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- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210048953.X在审
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张世明;文浚硕;肖德元;金若兰
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-17
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2023-07-25
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H01L21/8234
- 本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括:提供基底,基底中开设有第一沟槽;于第一沟槽内形成第一介质层及保护材料层;第一介质层位于保护材料层与基底之间,第一介质层的上表面低于基底的上表面,以暴露出第一沟槽的部分侧壁;于第一沟槽暴露出的侧壁形成第二介质层,第二介质层与保护材料层之间形成有第二沟槽,且第二介质层与第一介质层相接触;于第二沟槽内填充形成功函数结构,功函数结构包括第一功函数层和第二功函数层;其中,第二功函数层位于第一功函数层的上表面,且第二功函数层的功函数小于第一功函数层的功函数。在不改变电阻的情况下,降低了半导体结构的漏电流,提高了半导体结构的电稳定性和性能。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]字线结构及形成方法、半导体结构-CN202111273068.3在审
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张世明;文浚硕;肖德元;金若兰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-10-29
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2023-05-09
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H10B12/00
- 本公开提供了一种字线结构及形成方法、半导体结构,涉及存储器技术领域。该字线结构形成方法包括:提供基底,所述基底包括衬底,在所述衬底上形成多个间隔排布的字线沟槽和有源区柱;在所述有源区柱上形成绝缘层,并在相邻的所述绝缘层之间填充第一隔离层;处理所述绝缘层,在处理后的所述绝缘层上形成环形栅极;回刻蚀所述第一隔离层,使所述第一隔离层的顶部低于所述环形栅极的底部;在所述环形栅极的顶部沉积第二隔离层,所述第一隔离层和所述第二隔离层之间形成气隙结构。通过该字线结构形成方法形成的字线结构中的环形栅极之间会形成气隙结构,通过气隙结构可以减小相邻的环形栅极之间的寄生电容,降低了时延噪声,提高了器件的性能。
- 结构形成方法半导体
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111243341.8在审
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张世明;文浚硕;肖德元;金若兰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-10-25
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2023-04-28
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H10B12/00
- 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:包括间隔排布的位线和半导体通道的基底,位线沿第一方向延伸,半导体通道位于位线的部分顶面,且在垂直于位线顶面的方向上,半导体通道包括依次排列的第一区、第二区和第三区;介质层,位于相邻位线之间且位于半导体通道表面;第一栅极层,环绕第二区的介质层且沿第二方向延伸,第一方向与第二方向不同;第二栅极层,环绕第三区的介质层,在垂直于位线顶面的方向上,第二栅极层与第一栅极层间隔设置;绝缘层,位于同一位线上的相邻半导体通道之间且隔离位于相邻介质层上的第一栅极层和第二栅极层。本申请实施例至少可以提高半导体结构的电学性能。
- 半导体结构及其制造方法
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111243328.2在审
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张世明;文浚硕;肖德元;金若兰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-10-25
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2023-04-28
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H10B12/00
- 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:包括间隔排布的位线和半导体通道的基底,位线沿第一方向延伸,半导体通道位于位线的部分顶面,且在垂直于位线顶面的方向上,半导体通道包括依次排列的第一区、第二区和第三区;介质层,位于相邻位线之间且位于半导体通道侧壁;栅极,环绕第二区的介质层且沿第二方向延伸,第一方向与第二方向不同;金属半导体化合物层,位于半导体通道顶面;扩散阻挡层,至少环绕金属半导体化合物层侧壁;绝缘层,位于同一位线上的相邻半导体通道之间且隔离位于相邻介质层上的栅极和扩散阻挡层。本申请实施例至少可以提高半导体结构的电学性能。
- 半导体结构及其制造方法
- [实用新型]一种便捷松土装置-CN202223203051.3有效
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何志明;金若兰
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何志明
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2022-11-29
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2023-03-21
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A01B35/08
- 本实用新型涉及一种便捷松土装置,具有矩形底框、竖直的固定在矩形底框上方表面四顶角处的立柱和固定在四立柱顶部的顶座,矩形底框底部四顶角处分别安装有行走轮,矩形底框内两侧分别固定有两安装座,两安装座上分别设有一排贯通状的滑动孔,滑动孔内分别贯穿滑动安装有导杆,导杆位于安装座下方的端部分别安装有松土铲;位于同一安装座上的导杆顶部固定有承压板,顶座上分别竖直的贯穿固定有两电动缸。电动缸推动松土铲交替下移松土代替传统使用锄头及铲锹进行松土,降低工作人员劳动量,在行走轮的作用下可推动装置向前移动,实现移动式松土作业,适用于大面积的松土工作,提高松土效率,具有较大的使用效果,适合广泛推广。
- 一种便捷松土装置
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