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[发明专利]半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法-CN202310072545.2在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;金桓铁;金圭勋;郑恩先 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法。本发明涉及一种半导体工艺用组合物，其适用于半导体晶片的抛光工艺，更具体而言，适用于涉及半导体晶片的抛光工艺的半导体工艺，所述半导体工艺用组合物包含抛光颗粒，在pH 6的条件下，所述抛光颗粒的ZETA电位为‑50mV至‑10mV，并且由以下第1式表示的ZETA电位变化率为6mV/pH至30mV/pH，第1式：ZETA电位变化率(mV/pH)＝|(Z6‑Z5)/(p6‑p5)|，在所述第1式中，所述p6为pH 6，所述p5为pH 5，所述Z6为在所述pH 6条件下的ZETA电位，所述Z5为在所述pH 5条件下的ZETA电位。
半导体工艺组合制造方法半导体器件

[发明专利]空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法-CN202211556081.4在审
发明人：李亨周;金圭勋;李乾坤;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层。第二遮光层包括过渡金属、氧和氮中的至少一者。遮光膜的表面对波长为193nm的光的反射率大于等于20％且小于等于40％。第二遮光层的硬度大于等于0.3kPa且小于等于0.55kPa。在这种情况下，在对遮光膜的表面进行高灵敏度缺陷检测时，可以提高缺陷检测的准确性，并且可以有效抑制图案化过程中的颗粒的产生。
空白光掩模半导体元件制造方法

[发明专利]接合用膜以及透光层叠体-CN202211699098.5在审
发明人：金惠珍;金圭勋;郑盛真;韩在徹 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：本发明涉及接合用膜以及透光层叠体。所述接合用膜包括形成有具有规则图案或者不规则图案的压纹的表面；形成有压纹的所述表面的由以下第2式表示的DSvk值为6um以下，基于整个接合用膜，所述接合用膜包含24重量％至40重量％的增塑剂，第2式：DSvk＝S*vk–Svk，在所述第2式中，所述Svk值为根据ISO_25178进行评价而得的值，所述S*vk值为在根据ISO_25178的支承长度率曲线中，支承长度率为Mr2的点处的高度值。
接合以及透光层叠

[发明专利]接合用膜以及透光层叠体-CN202211699131.4在审
发明人：金惠珍;金圭勋;郑盛真;韩在徹 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：本发明涉及接合用膜以及透光层叠体。所述接合用膜包括形成有具有规则图案或者不规则图案的压纹的表面；形成有压纹的所述表面具有Mr1值和Mr2值，rev_Mr2值为从100％减去Mr2值而得到的值，形成有压纹的所述表面的Mr1值等于或者大于rev_Mr2值。
接合以及透光层叠

[发明专利]玻璃接合用薄膜、玻璃接合薄膜用组合物及包括其的层合玻璃-CN201980037847.8有效
发明人：金惠珍;金圭勋;李学守 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：本发明的玻璃接合用薄膜包括：第一表面层；第二表面层，与上述第一表面层相对；及中间层，位于上述第一表面层和上述第二表面层之间，其中，上述中间层包括三恶烷类化合物。上述薄膜没有或很少有中间层的熔体破裂痕迹，因此具有优异的光学特性，即使在评价耐湿性之后，也可以将上述光学特性维持在几乎相等的水平。
玻璃接合薄膜组合包括

[发明专利]玻璃接合用薄膜、其制备方法及包括其的移动装置-CN201980038001.6有效
发明人：金惠珍;柳智娟;金圭勋;郑盛真 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃接合用薄膜及其制备方法等，具体地，提供一种玻璃接合用薄膜等，该玻璃接合用薄膜含乙烯醇缩醛、增塑剂、无机颗粒及三恶烷类化合物，从而即使面积很大也能均匀且有效地降低日射透射率。
玻璃接合薄膜制备方法包括移动装置

[发明专利]玻璃接合用薄膜、玻璃接合薄膜用组合物及包括其的层合玻璃-CN201980051659.0有效
发明人：金惠珍;金圭勋;郑盛真 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃接合用薄膜和层合玻璃等，尤其涉及一种玻璃接合用薄膜等，该玻璃接合用薄膜包括：第一表面层，第二表面层，与上述第一表面层相对，以及中间层，位于上述第一表面层与上述第二表面层之间，用作隔音层；上述玻璃接合用薄膜在20至35℃条件的L/F值减少率[G_L/F(A,B)]为0.045/℃以下，且具有优异的高温隔音特性和光学特性。
玻璃接合薄膜组合包括

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制备方法-CN202210858730.X在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;金圭勋;郑恩先;权璋国;李亨株 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和半导体器件的制备方法。提供一种包括胺类抛光率增强剂的半导体工艺用抛光组合物，所述半导体工艺用抛光组合物包括抛光颗粒，所述抛光颗粒包括所述胺类抛光率增强剂。所述半导体工艺用抛光组合物在所述抛光颗粒的表面周围还包括胺类表面改性剂，并且基于整体组合物，所述胺类抛光率增强剂中的胺基的含量和所述胺类表面改性剂中的胺基的含量的和为0.0185重量％以上。所述半导体工艺用抛光组合物在掺硼多晶硅层的抛光中可以实现目标范围的抛光率和缺陷防止性能。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制备方法

