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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201910609149.2有效
发明人：梁正吉;金相秀;金善昱;裵金钟;宋昇珉;郑秀真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：鳍型有源区，沿第一方向延伸、从衬底突出；多个纳米片堆叠结构；阻挡膜，覆盖所述多个纳米片堆叠结构之中与鳍型有源区的两侧相邻的一对纳米片堆叠结构的每个的上表面的一部分和一个侧壁；栅电极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅电极包括围绕所述多个纳米片的实际栅电极和设置在阻挡膜上的虚设栅电极；以及栅极电介质层，在实际栅电极与所述多个纳米片之间以及虚设栅电极与阻挡膜之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910747785.1有效
发明人：梁正吉;金相秀;权兑勇;许盛祺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
半导体器件

[发明专利]采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件-CN201810358912.4有效
发明人：金锡勋;金相秀;高铤槿;李善佶;赵真英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入(PAI)工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。
采用应力记忆技术制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN202110492684.1在审
发明人：朴俊范;金相秀;梁正吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第一长度，水平方向与竖直方向垂直；第二源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第二长度，第二长度小于第一长度；边界沟道，在第一源/漏结构和第二源/漏结构之间延伸，边界沟道在竖直方向上彼此间隔开；至少一个牺牲图案，在边界沟道中的相邻的边界沟道之间；以及沟槽，穿透边界沟道和至少一个牺牲图案。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202011549549.8在审
发明人： 金相秀;朴俊范;梁正吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上纵长地延伸；栅极结构，位于所述有源图案上，所述栅极结构在与所述衬底的所述上表面平行且与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道，沿着与所述衬底的所述上表面垂直的第三方向彼此间隔开，每个所述沟道沿着所述第一方向延伸穿过所述栅极结构；源极/漏极层，位于所述有源图案的在所述第一方向上与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极/漏极层接触所述沟道；内部间隔物，位于所述栅极结构与所述源极/漏极层之间，所述内部间隔物接触所述源极/漏极层；以及沟道连接部分，位于每个所述内部间隔物与所述栅极结构之间，所述沟道连接部分将所述沟道彼此连接。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201610293686.7有效
发明人：李在焕;金相秀;洪祥赫;河承模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：形成从衬底突出的有源图案；在所述有源图案上形成衬里层；在所述衬里层上形成与所述有源图案交叉的牺牲栅极图案；在所述有源图案上以及在所述牺牲栅极图案的两侧形成源极/漏极区；形成层间绝缘层以覆盖所述源极/漏极区；在所述层间绝缘层上形成多个封盖绝缘图案，以暴露所述牺牲栅极图案；以及通过使用所述封盖绝缘图案作为刻蚀掩模的刻蚀工艺去除所述牺牲栅极图案和所述衬里层，以形成暴露所述有源图案的间隙区。所述有源图案包括具有比所述衬底的晶格常数大的晶格常数的材料，并且所述封盖绝缘图案包括相对于所述衬里层具有刻蚀选择性的材料。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201610230485.2有效
发明人：李正韩;李在焕;金相秀;崔桓昱;李泰宗;河承模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍、在有源鳍和隔离层上的栅结构、以及覆盖栅结构的侧壁的栅间隔物结构。栅结构的侧壁包括分别具有第一坡度、第二坡度和第三坡度的第一区域、第二区域和第三区域。第二坡度从第二区域的底部朝向顶部增大。第二坡度在第二区域的底部具有小于第一坡度的值。第三坡度大于第二坡度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010681259.2在审
发明人：林杠默;金相秀;朴雨锡;朱大权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种包括位于衬底上的有源区的半导体器件。多个沟道层在所述有源区上间隔开。设置栅极结构。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交。所述栅极结构围绕所述多个沟道层。源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置在所述有源区上。所述源极/漏极区与所述多个沟道层接触。下绝缘层在所述源极/漏极区上设置在所述栅极结构的侧表面之间。接触插塞穿过所述下绝缘层。所述接触插塞接触所述源极/漏极区。隔离结构在所述衬底上与所述有源区相交，并且设置在彼此相邻的所述源极/漏极区之间。每个所述栅极结构包括包含彼此不同的材料的栅电极和栅极覆盖层。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201510136837.3有效
发明人：前田茂伸;权兑勇;金相秀;朴在厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。该半导体器件可以包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
半导体器件

[发明专利]包括功能层的半导体器件及其制造方法-CN201911004608.0在审
发明人：林杠默;金相秀;朴雨锡;许盛祺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：基板；有源区，设置在基板上并沿第一方向延伸；与有源区相邻的器件隔离层；设置在有源区中的栅极结构，该栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向延伸并覆盖器件隔离层的一部分；栅极分离图案，接触栅极结构的端部；以及杂质区，设置在栅极分离图案下方并在器件隔离层上。
包括功能半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410393679.5有效
发明人：梁正吉;金相秀;权兑勇;许盛祺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410232029.2有效
发明人：权兑勇;金相秀;梁正吉;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底、化合物半导体层和第一半导体图案和第二半导体图案。衬底包括第一区和第二区。第一半导体图案位于第一区的化合物半导体层上，并包括元素半导体。第二半导体图案位于第二区的化合物半导体层上，并包括III‑V族半导体材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电缆夹-CN201510181355.X在审
发明人： 金相秀;金贤修;朴翔培;金敏桓 -专利权人： 金相秀;金贤修;力新科技股份有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： F16L3/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种电缆夹。该电缆夹包含了以下部分：最下侧上具备的，支持上面的第1电缆的下部的第1半圆形槽和支持第2电缆的下部的第2半圆形槽互相邻接所形成的第1夹具支持台；第1夹具支持台上具备的，支持下面的第1电缆的上部的第3半圆形槽和支持第2电缆的上部的第4半圆形槽互相邻接所形成的，支持上面第3电缆的下部的第5半圆形槽所形成的第2夹具支持台；及第2夹具支持台上具备的，支持下面第3电缆的上部的第6半圆形槽所形成的第3夹具支持台。其中，第1电缆，第2电缆及第3电缆各自的外周面上贴紧支持。根据本发明的电缆夹，即使在电缆的大小发生变更时，也可坚固地支持电缆。
电缆

[发明专利]软管夹及其制造方法-CN201510523811.4在审
发明人：吴仁焕;金相秀 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： F16L33/02 文献下载
摘要：一种软管夹及其制造方法，该软管夹包括由钢材料制成的本体和形成在本体的表面上的复合涂覆膜。利用基于硅酸盐的材料对复合涂覆膜进行透明后处理使得在软管夹中适当稀释硅酸盐无机粘结剂和丙烯酸无机粘结剂以执行透明后处理涂覆，从而防止由电位差导致的腐蚀并提高可视度。可以防止由于遗漏软管夹的紧固而导致的诸如冷却剂泄漏和发动机燃烧等现象以提高车辆的可销售性和耐用性。
软管及其制造方法

[发明专利]面部加压按摩器-CN201210356829.6无效
发明人： 金相秀 -专利权人： 金相秀
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： A61H23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种面部加压按摩器，它具有戴在使用者头部的弹性框和安装在弹性框两端部的加压板，从而可以从两侧对使用者的面部加压并进行矫正。
面部加压按摩

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