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[发明专利]半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置-CN202011217236.2有效
发明人： 铃木弘;白石正树 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置，能够根据动作条件一边抑制dv/dt一边抑制开关损失。半导体装置的驱动装置(104)驱动电力变换装置中的构成支路的半导体装置(101、102)，具备向半导体装置的控制端子(G)输出控制电流的输出部(3)，输出部根据半导体装置的动作状态(T、I、V)，以使支路中的续流二极管(102)的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制控制电流的大小。
半导体装置驱动方法电力变换

[发明专利]半导体元件驱动装置以及电力转换装置-CN202080095403.2在审
发明人： 铃木弘;白石正树;八幡光一 -专利权人：日立安斯泰莫株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：存在未考虑到半导体元件的温度或者流过半导体元件的电流发生了变化这一情况、无法充分减少开关损耗和噪声的问题。因此，本发明中，时刻控制部(3)根据输入的感测信息(温度(T)、电流(I))、以使IGBT(101)的开关损耗的减少量最大化的方式输出延迟信号(Q)来控制电流增加电路(5)的驱动时刻。电流增加电路(5)在IGBT(101)的导通或断开时响应于比驱动指令信号(P)晚规定时间的延迟信号(Q)而输出驱动信号。如此，通过响应于延迟信号(Q)而增加对IGBT(101)的栅极电容进行充放电的电流，得以增加开关速度、减少开关损耗。
半导体元件驱动装置以及电力转换

[发明专利]半导体电路控制方法和应用其的功率转换器-CN202080090750.6在审
发明人：三好智之;铃木弘 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：响应对栅极控制型二极管(203)的栅极电极(81)施加的电压，在半导体衬底内控制漂移区域(87)的载流子浓度。在反向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生电子层的零偏置或正偏置的电压信号。在正向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生空穴层的负偏置的电压信号。在正向恢复状态之后，从负偏置切换为施加零偏置或正偏置的电压信号。栅极控制型二极管(203)根据与其串联连接的IGBT的非导通期间，来对施加零偏置或正偏置的期间进行可变控制。
半导体电路控制方法应用功率转换器

[发明专利]半导体器件和使用其的电力转换装置及半导体器件的驱动方法-CN201980092895.7在审
发明人：三好智之;古川智康;竹内悠次郎;铃木弘;白石正树 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：为了提供一种能够实现低损失的性能和相对于温度、通电条件稳定的dvCE/dt的开关的半导体器件，半导体器件包括具有第1栅极端子和第2栅极端子的双栅极IGBT，第1栅极端子在双栅极IGBT从非导通状态向导通状态转移时，比第2栅极端子提前第1规定时间地被施加阈值电压以上的电压，第2栅极端子在双栅极IGBT从导通状态向非导通状态转移时，比第1栅极端子提前第2规定时间地被施加小于阈值电压的电压，第1规定时间和第2规定时间被可变地控制，以使得从非导通状态向导通状态转移时和从导通状态向非导通状态转移时产生的双栅极IGBT的集电极发射极间电压的随时间的变化大致一定。
半导体器件使用电力转换装置驱动方法

[发明专利]功率转换装置、电动机控制系统和功率转换装置的诊断方法-CN201880037669.4有效
发明人：木村嘉伸;谷和树;小川贵史;铃木弘;坂野顺一 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H02P29/68 文献下载
摘要：本发明提供一种功率转换装置、电动机控制系统和功率转换装置的诊断方法，其精度良好地检测功率模块的温度异常。一种功率转换装置，其包括具有开关元件的功率用半导体模块，该功率转换装置还包括：栅极驱动电路，其驱动开关元件，发送开关元件的开关动作时产生的响应信号；控制部装置，其对栅极驱动电路输出用于开关的指令信号；温度检测部，其基于与指令信号对应的响应信号，计算开关元件的结温；和运算部，其根据由温度检测部计算出的结温和响应信号，判断功率用半导体模块的状态。
功率转换装置电动机控制系统诊断方法

