“闫宁宁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果63个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]软管接头、软管组件及作业机械-CN202321426506.X有效
发明人：张国久;闫宁宁;安乐 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F16L33/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及管接头技术领域，提供一种软管接头、软管组件及作业机械，其中软管接头包括第一连接件，与软管的一端连接；第二连接件，设置于第一连接件远离软管的一侧；周向限位结构，设置于第一连接件和第二连接件上，用于实现第一连接件和第二连接件的周向方向的相对静止；第三连接件，套设于第一连接件和第二连接件的外周；且第一连接件和第二连接件均与第三连接件连接。本实用新型通过软管与第一连接件的一端连接，第二连接件连接于第一连接件的另一端，通过设置周向限位结构能够实现在安装第三连接件时，能够保证第一连接件和第二连接件周向方向的相对静止，即实现周向限位，保证软管不会被扭转，从而提高连接可靠性。
软管接头组件作业机械

[发明专利]一种耐高温长寿命抗烧蚀陶瓷改性碳/碳复合材料及其制备方法和应用-CN202310795454.1在审
发明人：周磊;王琛;闫宁宁;李棚辉;梁迎光 -专利权人：无锡博智复合材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温长寿命抗烧蚀陶瓷改性碳/碳复合材料及其制备方法和应用，属于防氧化抗烧蚀碳/碳复合材料制备技术领域。本发明通过PIP将HfC超高温陶瓷引入多孔C/C复合材料中，实现HfC超高温陶瓷在碳基体中的均匀分布。借助Zr‑Cu粉与碳基体反应生成ZrC，实现低温下基体的快速致密化，制备出能够在大流量强冲刷烧蚀环境下的长时间应用的陶瓷改性C/C复合材料。本发明所制备的HfC‑ZrC‑Cu协同改性C/C复合材料在热流密度为4.18MW/m2的氧乙炔火焰下循环烧蚀600s后试样依然完整，质量烧蚀率和线烧蚀率分别为0.544mg/s和0.107μm/s，表现出优异的抗循环烧蚀性能。
一种耐高温寿命抗烧蚀陶瓷改性复合材料及其制备方法应用

[发明专利]针对介质集成悬置线和金属-介质集成悬置线有源器件的封装结构-CN202210256342.4有效
发明人：马凯学;冯婷;王勇强;闫宁宁 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开一种针对介质集成悬置线和金属‑介质集成悬置线有源器件的封装结构，包括自上而下布置的顶层介质\金属板、第二层介质板、第三层介质板、第四层介质板及底层介质\金属板，第三层介质板为有源器件电路所在的介质板：第二层介质板的长度方向一侧开两个方槽，用于直流供电接触端子的两个金属方棒嵌置安装于两个方槽中；第二层介质板及底层介质\金属板的宽度方向上两侧开有接头卡接方槽，两个射频接头通过接头卡接方槽卡套焊接在第三层介质和第四层介质板上；顶层介质\金属板和底层介质\金属板上的连接通孔为沉头孔，使紧固件的帽檐或螺钉内嵌于顶层介质\金属板和底层\金属板中保持器件表面平整。本发明物理结构更加稳固。
针对介质集成悬置金属有源器件封装结构

[发明专利]一种高熵陶瓷涂层与基体协同改性碳/碳复合材料及其制备方法-CN202211543040.1有效
发明人：周磊;付前刚;李伟;闫宁宁;李棚辉;李贺军 -专利权人：无锡博智复合材料有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵陶瓷涂层与基体协同改性碳/碳复合材料及其制备方法，属于防氧化碳/碳(C/C)复合材料制备技术领域。本发明公开的(Ti0.25Zr0.25Hf0.25Ta0.25)C‑SiC‑Si涂层与基体协同改性C/C复合材料，一方面，通过真空浸渍处理将抗氧化烧蚀组元高熵陶瓷引入多孔C/C复合材料中，实现高熵陶瓷在碳基体中的均匀分布，避免了传统反应熔渗工艺高温熔渗过程对碳基体的损伤；另一方面，采用气相渗硅工艺实现涂层与基体的一次成型并利用连续相Si及其反应产物SiC提高涂层与基体界面结合强度，同质的基体改性与涂层组分可有效缓解涂层与基体的热失配，能够有效提高C/C复合材料氧化烧蚀防护的可靠性，从而保证该C/C复合材料能够应用于超高温、强燃气冲刷等极端苛刻环境。
一种陶瓷涂层基体协同改性复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高强度、抗热震的C/C复合材料-金属Mo曲面连接接头的制备方法-CN202310795455.6在审
发明人：王琛;周磊;闫宁宁;李棚辉;梁迎光 -专利权人：无锡博智复合材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度、抗热震的C/C复合材料‑金属Mo曲面连接接头的制备方法，属于C/C复合材料‑金属Mo接头制备技术领域。本发明在C/C复合材料和金属Mo的连接面之间插入泡沫镍，钎焊过程初期(钎料熔化阶段)会将液相钎料分割成多个区域(熔池)，一定程度上抑制了钎料浆的流动，避免其在接头的边缘大量溢出，随着钎焊过程中连接温度的升高，引入的泡沫镍不断受到液相钎料的侵蚀，逐渐溶解并形成液相，进而对接头中的钎料液进行补充，因此可以有效避免曲面连接接头中孔隙等缺陷的形成，本发明制备方法简单、无污染，可在相对较低的钎焊温度(≤1500℃)下制备具有较高室温剪切强度和良好抗热震性能(室温‑1100℃)的曲面连接接头。
一种强度抗热复合材料金属 mo 曲面连接接头制备方法

