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[发明专利]半导体存储装置-CN202210899471.5在审
发明人： 金子二四三;妹尾真言;葛西央伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，可实现错误检测、纠正的处理时间的缩短。本发明的闪存(100)具有NAND芯片(200)及ECC芯片(300)。NAND芯片(200)具有可在与ECC芯片(300)之间传输数据的、专用的输入输出端子(220)，ECC芯片(300)具有可在与NAND芯片(200)之间传输数据的、专用的输入输出端子(320)。在NAND芯片(200)中进行读出动作时，NAND芯片(200)经由专用的输入输出端子(220)将包含奇偶校验数据的读出数据传输至ECC芯片(300)，ECC芯片(300)基于奇偶校验数据进行读出数据的错误检测、纠正，将纠正数据经由输入输出端子(330)传输至控制器(400)。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及读出方法-CN202210914989.1在审
发明人： 金子二四三;妹尾真言;葛西央伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及读出方法，可实现错误检测及纠正的处理的高速化且达成小型化。本发明的闪存(100)具有NAND芯片(200)及ECC芯片(300)。NAND芯片(200)包括存储器阵列、以及包含锁存器(L1)及锁存器(L2)的页缓冲/感测电路。ECC芯片(300)包含RAM_E、RAM_O，此RAM_E、RAM_O保持从NAND芯片(200)的锁存器(L1、L2)输出的读出数据，RAM_E保持第偶数个扇区的数据，RAM_O保持第奇数个扇区的数据，可通过使RAM_E或RAM_O交替保持扇区的数据从而削减RAM_E、RAM_O的数据尺寸。
半导体存储装置读出方法

[发明专利]半导体存储装置及读出方法-CN202210916892.4在审
发明人： 金子二四三;妹尾真言;葛西央伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及读出方法，可实现错误检测、纠正的处理时间的高速化且达成小型化。本发明的闪存(100)具有NAND芯片(200)及ECC芯片(300)。NAND芯片(200)具有：存储器阵列；页缓冲/感测电路，包含锁存器(L1)及锁存器(L2)；以及专用的输入输出端子(220)，可在与ECC芯片(300)之间进行数据传输。锁存器(L1)包含缓存器(C0、C1)，锁存器(L2)仅包含缓存器(C1)。锁存器(L1)的缓存器(C0)的数据及锁存器(L2)的缓存器(C1)的数据传输至ECC芯片(300)，响应从ECC芯片(300)输出开头地址的数据，而从存储器阵列读出下一页，读出的数据保持于锁存器(L1)。
半导体存储装置读出方法

[发明专利]半导体存储装置及错误检测校正方法-CN202210084847.7在审
发明人：葛西央伦;金子二四三 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及错误检测校正方法，实现错误检测校正能力与写入或读出的性能的并存。本发明的闪速存储器的错误检测校正方法包括：设定步骤，设定用于选择进行1位的错误检测校正的第一错误检测校正功能或进行多位的错误检测校正的第二错误检测校正功能的选择信息；以及执行步骤，在读出动作或写入动作时，基于所设定的选择信息来执行第一错误检测校正功能或第二错误检测校正功能。
半导体存储装置错误检测校正方法