[发明专利]栅极驱动电路和栅极驱动方法-CN201980025569.4在审
发明人： 铃木弘;栗原直树 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明的目的涉及在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件的栅极驱动电路中抑制栅极‑源极间电压的变动。为此，本发明的栅极驱动电路是通过将P型MOSFET和N型MOSFET串联连接并将N型MOSFET与负侧电源直接连接而构成的，是位于P型MOSFET与N型MOSFET的中间的输出级在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件处于关断状态时成为负偏压的结构。根据本发明，因为用过渡阻抗小的MOSFET构成输出级，所以能够抑制使用了SiC的电压驱动型的半导体元件的驱动时的栅极‑源极间电压的变动，在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件关断中使栅极成为负偏压，所以能够防止误导通。从而能够提供适合SiC元件的驱动的高可靠性的栅极驱动电路。
栅极驱动电路方法

[发明专利]燃料电池用电极框架组件的制造方法及制造装置-CN201480037629.1有效
发明人：金井伸夫;林友和;水野惠介;铃木弘 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：抑制在制造燃料电池用电极框架组件时的错位。燃料电池用电极框架组件的制造方法包括如下的工序：(a)将框架与扩散层重叠而配置；及(b)在使所述扩散层与所述框架重叠的状态下对所述扩散层与所述框架进行冲裁，从而在所述框架形成开口部，所述开口部具有与冲裁出的所述扩散层匹配的形状。
扩散层燃料电池用电框架组件开口部冲裁制造制造装置匹配错位配置

[发明专利]半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置-CN201380063386.4在审
发明人： 铃木弘;白石正树;渡邉聡;石丸哲也 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种半导体装置，能够提高导通开关期间中的dv/dt的利用栅极驱动电路的控制性。具备多个沟槽栅群，该沟槽栅群包括相互邻接的3个以上的沟槽栅，相邻的2个沟槽栅群的间隔比在一个沟槽栅群中相邻的2个沟槽栅的间隔宽。由此，栅极-发射极间电容增大，所以能够提高导通开关期间中的dv/dt的利用栅极驱动电路的控制性。
半导体装置以及使用电力变换

[发明专利]半导体装置及使用其的电力转换装置-CN201210247689.9有效
发明人：渡边聪;白石正树;铃木弘;森睦宏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种低损失、高耐压、输出电压的dV/dt的控制容易且容易制造的IGBT。其具备：第一导电型的第一半导体层；第一半导体层的表面上的第二导电型的第二半导体层；形成在第一半导体层的表面上的沟槽；第一半导体层的表面上的半导体凸部；形成在半导体凸部的表面上的第三半导体层；第三半导体层的表面上的第四半导体层；沿着沟槽的内壁设置的栅极绝缘层；沿着沟槽的内壁设置的第一层间绝缘层；隔着栅极绝缘层而与第四半导体层对置的第一导电层；第一眉间绝缘层的第二导电层；覆盖第二导电层的表面的第二层间绝缘层；形成在第三半导体层与第四半导体层的表面上且与所述第四半导体层电连接的第三导电层；将第三导电层和第三半导体层连接的触点部；形成在第二半导体层的表面上的第四导电层，半导体凸部的表面的一部分为第一半导体层。
半导体装置使用电力转换

[发明专利]半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置-CN201080060476.4有效
发明人：白石正树;森睦宏;铃木弘;渡边聪 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-01-04 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
半导体装置使用电力转换

