专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210060771.4在审
  • 张世明;文浚硕;肖德元;洪玟基;李庚泽;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-19 - 2023-08-01 - H01L21/8234
  • 本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括:提供开设有第一沟槽且包括位于相邻第一沟槽之间的有源柱体的基底;于有源柱体内形成底部高于或等于第一沟槽的底部的第二沟槽;于第一沟槽内形成第一介质层及保护层,第一介质层位于保护层与有缘柱体之间,且第一介质层的上表面低于有缘柱体的上表面;于第一沟槽暴露出的侧壁及第二沟槽的侧壁形成第二介质层,第二介质层与保护层之间形成有第三沟槽,第二介质层之间形成有第四沟槽;于第三沟槽及第四沟槽内形成字线结构;于字线结构上形成与保护层间隔设置且与有源柱体相接触的接触结构。降低了半导体结构的漏电流,改善了半导体结构的泄露特性。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210048953.X在审
  • 张世明;文浚硕;肖德元;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-17 - 2023-07-25 - H01L21/8234
  • 本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括:提供基底,基底中开设有第一沟槽;于第一沟槽内形成第一介质层及保护材料层;第一介质层位于保护材料层与基底之间,第一介质层的上表面低于基底的上表面,以暴露出第一沟槽的部分侧壁;于第一沟槽暴露出的侧壁形成第二介质层,第二介质层与保护材料层之间形成有第二沟槽,且第二介质层与第一介质层相接触;于第二沟槽内填充形成功函数结构,功函数结构包括第一功函数层和第二功函数层;其中,第二功函数层位于第一功函数层的上表面,且第二功函数层的功函数小于第一功函数层的功函数。在不改变电阻的情况下,降低了半导体结构的漏电流,提高了半导体结构的电稳定性和性能。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210018352.4在审
  • 张世明;文浚硕;肖德元;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-07 - 2023-07-18 - H10B12/00
  • 本申请提供一种半导体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,该半导体结构包括基底和第一导电层,基底内具有多个沿第一方向延伸的第一沟槽和多个沿第二方向延伸的第二沟槽,第一沟槽和第二沟槽之间包括多个有源柱,其中,第一方向和第二方向相交,第一导电层位于有源柱沿第一方向上的部分侧壁。本申请通过在有源柱沿第一方向上的部分侧壁上设置第一导电层,增加有源柱在第一方向的尺寸,以达到增加了有源柱的面积的目的,进而降低与后续在有源柱上形成的电容接触之间的接触电阻,提高了半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]字线结构及形成方法、半导体结构-CN202111273068.3在审
  • 张世明;文浚硕;肖德元;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-10-29 - 2023-05-09 - H10B12/00
  • 本公开提供了一种字线结构及形成方法、半导体结构,涉及存储器技术领域。该字线结构形成方法包括:提供基底,所述基底包括衬底,在所述衬底上形成多个间隔排布的字线沟槽和有源区柱;在所述有源区柱上形成绝缘层,并在相邻的所述绝缘层之间填充第一隔离层;处理所述绝缘层,在处理后的所述绝缘层上形成环形栅极;回刻蚀所述第一隔离层,使所述第一隔离层的顶部低于所述环形栅极的底部;在所述环形栅极的顶部沉积第二隔离层,所述第一隔离层和所述第二隔离层之间形成气隙结构。通过该字线结构形成方法形成的字线结构中的环形栅极之间会形成气隙结构,通过气隙结构可以减小相邻的环形栅极之间的寄生电容,降低了时延噪声,提高了器件的性能。
  • 结构形成方法半导体
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111243341.8在审
  • 张世明;文浚硕;肖德元;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-10-25 - 2023-04-28 - H10B12/00
  • 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:包括间隔排布的位线和半导体通道的基底,位线沿第一方向延伸,半导体通道位于位线的部分顶面,且在垂直于位线顶面的方向上,半导体通道包括依次排列的第一区、第二区和第三区;介质层,位于相邻位线之间且位于半导体通道表面;第一栅极层,环绕第二区的介质层且沿第二方向延伸,第一方向与第二方向不同;第二栅极层,环绕第三区的介质层,在垂直于位线顶面的方向上,第二栅极层与第一栅极层间隔设置;绝缘层,位于同一位线上的相邻半导体通道之间且隔离位于相邻介质层上的第一栅极层和第二栅极层。本申请实施例至少可以提高半导体结构的电学性能。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111243328.2在审
  • 张世明;文浚硕;肖德元;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-10-25 - 2023-04-28 - H10B12/00
  • 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:包括间隔排布的位线和半导体通道的基底,位线沿第一方向延伸,半导体通道位于位线的部分顶面,且在垂直于位线顶面的方向上,半导体通道包括依次排列的第一区、第二区和第三区;介质层,位于相邻位线之间且位于半导体通道侧壁;栅极,环绕第二区的介质层且沿第二方向延伸,第一方向与第二方向不同;金属半导体化合物层,位于半导体通道顶面;扩散阻挡层,至少环绕金属半导体化合物层侧壁;绝缘层,位于同一位线上的相邻半导体通道之间且隔离位于相邻介质层上的栅极和扩散阻挡层。本申请实施例至少可以提高半导体结构的电学性能。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [实用新型]一种便捷松土装置-CN202223203051.3有效
