专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电容性负荷驱动电路和等离子体显示面板-CN200810168915.8无效
  • 安藤仁;吉田诚也;松永弘树;金田甚作 - 松下电器产业株式会社
  • 2008-09-27 - 2009-04-01 - G09G3/28
  • 一种电容性负荷驱动电路和等离子体显示面板,其中扫描驱动部(202)包括:移位寄存器部(11),接受扫描数据信号(8)和扫描时钟信号(9);多个脉冲宽度控制电路(211),分别接受移位寄存器部(11)的输出信号和负极性脉冲宽度控制信号(220),分别输出使用负极性脉冲宽度控制信号(220)控制了脉冲宽度的信号;消隐部(12),接受多个脉冲宽度控制电路(211)的输出信号和消隐信号(10);以及多个高电压输出部,对通过消隐部(12)输入的多个脉冲宽度控制电路(211)的各输出信号进行放大,将控制了脉冲宽度的负极性脉冲依次输出到扫描电极。由此提供一种能够与时钟频率的上升对应,并且能够分别调整施加到扫描电极的负极性脉冲的宽度的PDP。
  • 电容负荷驱动电路等离子体显示面板
  • [发明专利]驱动电路-CN200510097814.2有效
  • 前田荣作;安藤仁;金田甚作;前岛明广;松永弘树 - 松下电器产业株式会社
  • 2005-08-30 - 2006-03-08 - G09G3/28
  • 本发明提供一种即使自低压电源供给的电源电压VDD比推荐工作电源电压低,也能够防止CMOS输出部的穿通电流发生的驱动电路。该驱动电路包括:电平移位部(13)和CMOS输出部(14),其中电平移位部(13)具有源极与高压电源连接、漏极与IN4连接、栅极与IN5连接的P型MOS晶体管(2),源极与高压电源连接、漏极与IN5连接、栅极与IN4连接的P型MOS晶体管(3),源极接地、漏极与IN4连接、栅极接收低压信号的N型MOS晶体管(5),以及源极接地、漏极与IN5连接的N型MOS晶体管(6);CMOS输出部(14)具有P型MOS晶体管(1)及N型MOS晶体管(4);P型MOS晶体管(2)的驱动电流比N型MOS晶体管(5)的驱动电流大。
  • 驱动电路
  • [发明专利]半导体集成电路器件-CN200510075432.X有效
  • 前田荣作;前岛明广;松永弘树;金田甚作;笹田昌彦 - 松下电器产业株式会社
  • 2005-06-01 - 2005-12-07 - H01L23/52
  • 本发明涉及一种三值输出多通道半导体集成电路的布图,提供一种提高半导体集成电路的集成度、用于使输出特性稳定的最佳半导体集成电路的布图设计。三值输出电路构成为:以输出连接焊盘为中心、在一方配置第二高侧晶体管(5)、二极管(8)、第二电平移位电路(7),在另一方配置低侧晶体管(10)、第一高侧晶体管(4)、第一电平移位电路(6)、前置驱动器(9),将各单元排列成一列,且第二高侧晶体管(5)和低侧晶体管(10)夹持输出连接焊盘(11),上述第一电平移位电路(6)、上述第二电平移位电路(7)和上述前置驱动器(9)的单元宽度相当于上述低侧晶体管(10)的单元宽度。
  • 半导体集成电路器件

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