[发明专利]半导体装置以及功率变换装置-CN201210001137.X有效
发明人：白石正树;森睦宏;铃木弘;渡边聪 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，能够在保持低损失和高耐压的同时，提高栅极驱动电路对在导通开关时间段中的dv/dt的控制性。该半导体装置设置有：第1导电型的第1半导体层(4)；在其表面附近形成的第2导电型的第2半导体层(2)；与其电连接的第1主电极(11)，与第1半导体层(4)邻接且在与第2半导体层(2)相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层(6)；在其上部上选择性地设置的第1导电型的第4半导体层(7)；与第3半导体层(6)以及第4半导体层(7)电连接的第2主电极(14)；其侧面与第4半导体层(7)和第3半导体层(6)接触且达到第1半导体层(4)的沟槽(17)；沿着该侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极(9)；以及在沟槽(17)内离开栅极电极(9)而设置且与第2主电极(14)电连接的多晶硅电极(18)。
半导体装置以及功率变换

[发明专利]膜伸展装置-CN200980142089.2有效
发明人：原田浩志;铃木弘;监物敏明 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社常盤制作所
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： B29C55/08 文献下载
摘要：一种在保持膜材料(2)在所述膜材料的宽度方向上的端部的同时沿预定的输送方向(A)输送所述膜材料以使所述膜材料沿所述宽度方向伸展的膜伸展装置包括保持单元(3)，所述保持单元包括伸展辊(R1)和无端的线丝(12)，所述伸展辊具有形成在所述伸展辊的外周上的环形槽(11)，所述无端的线丝在所述环形槽的预定的转角范围上以圆弧状配合在所述环形槽内，以使得所述膜材料在所述膜材料的所述宽度方向上的所述端部被挤夹。所述伸展辊倾斜成朝所述膜材料的所述输送方向上的下游侧张开。所述保持单元在利用所述伸展辊和所述无端的线丝挤夹所述膜材料的同时沿所述输送方向输送所述膜材料，由此所述膜材料沿所述宽度方向被伸展。
伸展装置

[发明专利]聚合物电解质膜、制造聚合物电解质膜的方法和固体聚合物燃料电池-CN200980128524.6有效
发明人：竹下慎也;铃木弘 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：本发明提供了具有良好的抗自由基性的聚合物电解质膜。聚合物电解质膜的特征在于在聚合物电解质中含有有机/无机混合粒子，其中作为自由基清除剂的无机粒子的表面被有机化合物改性。作为其中无机粒子的表面被有机化合物改性的有机/无机混合粒子，通过使无机粒子与有机化合物在溶剂中反应由超临界或亚临界水热合成法制成的自由基清除剂是优选的。
聚合物电解质膜制造方法固体燃料电池

[发明专利]复合型电解质膜、膜电极组件、燃料电池及用于制造它们的方法-CN200880117847.0有效
发明人： 铃木弘 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：一种用于制造复合型电解质膜的方法，包括：将层叠体(10A)折叠成使得所述层叠体(10A)的表面的一部分位于该表面的另一部分上的第一折叠工序，所述层叠体是通过使作为电解质层的具有电解质的电解质板片(11)与作为加强层的具有多孔聚合物材料的加强板片(12)层叠和一体化而获得的；使被折叠的所述层叠体(10B)的所述电解质浸渍到所述加强层中的浸渍工序；和使所述层叠体(10C)中浸渍的所述电解质水解的水解工序。
复合型电解质膜电极组件燃料电池用于制造它们方法

[发明专利]电连接构造及天线装置-CN200910004271.3有效
发明人：佐藤久一;铃木弘;镰田谦一;加藤隆夫 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及电连接构造及天线装置。天线装置(1)具有：底座(3)，覆盖在底座上的盖(4)，在竖立在底座上的状态下容纳在盖内的电路板(5)，安装在电路板上的连接端子(10)，在电路板之上设置在盖上的支撑金属件(45)，安装在支撑金属件上的天线元件(46)。连接端子(10)具有：沿着电路板的上端面(51)设置的卡定部(11)；与卡定部的一端部连接夹持片(12)；与上述卡定部的另一端连接，并将电路板夹持在与夹持片(12)之间的夹持片(13)；与夹持片(13)连接，且在其连接部向夹持片(13)一侧折弯的片簧部(14)；支撑金属件(45)向扩大夹持片(13)与片簧部(14)构成的内角的方向挤压。
连接构造天线装置

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