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- [发明专利]功率放大电路-CN202310305812.6在审
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岛本健一
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株式会社村田制作所
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2023-03-24
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2023-10-17
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H03F3/21
- 提供一种功率放大电路，抑制输出信号的品质劣化。功率放大电路具备：第一放大晶体管，其具有被输入作为平衡信号的一个的第一信号的基极或栅极、输出将第一信号放大后的第一放大信号的集电极或漏极以及与接地电连接的发射极或源极；第二放大晶体管，其具有被输入作为所述平衡信号的另一个的第二信号的基极或栅极、输出将第二信号放大后的第二放大信号的集电极或漏极以及与接地电连接的发射极或源极；第一可变电容部，其电连接在第二放大晶体管的集电极或漏极与第一放大晶体管的基极或栅极之间；以及第二可变电容部，其电连接在第一放大晶体管的集电极或漏极与第二放大晶体管的基极或栅极之间。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大模块-CN201911003192.0有效
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岛本健一
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株式会社村田制作所
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2019-10-18
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2023-06-13
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H03F3/24
- 提出一种功率放大模块，在电源电压低的区域中与其他区域相比能够降低消耗电流。功率放大模块具备：第1放大器，对第1信号进行放大；第2放大器，对基于第1放大器的输出信号的第2信号进行放大；第1偏置电路，基于偏置驱动信号，通过电流路径向第1放大器供给偏置电流；和调整电路，调整电路包含调整晶体管，并基于供给至第1放大器的电源电压对偏置电流进行调整，其中，该调整晶体管具有被供给基于电源电压的第1电压的第1端子、被供给基于偏置驱动信号的第2电压的第2端子、以及与电流路径连接的第3端子。
- 功率放大模块
- [发明专利]功率放大电路-CN202211299197.4在审
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岛本健一
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株式会社村田制作所
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2022-10-21
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2023-05-09
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H03F1/32
- 提供一种功率放大电路，抑制线性度的下降。包括：在第一模式及第二模式的情况下向第一放大器赋予偏置的第一偏置电路；以及在第二模式的情况下向第二放大器赋予偏置的第二偏置电路。第一偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第一放大器连接、基极与电流源连接的第一晶体管；以及被二极管连接且连接在第一晶体管的基极与基准电位之间的第二晶体管及第三晶体管。第二偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第二放大器连接、基极与电流源连接的第四晶体管；以及基极与第四晶体管的发射极连接、集电极与第四晶体管的基极连接、发射极与基准电位连接的第五晶体管。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN201910957533.1有效
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岛本健一;浪江寿典
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株式会社村田制作所
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2019-10-09
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2023-03-28
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H03F3/21
- 本发明调整增益色散的范围。功率放大电路具备：第一晶体管，放大RF信号；偏置电流源，通过第一电流路径对第一晶体管的第二端子供给偏置电流；以及调整电路，根据从电源端子供给的可变电源电压来调整偏置电流，调整电路包含：第一电阻器至第三电阻器，至少任一个由可变电阻器构成；以及调整晶体管，具有通过第一电阻器与电源端子连接的第一端子、通过第二电阻器与偏置电流源连接的第二端子、以及通过第三电阻器与第一电流路径连接的第三端子，在可变电源电压为第一电压以上且第三电压以下时，可变电源电压越低，调整电路越使通过如下路径流到电源端子的电流增大，该路径从偏置电流源通过第二电阻器、调整晶体管以及第一电阻器到达电源端子。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN201910244797.2有效
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田原健二;岛本健一;土田茂;佐俣充则;祐森義明
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株式会社村田制作所
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2019-03-28
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2022-11-29
