专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]传输线路变压器-CN202310847547.4在审
  • 长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2019-09-02 - 2023-09-05 - H01F27/28
  • 提供一种传输线路变压器,能够实现比以往的传输线路变压器更大的阻抗变换比。在基板的厚度方向上在不同的位置配置有第一传输线路和一个端部连接到第一传输线路的一个端部且另一端部接地的第三传输线路,第一传输线路电磁耦合到第三传输线路,第一传输线路和第三传输线路分别具有原点、终点、从原点到终点的路径、原点与终点之间的路径上的第一点和原点与终点之间的路径上的第二点,从原点到第一点的欧几里得距离具有极大值,从原点到第二点的欧几里得距离具有极小值,以第一传输线路与第三传输线路连接的部位为始点,第一传输线路延伸为沿第一旋转方向旋转,第三传输线路延伸为沿与第一旋转方向相反的第二旋转方向旋转。
  • 传输线路变压器
  • [发明专利]功率放大电路-CN201980008561.7有效
  • 长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2019-01-21 - 2023-08-11 - H03F1/32
  • 本发明提供一种在抑制电路规模的增大的同时抑制交调失真的影响的功率放大电路。功率放大电路具备:第1放大器,对第1信号进行放大并输出第2信号;提取电路,提取第2信号包含的二倍波;相位调整电路,对提取的二倍波的相位进行调整;以及合成器,对调整了相位的二倍波和第3信号进行合成并输出第1信号。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]功率放大电路-CN201910986993.7有效
  • 松本秀俊;田中聪;长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2019-10-16 - 2023-08-08 - H03F1/02
  • 本发明提供一种功率放大电路,能够抑制最大输出功率的下降。功率放大电路具备:第1晶体管,在基极或栅极被输入射频信号;第2晶体管,发射极与所述第1晶体管的集电极或漏极连接,在集电极被供给第1电压,从集电极输出对所述射频信号进行了放大的第1放大信号;和第3晶体管,向所述第2晶体管的基极供给偏置电压,在所述第3晶体管的集电极或漏极被供给第2电压,在所述第3晶体管的基极或栅极被供给与所述第1电压相应的第3电压,从所述第3晶体管的发射极或源极供给与所述第3电压相应的所述偏置电压。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]功率放大电路-CN201980008602.2有效
  • 长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2019-01-21 - 2023-08-01 - H03F1/32
  • 本发明提供一种能够在增大输出功率的同时抑制交调失真的影响的功率放大电路。功率放大电路具备:分配器,对输入信号进行分配并输出到主路径和副路径;失真补偿电路,设置在副路径;合成器,对经由了主路径的输入信号的基波和经由了副路径的输入信号的二倍波进行合成;以及第1放大器,对从合成器输出的合成信号进行放大并输出放大信号,失真补偿电路包含:谐波生成电路,生成输入信号的二倍波;滤波器电路,使基波衰减,并使二倍波通过;以及相位调整电路,对二倍波的相位进行调整。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]传输线路变压器和放大电路-CN201910829849.2有效
  • 长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2019-09-02 - 2023-07-28 - H01F27/28
  • 提供一种传输线路变压器和放大电路,传输线路变压器能够实现比以往的传输线路变压器更大的阻抗变换比。在基板的厚度方向上在不同的位置配置有串联连接的第一传输线路和第二传输线路。在基板的厚度方向上在第一传输线路与第二传输线路之间,配置有一个端部连接到第一传输线路的一个端部并且另一端部交流地接地的第三传输线路。第一传输线路和第二传输线路电磁耦合到第三传输线路。
  • 传输线路变压器放大电路
  • [发明专利]功率放大电路-CN202211409158.5在审
  • 长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2022-11-10 - 2023-05-19 - H03F1/30
  • 提供一种功率放大电路,抑制增益的变化。功率放大电路具备:级联连接的多个放大晶体管,多个放大晶体管分别放大向基极供给的信号并且输出放大信号;第一电阻元件,其具有第一端以及与第一放大晶体管的基极连接的第二端;第二电阻元件,其具有第一端以及与比第一放大晶体管靠输入侧的放大晶体管即第二放大晶体管的基极连接的第二端;第一偏置供给晶体管,其具有与第一电阻元件的第一端连接的发射极;第二偏置供给晶体管,其具有与第二电阻元件的第一端连接的发射极;以及偏置电流补偿用晶体管,其具有与第一电阻元件的第一端连接的基极、与第二电阻元件的第一端连接的集电极以及与接地连接的发射极。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]功率放大装置-CN202180027303.0在审