  • 何志明;金若兰 - 何志明
  • 2022-11-29 - 2023-03-21 - A01B35/08
  • 本实用新型涉及一种便捷松土装置,具有矩形底框、竖直的固定在矩形底框上方表面四顶角处的立柱和固定在四立柱顶部的顶座,矩形底框底部四顶角处分别安装有行走轮,矩形底框内两侧分别固定有两安装座,两安装座上分别设有一排贯通状的滑动孔,滑动孔内分别贯穿滑动安装有导杆,导杆位于安装座下方的端部分别安装有松土铲;位于同一安装座上的导杆顶部固定有承压板,顶座上分别竖直的贯穿固定有两电动缸。电动缸推动松土铲交替下移松土代替传统使用锄头及铲锹进行松土,降低工作人员劳动量,在行走轮的作用下可推动装置向前移动,实现移动式松土作业,适用于大面积的松土工作,提高松土效率,具有较大的使用效果,适合广泛推广。
  • 一种便捷松土装置
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210449990.1在审
  • 张世明;文浚硕;肖德元;洪玟基;金若兰;李庚泽 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-26 - 2022-07-22 - H01L27/108
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:基底,基底具有阵列区和外围区,阵列区具有竖直晶体管结构,竖直晶体管结构在阵列区内呈阵列分布,外围区围绕阵列区;第一栅极层,环绕竖直晶体管结构且沿第一方向延伸;第二栅极层,环绕竖直晶体管结构,且沿第一方向上,第二栅极层与第一栅极层环绕同一竖直晶体管结构,第二栅极层与第一栅极层间隔设置,且第一栅极层和第二栅极层均延伸至外围区;电连接结构,位于外围区,且与第一栅极层和第二栅极层接触电连接。本公开实施例至少有利于在降低竖直晶体管结构的漏电流的同时,实现对第一栅极层电位和第二栅极层电位的控制。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]电容打开层的套刻误差回补方法-CN201911015756.2有效
  • 李卫;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-10-24 - 2022-07-05 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种电容打开层的套刻误差回补方法,包括获取当前批次器件的测试区域的轮廓图片;根据所述轮廓图片,获取所述测试区域的电容打开层与所述电容层之间的套刻误差;通过当前批次器件的所述套刻误差,回补曝光下一批次器件的电容打开层。相邻批次的器件具有相似的制造工艺条件和材料条件,因此相邻批次的器件也具有相近的性能参数,本发明通过获取当前批次器件的套刻误差,并基于套刻误差回补曝光下一批次器件,实现了对电容打开孔的制作工艺制程的有效反馈和调控,提高了电容打开层合格器件的产出率。
  • 电容打开误差方法
  • [发明专利]半导体结构的轮廓的判断方法-CN202110284726.2有效
  • 金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-03-17 - 2022-05-24 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种半导体结构的轮廓的判断方法,所述方法包括:获取电子束的最佳倾斜角度后,使用所述电子束以所述最佳倾斜角度照射所述半导体结构的侧壁,以得到所述半导体结构的侧壁在垂直于所述电子束入射方向的平面内的正投影的量测宽度;并基于所述量测宽度判断所述半导体结构的底部是否存在颈缩。本发明的判断方法无需破坏晶圆,即可以通过在线量测准确判断半导体结构的底部是否存在颈缩,耗时较少,且无需破坏晶圆,可以明显节约成本,判断结果与切片量测结构关联度更高,判断结构准确性高。
  • 半导体结构轮廓判断方法
  • [发明专利]导电结构电性缺陷分析方法、电性参数分析方法及系统-CN202110383142.0有效
  • 金若兰;洪玟基 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-04-09 - 2022-04-29 - G01R31/00
  • 本公开提供一种导电结构电性参数分析方法、导电结构电性缺陷分析方法及导电结构电性参数分析系统,涉及半导体技术领域。该分析方法包括:根据预设的图形化工艺步骤形成间隔排布的线形导电结构,导电结构由多个线形前序图形结构形成,各前序图形结构分别对应不同的图形化工艺;获取任一前序图形结构的图案化参数;根据图案化参数计算导电结构的电阻变化值及电容变化值;根据电阻变化值和电容变化值计算前序图形结构的图案化参数对导电结构的导电速率变化值。本公开的分析方法可为后续进行工艺改进提供数据支持。
  • 导电结构缺陷分析方法参数系统
  • [发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构-CN202111252372.X在审
  • 张世明;肖德元;文浚硕;金若兰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-10-27 - 2022-03-01 - H01L21/764
  • 本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。本公开提供的半导体结构的制备方法,包括:提供衬底,所述衬底上具有同向排列的第一沟槽;在所述第一沟槽侧壁上形成保护层;在所述第一沟槽底部形成第二沟槽,所述第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度;在所述第二沟槽侧壁形成第一隔离层,以缩小所述第二沟槽的开口尺寸;填充所述第一沟槽和第二沟槽,形成第二隔离层,并在所述第二沟槽内形成空隙;在所述衬底形成第三沟槽,所述第三沟槽垂直于所述第一沟槽;在所述第三沟槽内形成位线。本公开通过在位线沟槽内部引入具有空隙结构的隔离层,以降低位线寄生电容,提高了半导体结构的电稳定性。
  • 半导体结构制备方法

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