[实用新型]真空密封法兰及真空设备-CN202320387474.0有效
发明人：张国久;闫宁宁;李伟 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F16L23/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空设备领域，提供一种真空密封法兰及真空设备，包括：法兰本体，贯通设置在腔体壁上；密封件，设置在法兰本体的大气侧，且密封件设置在法兰本体与腔体壁之间；固定件，设置在法兰本体的大气侧，固定件用于将法兰本体与腔体壁固定连接。如此设置，在大气侧的法兰本体和腔体壁之间安装密封件，密封连接面设置在大气侧，抽真空时可以利用大气压力挤压密封，随着真空度的提高，其密封性能越好。同时密封在大气侧安装，在不拆除内部设备和法兰本体的情况下就可以随时修复维护密封结构，极大地提高了可维护性。
真空密封法兰真空设备

[实用新型]边区加热机构、电加热器及镀膜设备-CN202320259074.1有效
发明人：张国久;闫宁宁;李伟 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H05B3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及加热装置技术领域，提供一种边区加热机构、电加热器及镀膜设备，包括多个第一加热单元，多个第一加热单元用于沿周向设置在电加热器的边缘；其中，第一加热单元至少包括沿第一方向分布的第一加热段和第二加热段，第一加热段和第二加热段均包括多个沿第二方向连续分布的折弯段。本实用新型通过将边区加热机构设置在电加热器的边缘，确保被镀膜区域温度均匀性在合理范围，加热区域能够被分布为至少两层，避免各加热段均集成于单层布置导致占地面积大的缺陷，对每层的加热段进行折弯，进一步的减少了占地面积，整体实现了减小边区加热机构的尺寸，进而减小了整体电加热器的占地面积，提高了空间利用率。
边区加热机构加热器镀膜设备

[发明专利]基于SISL的毫米波缝隙天线阵列-CN202310531554.3在审
发明人：马凯学;刘瑞鹏;闫宁宁;王勇强 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明公开一种基于SISL的毫米波缝隙天线阵列，由7层上下表面布置的金属层的介质基板自上而下排列构成，馈电结构布置于介质基板上，功分网络结构由多个功分网络构成；辐射结构由多个辐射单元组成，辐射缝隙加载在金属层G1和金属层G2，加载金属化通孔连接金属层G1和金属层G2，金属层G5和金属层G6的馈电网络通由一条主传输线加载周期性的短路枝节构成，形成双层布线结构；短路枝节加载辐射缝隙中心位置的正下方，介质基板Sub5为屏蔽层作为天线阵列的地。本发明采用双层布线技术，减小介质损耗，提高天线增益和效率，能够覆盖27.5‑28.35GHz频段以及的Ka卫星通信频段。
基于 sisl 毫米波缝隙天线阵列

[实用新型]用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备-CN202320311861.6有效
发明人：冯晓军;闫宁宁;李伟 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及镀膜技术领域，提供一种用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备，包括与供气设备相连接的输气管路，输气管路用于向镀膜设备的第二腔室内输送气体；其中，输气管路至少包括第一管路节段，第一管路节段的进气端小于其出气端的截面面积，第一管路节段的进气端与供气设备相连接，出气端用于与第二腔室相连接。在进行破真空作业时，供气设备通过输气管路将气流输送至第二腔室内，气流在经过输气管路中的第一管路节段时，由于其进气端小于出气端的截面面积，则出气端截面变大使气流的流速降低，大幅降低了气流对第二腔室的冲击，解决了电池片易被吹偏、吹碎的缺陷，降低了电池片的破片率。
用于镀膜设备真空装置

[发明专利]基于SISL结构的融合超材料天线架构-CN202310494824.8在审
发明人： 闫宁宁;杨帆霏;王勇强;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种基于SISL结构的融合超材料天线架构，包括SISL结构的天线，自上而下依次有至少五层介质基板，每层基板双面有金属层；第一介质基板用超材料构成超材料功能层，第二介质基板有上层空腔，第二介质基板为传输层，嵌入ENZ材料，第三介质基板为天线层，布置馈源天线，第四介质基板有下层空腔，第五介质基板为接地层。本发明使用SISL结构PEC加载，馈源辐射场集中于第二介质基板和四周金属通孔形成的空腔中，加强超表面与馈源相互作用，减少馈源侧向辐射泄漏；第二介质基板中嵌入ENZ材料，使在天线整体低剖面的条件下保证辐射性能不退化；天线整体除辐射口径外由SISL结构封装，提高天线集成度。
基于 sisl 结构融合材料天线架构