  • 长谷昌俊;佐俣充则 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-09 - 2022-11-22 - H03F1/44
  • 在功率放大装置中,实现高频功率放大电路的宽带动作。功率放大装置(100A)包括:功率放大电路(1),放大高频输入信号;第一阻抗匹配电路(2),对功率放大电路(1)的输出信号进行阻抗匹配;二次谐波终端电路(3),设置在第一阻抗匹配电路(2)的输出侧,通过反射从第一阻抗匹配电路(2)输入的信号所包含的偶次谐波和奇次谐波的至少一部分,从而作为高频信号从输入端子输出,将包含基波、剩余的偶次谐波以及奇次谐波的高频信号从输出端子输出;以及滤波器(4),设置在二次谐波终端电路(3)的后级,使偶次谐波和奇次谐波的至少一部分衰减,输出包含基波、剩余的偶次谐波以及奇次谐波的高频信号。
  • 功率放大装置
  • [发明专利]阻抗转换电路和放大模块-CN202210447306.6在审
  • 祢津诚晃;长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2022-04-25 - 2022-11-01 - H03F1/56
  • 提供一种阻抗转换电路和放大模块,容易确保输入侧的节点与输出侧的节点之间的隔离度。第一主线路的两端分别为第一节点及第三节点,在第一节点与第三节点之间传输高频信号。第二主线路的两端分别为第二节点及第四节点,在第二节点与第四节点之间传输高频信号。第一副线路的一个端部与第二节点连接。第一副线路与第一主线路电磁耦合。第二副线路的一个端部与第一节点连接,另一个端部与第一副线路的未与第二节点连接的端部连接。第二副线路与第二主线路电磁耦合。在第二主线路的至少一部分及第二副线路的至少一部分中的至少一方并联地连接有第一电容器。
  • 阻抗转换电路放大模块
  • [发明专利]功率放大电路、功率放大装置以及RF电路模块-CN202111515568.3在审
  • 长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2021-12-13 - 2022-06-14 - H03F1/32
  • 本发明提供的功率放大电路抑制放大晶体管的动作点的变化,抑制输入与输出的关系的线性的劣化。功率放大电路具备:放大晶体管,具有被供给无线频率信号的基极,放大上述无线频率信号并输出;电阻元件,具有第一端、和与上述放大晶体管的基极电连接的第二端;第一偏置用晶体管,具有被施加第一电压的集电极、被施加第一偏置电压的基极、以及与上述电阻元件的第一端电连接并通过上述电阻元件对上述放大晶体管的上述基极供给偏置电流的发射极;以及第二偏置用晶体管,具有与上述第一偏置用晶体管的上述发射极以及上述电阻元件的上述第一端电连接的发射极、被施加第二偏置电压的基极、以及被施加比上述第一电压低的第二电压的集电极。
  • 功率放大电路装置以及rf模块
  • [发明专利]功率放大电路-CN201611144850.4有效
  • 长谷昌俊 - 株式会社村田制作所
  • 2016-12-13 - 2022-06-03 - H03F1/32
  • 本发明提供一种功率放大电路,该功率放大电路具备能抑制电路面积的增大并且在输入较大信号时也能适用的开关电路。功率放大电路包括:第一晶体管,该第一晶体管具有被提供第一无线频率信号的发射极、被提供第一DC控制电流或者第一DC控制电压的基极、以及输出与第一无线频率信号相对应的第一输出信号的集电极;第一放大器,该第一放大器对第一输出信号进行放大,并输出第一放大信号;以及第一控制电路,该第一控制电路将第一DC控制电流或者第一DC控制电压提供至第一晶体管的基极,以对第一输出信号的输出进行控制。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]半导体装置-CN202111220186.8在审
  • 高桥新之助;青池将之;长谷昌俊;播磨史生 - 株式会社村田制作所
  • 2021-10-20 - 2022-04-22 - H01L23/367
  • 提供能够实现从晶体管的散热特性的提高的半导体装置。在由半导体构成的基板的表层部之上配置有在俯视时包含至少一个金属区域的粘合层。在粘合层之上配置有半导体元件。半导体元件包含配置在作为粘合层的一个金属区域的第一金属区域之上的第一晶体管。第一晶体管包含与第一金属区域电连接的集电极层、配置在其上的基极层、以及配置在其上的发射极层。在第一晶体管的发射极层之上配置有第一发射极电极。在第一发射极电极之上配置有第一导体突起。基板的表层部的半导体材料的导热率比第一晶体管的集电极层、基极层、以及发射极层的任何一个的导热率都高。
  • 半导体装置

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