[发明专利]夹层玻璃用树脂膜，以及夹层玻璃及其制造方法-CN202010333404.8有效
发明人： 金圭勋;延济源;郑盛真;金兴植;金惠珍;李学守 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种夹层玻璃用树脂膜、包含该树脂膜的夹层玻璃、以及该夹层玻璃的制造方法，该夹层玻璃用树脂膜包括含有聚乙烯醇缩醛树脂的树脂层，该树脂层包括直接接触玻璃的接触面，该接触面的Rz粗糙度为25～90μm，在20℃下该接触面的最大静摩擦系数为0.85～1.60，在35℃下该接触面的垂直方向上的压缩弹性变形指数为40～310μm/N。
夹层玻璃树脂以及及其制造方法

[发明专利]光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法-CN202210472956.6在审
发明人：郑珉交;金星润;孙晟熏;申仁均;崔石荣;金修衒;金圭勋;李亨周 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本实施方式涉及光掩模等，光掩模包括透光基板及多层遮光图案膜。多层遮光图案膜包括第一遮光膜和第二遮光膜。多层遮光图案膜的侧面包括检测区间，检测区间对应于在多层遮光图案膜的侧面中从第一遮光膜的上表面向第一遮光膜的下表面隔开间隔的点和从第二遮光膜的下表面向第二遮光膜的上表面隔开间隔的点之间的区间。检测区间的表面粗糙度Wr满足第一式：0Wr‑Wo≤3。在第一式中，Wo为在浸泡和清洗工序之前的检测区间的表面粗糙度。Wr是为在SC‑1溶液中浸泡800秒并用臭氧水清洗之后的检测区间的表面粗糙度。SC‑1溶液是包含NH4OH、H2O2及H2O的溶液。臭氧水是使用以超纯水作为溶剂的含有20ppm臭氧的溶液。
光掩模光掩模坯半导体器件制造方法

[发明专利]接合用层合薄膜及包括其的透光层叠体-CN202080019354.4有效
发明人：金惠珍;李学守;金圭勋 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：实施方式的接合用层合薄膜、包括其的透光层叠体等提供具有隔音性能和改善的光学特性的层合薄膜等。上述接合用层合薄膜通过在芯层中适用金属盐添加剂的方法等实质上可以防止在挤出过程中可能形成的芯层的熔体破裂等痕迹在玻璃接合后残留，且能够保持足够的隔音特性并实质上防止光学缺陷(defect‑distortion)的发生。
接合用层合薄膜包括透光层叠

[发明专利]空白掩模以及利用其的光掩模-CN202111651440.X在审
发明人：李亨株;金圭勋;柳智娟;申仁均;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种空白掩摸以及利用其的光掩摸。实施例涉及空白掩模等，空白掩模包括：透明基板，相移膜，设置在所述透明基板上，以及遮光膜，设置在所述相移膜的至少一部分上。空白掩模利用正常模式的XRD进行分析。在正常模式的XRD分析中，在相移膜侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°。在正常模式的XRD分析中，在透明基板侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°。空白掩模的由以下式1表示的AI1值为0.9至1.1；[式1]在所述式1中，所述XM1为在对所述相移膜的上表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值。所述XQ1为在对所述透明基板的下表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值。
空白以及利用光掩模

[发明专利]空白掩模以及利用其的光掩模-CN202111651457.5在审
发明人：李亨株;柳智娟;金圭勋;申仁均;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种空白掩摸以及利用其的光掩模。实施例涉及空白掩模等，所述空白掩模包括：透明基板，相移膜，设置在透明基板上，以及遮光膜，设置在所述相移膜上。空白掩模的由以下式1表示的TFT1值为0.25μm/100℃以下。利用这种空白掩模等能够容易地制造具有微细线幅的半导体器件。[式1]当在热机械分析仪中分析所述空白掩模的透明基板的厚度被加工成0.6mm，并且所述遮光膜被去除而形成的加工的空白掩模的热波动时，热机械分析仪的测量温度从T1上升至T2，△PM为以T1下的相移膜的上表面为基准，在T2下，相移膜的上表面在厚度方向上的位置变化。
空白以及利用光掩模

[发明专利]聚乙烯醇缩醛树脂组合物-CN202210365165.3在审
发明人：金惠珍;金圭勋;柳智娟;延济源;李学守;郑盛真 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C08L29/14 文献下载
摘要：本发明提供一种聚乙烯醇缩醛树脂组合物，本发明的聚乙烯醇缩醛树脂组合物具有低黄度且耐久性进一步提高，其包含聚乙烯醇缩醛、醛及烷醇，以100重量份的所述醛为基准，包含50重量份以上的所述烷醇，所述醛包含正丁醛，所述烷醇包含2‑乙基己醇。
聚乙烯醇树脂组合

[发明专利]聚酰亚胺膜及其制备方法-CN201880007053.2有效
发明人：金善焕;李辰雨;吴大成;郑多宇;金圭勋 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C08G73/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚酰亚胺膜的制备方法，其包括：抛光浇铸体的表面；将前驱体浇铸在所述浇铸体的抛光表面上，并干燥，以产生凝胶片；并对所述凝胶片进行热处理以制备聚酰亚胺薄膜，其中，所述浇铸体的抛光表面粗糙度为0.1～160nm；当浇铸前驱体的浇铸体的面积被分割为1cm×1cm时，其落在缺陷减少区域的面积至少为90％；基于20μm至70μm的厚度，所述聚酰亚胺膜的黄色指数至多为3，雾度至多为1％，透光率至少为88％，模量至少为5.0GPa，表面硬度至少为HB，所述黄色指数和所述雾度在550nm处测量。
聚酰亚胺及其制备方法

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