板部平行延伸，在俯视中形成为框形状且具有下外侧区域。纵板部具有固定在上板部的上外侧区域的上固定端和固定在下板部的下外侧区域的下固定端，纵板部从下板部向上板部竖立设置，被固定在上板部与下板部之间，且厚度小于上板部和下板部的厚度。
真空处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202010284602.X在审
发明人：江藤谦次;冈山智彦;龟崎厚治;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的基板处理装置，具备：多段收纳多张基板的卡匣；能够密闭地收纳所述卡匣的腔室；使所述卡匣在所述腔室内升降的升降机构；将所述基板相对于所述卡匣搬出搬入的搬运机器人；以及控制所述升降机构及所述搬运机器人的动作的控制部，在所述腔室的侧面部设置有在将所述基板搬入所述卡匣和从该卡匣搬出时开口的搬出搬入口，所述搬运机器人具备载置所述基板的机械臂，所述机械臂能够在水平方向上移动并从所述搬出搬入口插入所述卡匣内，且能够在所述卡匣内上升或下降，所述控制部在所述卡匣内使所述机械臂下降的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣上升，在所述卡匣内使所述机械臂上升的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣下降。
处理装置

[发明专利]成膜用掩模及成膜装置-CN201780025519.7有效
发明人：藤井严;江藤谦次;阿部洋一;神保洋介 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明的一个方式涉及的成膜用掩模具有一对第一板部和一对第二板部。上述一对第一板部具有一对第一内周缘部和一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部分别具有在第一轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部。上述一对第一外周缘部分别与上述一对第一内周缘部在上述第一轴向上相向。上述一对第二板部具有一对第二内周缘部和一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部分别具有在上述第二轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部。上述一对第二外周缘部分别与上述一对第二内周缘部在上述第二轴向上相向。
成膜用掩模装置

[发明专利]基板处理装置-CN201910869309.7在审
发明人：江藤谦次;阿部洋一;龟崎厚治 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置。本发明的基板处理装置具有：以多段方式收纳多张基板的盒；能够密闭地收纳所述盒的腔室；和用于使所述盒在所述腔室内升降的升降机构。所述腔室具有顶棚部、底部和侧部，并且被分割为上腔室和下腔室且以平面状环设有相互成为密封面的凸缘部，所述凸缘部以至少比所述顶棚部更靠下侧的部分成为分割位置的方式倾斜配置。
处理装置

[发明专利]混合器、真空处理装置-CN201680058354.9有效
发明人：田宫慎太郎;神保洋介;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供将第一气体和第二气体均匀混合的混合器和使用该混合器的真空处理装置。以第二筒开口（46）位于第一筒主体（11）中的方式将第二筒主体（12）以互相不接触的方式配置于第一筒主体（11）的内部，在第一筒主体（11）内部的第一筒开口（45）和第二筒开口（46）之间形成助跑空间（48），使第二气体从第二筒开口（46）向助跑空间（48）流出，使第一气体从形成于第一、第二筒主体（11、12）之间的间隙（47）向助跑空间（48）流出，使第一、第二气体在第二气体被第一气体的包围状态下流向助跑空间（48），使其从第一筒开口（45）向混合容器（10）内流出。第一、第二气体在混合容器（10）内直行，与混合容器（10）的与第一筒开口（45）面对的壁面碰撞，形成第一、第二气体的漩涡，被供给于混合容器（10）的第一、第二气体的流量之差即使较大也被均匀地混合。
混合器真空处理装置

[发明专利]加热器基座及处理装置-CN201980001255.0在审
发明人：宫谷武尚;神保洋介;山本良明;江藤謙次;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的加热器基座为用于支撑加热器的加热器基座，具备多个变位机构，所述变位机构配置在所述加热器与所述加热器基座之间且设置于所述加热器基座上，多个所述变位机构中的三个以上的变位机构在与加热器接触的状态下能够使所述加热器相对于加热器基座变位。
加热器基座变位机构加热器加热器接触处理装置变位支撑配置

[发明专利]配线基板的连接器连接用端子的制造方法-CN200710106788.4有效
发明人：藤村隆士;阿部洋一 -专利权人：日本梅克特隆株式会社
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种配线基板的连接器连接用端子的制造方法，在连接器连接用端子上，对未使用铅的廉价的焊锡膏进行印刷，形成焊锡层时，将焊锡层的厚度形成得薄且均匀。一种连接器连接用端子(20)，其由设置在印刷配线基板(10)上的多个接触片(14)构成，该连接器连接用端子(20)的终端部比规定长度L更加延长，设置连接该延长部分(21)相互间的连接区域(22)。并且，在包含接触片(14)的相互间以及连接区域(22)的延长部分(21)的整体上印刷焊锡膏(16)，将印刷的焊锡膏(16)熔融，形成焊锡预涂层(17)。然后，将包含上述连接区域(22)的延长部分(21)切断去除，形成规定长度L的连接器连接用端子(20)。
配线基板连接器连接端子制造方法

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