[发明专利]用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备-CN202310164161.3在审
发明人：冯晓军;闫宁宁;李伟 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜技术领域，提供一种用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备，包括与供气设备相连接的输气管路，输气管路用于向镀膜设备的第二腔室内输送气体；其中，输气管路至少包括第一管路节段，第一管路节段的进气端小于其出气端的截面面积，第一管路节段的进气端与供气设备相连接，出气端用于与第二腔室相连接。在进行破真空作业时，供气设备通过输气管路将气流输送至第二腔室内，气流在经过输气管路中的第一管路节段时，由于其进气端小于出气端的截面面积，则出气端截面变大使气流的流速降低，大幅降低了气流对第二腔室的冲击，解决了电池片易被吹偏、吹碎的缺陷，降低了电池片的破片率。
用于镀膜设备真空装置

[发明专利]一种ZrB2-CN202310147487.5在审
发明人：周磊;付前刚;李伟;闫宁宁;李棚辉;李贺军 -专利权人：无锡博智复合材料有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZrB2‑ZrC‑SiC改性碳/碳复合材料及其制备方法和应用，首先采用真空抽滤法将ZrB2陶瓷粉体引入低密度多孔C/C复合材料中，随后将抽滤所得试样进行超声处理；再采用RMI工艺，借助ZrSi2与碳基体反应生成SiC与ZrC，最终获得ZrB2‑ZrC‑SiC改性C/C复合材料。一方面通过真空抽滤将ZrB2陶瓷粉体引入多孔C/C复合材料中，实现ZrB2陶瓷粉体在C/C复合材料内部的均匀分布；另一方面，采用RMI工艺，借助ZrSi2与碳基体反应生成SiC与ZrC，实现基体的快速致密化，制备出能够具有优异抗烧蚀性能的ZrB2‑ZrC‑SiC改性C/C复合材料。
一种 zrb base sub

[发明专利]平面印刷倒F天线的方向图补偿方法-CN202211094065.8在审
发明人： 闫宁宁;朱丽瑄;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本发明公开一种平面印刷倒F天线的方向图补偿方法，在平面印刷倒F天线的介质基板上布置有若干贯穿介质基板并与金属地板相连的金属化通孔形成方向图补偿结构，以实现对平面印刷倒F天线的方向图补偿。本发明通过加载金属化过孔的方式，削弱地板离天线较远处的电流与电场，使地板上的电流集中分布在天线附近，这样既保证了地板完整性，减少后期加工不确定性，也能有效地减小±60°处的辐射，保证辐射方向图内只有一个波束最大值。
平面印刷天线方向补偿方法

[发明专利]一种基于介质集成悬置的液态金属线移相器-CN202211686713.9在审
发明人：马凯学;杨剑腾;刘禹;王勇强;傅海鹏;闫宁宁 -专利权人：天津天芯微系统集成研究院有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于介质集成悬置的液态金属线移相器，通过将装有镓铟液态金属的聚二甲基硅氧烷软管设置在移相器的介质基板上，并且在移相器的多层介质基板设置SISL腔体，步进电机通过无弹性的线连接SISL腔体内部装有镓铟液态金属的聚二甲基硅氧烷软管，进而改变装有镓铟液态金属的聚二甲基硅氧烷软管的长度。本发明具有宽带宽、低损耗、结构简单的特点，可以在UWB频段内实现连续调相。
一种基于介质集成悬置液态金属线移相器

[发明专利]一种钨改性ZrC骨架增强热解碳复合材料及其制备方法和应用-CN202211543032.7在审
发明人： 闫宁宁;付前刚;李伟;周磊;李棚辉;李贺军 -专利权人：无锡博智复合材料有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨改性ZrC骨架增强热解碳复合材料及其制备方法和应用，属于超高温复合材料制备技术领域。包括：将氧化锆粉、碳粉及钨粉按比例混匀，然后通过高温烧结制得钨改性ZrC骨架材料，然后将钨改性ZrC骨架材料进行等温化学气相沉积处理，制得钨改性ZrC骨架增强热解碳复合材料。本发明的制备方法，工艺操作简单，使用的原料易得，无污染，相较于碳/碳复合材料，复合材料的制备周期短缩95％以上。经本发明制得的钨改性ZrC骨架增强热解碳复合材料，具有极高的致密化率，力学性能大幅度提升，在超高温领域具有极好的经济效益与社会效益。
一种改性 zrc 骨架增强热解碳复合材料及其制备方法应用

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 63 条