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[发明专利]一种高纯α-Si3-CN201811399979.9有效
发明人：李斌;陈俊红;冯玉岩;李广奇;沈周洲;门佳瑶;李经纬;张志教 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：一种高纯α‑Si3N4纳米粉体的制备方法，属于纳米材料领域。将含SiO2的原料磨细后加入盛有HNO3、CO(NH2)2、C6H12O6·H2O溶液的容器中，使Si:C摩尔比为2～4。将容器置于马弗炉中，加热到250～450℃，并保温15～45分钟，得到前驱体。将前驱体碾碎，置于刚玉坩埚中，放入气氛炉内，以600～2000ml/min的气体流量通入氮气，以3～5℃/min的升温速率升温至1450～1600℃保温0.5～3小时，再自然冷却。将烧结后的样品置于马弗炉中，在500～700℃空气气氛下保温1～4小时，得到高纯α‑Si3N4纳米粉体。所制备的α‑Si3N4纳米粉体纯度高、粒度均匀，未检测到β‑Si3N4相及其他杂相，其晶粒呈絮状、片状等，氧含量约为1.93at％，粒度为50nm～700nm，比表面积约为4.8m2/g。该方法成本低、产品纯度高、工艺简单，适合工业化生产。
一种高纯 si base sub

[发明专利]一种高纯一维SiC纳米材料的制备方法-CN201811330531.1有效
发明人：沈周洲;陈俊红;李斌;李广奇;门佳瑶;李经纬;张志教 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C01B32/97 文献下载
摘要：一种高纯的一维SiC纳米材料的制备方法。属于无机非金属材料领域。制备方法包括原料处理、原料混合、碳热还原和杂质处理四个步骤。其中碳热还原过程，在惰性气体保护下是将混好的原料于1500～1600℃烧结并保温4～6小时，再迅速降温至1250～1350℃保温2～4小时，随炉冷却得到白色棉花状样品。杂质处理是将得到的样品放入马弗炉内，空气气氛下升温至500～700℃保温2～4小时，得到浅绿色棉花状的高纯一维SiC纳米材料。本发明制备出的一维SiC纳米材料具有形貌均一、纯度高、长径比大、尺寸可控等结构优点；具有高强度、耐腐蚀、耐高温、出色的光致发光性能、吸波性能和介电性能等性能优势；且制备工艺简单、成本低、成品率高，可用于工业化生产。
一种纯一 sic 纳米材料制备方法

[发明专利]非晶前驱体诱导合成球状氮化硼（BN）纳米粉体的方法-CN201910597510.4在审
发明人： 门佳瑶;陈俊红;李斌;李广奇;李经纬;沈周洲;张志教;侯新梅 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：一种非晶前驱体诱导合成球状氮化硼(BN)纳米粉体的方法，属于无机非金属材料领域。制备方法包括原料混合、前驱体制备、高温热解、杂质处理四个步骤。将含B的原料和含N的原料进行混合，加入乙醇溶液中加热搅拌至水分完全蒸发；再将混合原料经马弗炉200～550℃保温120‑360分钟，研磨得到粒度小于200目的前驱体粉末后高温热解；在氮气气氛下，将前驱体粉末升温至800～1450℃，并保温120～360分钟，随炉冷却得到白色粉末后在无水乙醇溶液中洗涤，并离心处理除去杂质，烘干得到球状BN纳米粉体。本发明制备出的球状BN纳米原料具有形貌均一、纯度高、尺寸可控等结构优点；具有耐磨、耐腐蚀、耐高温、出色的导热性能、绝缘性能等性能优势；且制备工艺简单、成本低、成品率高，可用于工业化生产。
纳米粉体前驱体粉末高温热解诱导合成氮化硼前驱体非晶制备保温无机非金属材料无水乙醇溶液白色粉末尺寸可控导热性能混合原料加热搅拌结构优点绝缘性能离心处理纳米原料前驱体制随炉冷却形貌均一性能优势乙醇溶液原料混合杂质处理制备工艺研磨成品率马弗炉耐腐蚀耐高温烘干可用耐磨洗涤蒸发

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