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H03F1/02
- 提供一种功率放大电路。功率放大电路(1)具备：放大晶体管(20)；可变电压电源(21)，其向放大晶体管(20)的集电极提供可变电压(Vcc2)；偏置电路(22)，其具有向放大晶体管(20)的基极输出直流偏置电流的恒流放大晶体管(220)；以及电流限制电路(23)，其限制直流偏置电流，其中，电流限制电路(23)具有：电流限制晶体管(230)；电阻元件(232)，其与电流限制晶体管(230)的集电极及可变电压电源(11)连接；以及电阻元件(231)，其与电流限制晶体管(230)的基极及恒流放大晶体管(220)的基极连接。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN202210123520.6在审
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岛本健一
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株式会社村田制作所
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2022-02-09
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2022-08-16
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H03F3/20
- 提供一种功率放大电路，能够抑制切换功率放大电路的动作状态时的增益下降。功率放大电路(10)具备放大器(102、103)、偏置电路(1023、1033)和控制偏置电路(1023、1033)的控制电路(106)，在功率放大电路(10)以低功率模式动作的情况下，控制电路(106)控制偏置电路(1023)以及偏置电路(1033)，使得向放大器(102)供给偏置电流或电压，并且不向放大器(103)供给偏置电流或电压，在功率放大电路(10)以输出功率大于低功率模式的高功率模式动作的情况下，控制电路(106)控制偏置电路(1023)以及偏置电路(1033)，使得向放大器(102)供给偏置电流或电压，并且向放大器(103)供给偏置电流或电压。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN202010600797.4在审
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岛本健一
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株式会社村田制作所
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2020-06-28
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2021-01-12
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H03F1/52
- 本发明提供一种抑制由过大电压造成的放大器的击穿的功率放大电路。功率放大电路(10)具备：放大器(201)，对输入信号(RFin)进行放大并输出放大信号(RF1)；放大器(202)，设置在放大器(201)的后级，对放大信号(RF1)进行放大并输出放大信号(RF2)；以及箝位电路(300)，设置在放大器(201)与放大器(202)之间的信号线路(203)与地之间，并对放大信号(RF1)的振幅进行抑制。
- 功率放大电路
- [发明专利]半导体装置-CN201710740396.7有效
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佐佐木健次;岛本健一
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株式会社村田制作所
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2017-08-24
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2020-05-05
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H01L23/488
- 本发明提供一种半导体装置，实现单位晶体管的最高温度的下降或温度偏差的降低。半导体装置具备：半导体基板，含具有第一方向的第一边及第二方向的第二边的主面；多个晶体管列，形成在半导体基板的第一边侧的区域；多个凸块，多个凸块包括第一方向上的长度长的第一及第二凸块，第一边和第一凸块的距离比第一边和第二凸块的距离短，多个晶体管列包括第一及第二晶体管列，第一晶体管列具有沿第一方向配置为与第一凸块重叠的多个第一单位晶体管，第二晶体管列具有沿第一方向配置为与第二凸块重叠的多个第二单位晶体管，在半导体基板的主面的俯视下，第一单位晶体管的平均每一个的第一凸块的面积比第二单位晶体管的平均每一个的第二凸块的面积大。
- 半导体装置
- [发明专利]高频模块及无线通信系统-CN201110443262.1无效
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岛本健一;原泽良明;松冈正
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瑞萨电子株式会社
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2011-12-27
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2012-07-04
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H04B1/40
- 本发明提供一种高频模块及无线通信系统，能够实现低成本化或小型化能够实现多频带对应。例如，高频功率放大装置HPAIC1具备：GSM用的功率放大器电路部PABK_LB(PABK_HB)；接受选择GSM或者W-CDMA的模式设定信号Mctl，将天线开关控制信号Sctl以VSW1电平或者VSW2电平输出的控制电路。VSW2是使用来自振荡电路OSC的时钟信号使VSW1升压而生成的。HPAIC1在根据Mctl选择GSM时，使OSC停止并将VSW1电平的Sctl向天线开关装置ANTSW输出，根据Mctl选择W-CDMA时，用OSC将VSW2电平的Sctl向ANTSW输出。
- 高频模块无线通信系统
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