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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201610068979.5有效
发明人：加藤浩朗;西胁达也;新井雅俊;胜田浩明;吉冈千香子;鉾本吉孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、导电层、栅极电极、以及第1电极。导电层具有第1部分、第2部分以及第3部分。第1部分设在第1区域之上。第1部分隔着第1绝缘部被第1半导体区域包围。第2部分在第2方向上延伸。第2部分设在第1半导体区域之上。第2部分位于第2区域之上。第3部分连接在第1部分与第2部分之间。第3部分在第3方向上延伸。第1电极与第3半导体区域以及导电层电连接。在第1电极与第3部分之间，连接有第2部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410101714.1有效
发明人：西脇達也;鉾本吉孝;新井雅俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在本发明的实施方式的半导体装置的制造方法中，蚀刻栅极多晶硅（5）直到从第1半导体层（2）的表面凹陷到栅极沟槽（3）内。层间绝缘膜（6）形成在栅极沟槽（3）内的栅极多晶硅（5）上。通过蚀刻第1半导体层（2）的表面，层间绝缘膜（6）从第1半导体层（2）的表面突出。通过蚀刻从层间绝缘膜（6）延伸并覆盖第3半导体层（8）的表面上的绝缘膜（9）的表面直到第3半导体层（8）的表面露出，从而形成具有绝缘膜（9）的井壁（9）。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510533043.0在审
发明人：新井雅俊;鉾本吉孝;西胁达也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，包括第一电极以及连接至第一电极的第一导电型的第一半导体层。半导体装置还包括：设置于第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层；设置于第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层；以及设置于第三半导体层上的第二电极。半导体装置还包括设置于第一电极与第二电极之间的第三电极。半导体装置还包括具有连接至第二电极的上端部的第四电极，其中，第四电极具有比第二电极高的电阻率。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410657709.9在审
发明人： 鉾本吉孝;西脇达也;新井雅俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第1半导体层，具有第1区域和第2区域；第2半导体层，被设置于第1半导体层上侧；第3半导体层，被选择性地设置于第2半导体层上侧；控制电极，在第2半导体层以及第3半导体层中隔着绝缘膜而被设置；第1导电体，以隔着绝缘膜与控制电极以及第1半导体层相接的方式设置于第1半导体层内，相比控制电极而更位于第1半导体层侧；第2导电体，在第2区域中，在从第3半导体层朝向第1半导体层的方向上延伸，在第1半导体层内隔着绝缘膜而被设置；第1电极，与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层电连接；以及第2电极，与第1半导体层电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200610019828.7有效
发明人： 鉾本吉孝;高野彰夫;田中文悟 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种能够减小反馈电容的半导体器件。作为功率MOSFET的半导体器件(1)，在单元(9)侧形成漏电极(45)，在硅衬底(3)的背面形成源电极(7)。使源区(13)和基区(25)短路的短路电极(35)的一部分，隔着第一层间绝缘膜(31)位于栅电极(17)的上表面(53)之上。关于从源区(13)向漏区(11)的方向，使短路电极(35)的侧面(47)的位置与栅电极(17)的漏区侧的侧面(51)的位置相同。
半导体器件

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