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[发明专利]一种激光诱导铌酸锂表面金属性的方法-CN202210218620.7在审
发明人： 金克新;申津州;王定邦 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光诱导铌酸锂表面金属性的方法，首先对取向为0001的片状铌酸锂晶体表面进行预处理，然后将铌酸锂晶体放入真空室中的基板座上，对真空室腔体抽真空后通入氧气，最后加载脉冲激光，直接并连续地辐照铌酸锂晶体表面，最终在铌酸锂表面诱导产生金属性导电层。本方法可以简单且高效地在铌酸锂表面实现金属性。
一种激光诱导铌酸锂表面金属性方法

[发明专利]一种镧锶锰氧/掺铝氧化锌柔性薄膜异质结及其制备方法-CN202210094785.8在审
发明人： 金克新;尹航 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供了一种镧锶锰氧/掺铝氧化锌柔性薄膜异质结，包括柔性衬底以及至少一层依次铺覆于柔性衬底上的自支撑镧锶锰氧薄膜和自支撑掺铝氧化锌薄膜；或者，包括柔性衬底以及至少一层依次铺覆于柔性衬底上的自支撑掺铝氧化锌薄膜和自支撑镧锶锰氧薄膜。不仅解决前述背景技术中提到的垂直氧化物异质结制备过程中薄膜难于直接生长和转移以及与柔性衬底兼容差等问题，还最大程度避免了直接按顺序外延生长不同薄膜时不同薄膜间晶格失配的问题，对不同材料之间的晶格参数匹配度不做过高要求，提高了柔性薄膜异质结的质量。
一种镧锶锰氧氧化锌柔性薄膜异质结及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化物异质界面二维电子气的人工神经元-CN202111109417.8在审
发明人： 金克新;李慧迪 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氧化物异质界面二维电子气的人工神经元，解决现有人工神经元调控手段单一，以及未能实现器件在视觉领域具体实施途径的技术问题。一种基于氧化物异质界面二维电子气的人工神经元包括自上而下依次设置的LaAlO3层或(La0.3Sr0.7)(Al0.65Ta0.35)O3层、SrTiO3衬底以及底电极；并且，LaAlO3/SrTiO3界面处或(La0.3Sr0.7)(Al0.65Ta0.35)O3/SrTiO3界面处具有高迁移率的二维电子气，室温下载流子浓度为1.0×1013‑1.0×1015cm‑2；所述SrTiO3衬底采用(100)晶面、(110)晶面或者(111)晶面，且其表面的终止层为TiO2。
一种基于氧化物界面二维电子人工神经元

[发明专利]溶液制备氧化物界面电子气的方法-CN201810570321.3有效
发明人： 金克新;李铭 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶液制备氧化物界面电子气的方法，用于解决现有方法制备氧化物界面电子气质量差的技术问题。技术方案是首先对单晶衬底进行预处理，再配置氧化物前驱体溶液，进而通过化学旋涂和高真空退火工艺的控制，形成氧化物与钛酸锶衬底的异质结构，并在界面产生二维电子气效应。通过调节薄膜材料结构、结晶度以及薄膜与衬底间界面性质，实现了高电子迁移率的二维电子气的制备。所制备的氧化物界面电子气质量高，其霍尔迁移率在190cm2V‑1s‑1～5113cm2V‑1s‑1范围内。本发明采用溶液旋涂方法制备氧化物界面电子气，具有质量高、耗能低、操作简单的特点。
溶液制备氧化物界面电子方法

[发明专利]氧化锌锰氧化物异质结紫外光响应器件的制备方法-CN201810647410.3在审
发明人： 金克新;张兆亭;闫虹;王拴虎;王民 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌锰氧化物异质结紫外光响应器件的制备方法，用于解决现有方法制备的锰氧化物异质结紫外光响应器件光电压峰值低的技术问题。技术方案是利用p型La_0.7Sr_0.3MnO₃和n型氧化锌形成的p‑n结异质结构，在薄膜表面镀铟电极形成欧姆接触，构成氧化锌锰氧化物异质结紫外光探测器件。本发明利用脉冲激光沉积技术形成p型La_0.7Sr_0.3MnO₃和n型氧化锌异质结结构，在77～400K温度范围内实现了紫外光光响应特性的探测。其光电压峰值能够达到0.73V。相对于背景技术的光电压峰值30mV，其光电压提高了20多倍。而且制备方法简单，不需要复杂的正面溅射等手段，性能稳定，可以重复使用。
锰氧化物光电压异质结制备紫外光响应氧化锌脉冲激光沉积技术紫外光探测器件异质结结构紫外光薄膜表面电极形成欧姆接触异质结构光响应镀铟溅射探测

[发明专利]钛酸锶单晶表面金属化的制备方法-CN201810647409.0在审
发明人： 金克新;张兆亭;闫虹;王民;王拴虎 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶单晶表面金属化的制备方法，用于解决现有方法实现表面金属导电容易导致SrTiO₃单晶表面污染的技术问题。技术方案是通过激光与物质的强相互作用导致在钛酸锶表面产生氧空位，通过调节氧压和激光能量密度，控制钛酸锶单晶表面的金属性。本发明通过改变氧压和准分子激光能量密度控制钛酸锶的金属性，不需要外延薄膜沉积就可使钛酸锶晶体呈现金属态，与背景技术氩离子轰击表面相比，该方法操作简便，无污染，能够多方位的控制钛酸锶表面的金属性，在未来电子器件领域有潜在的应用前景。
钛酸锶单晶金属性钛酸锶表面金属化氧压制备电子器件领域准分子激光氩离子轰击钛酸锶晶体表面金属表面污染激光能量密度控制外延薄膜金属态潜在的氧空位导电沉积激光应用

[发明专利]一种提高磁振子扩散长度的方法-CN201711455802.1在审
发明人：王拴虎;王建元;金克新;闫虹;张兆亭;王民 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高磁振子扩散长度的方法，该方法首先通过脉冲激光沉积的方法在钆镓石榴石衬底上生长了40nm的YIG，之后通过磁控溅射的方法在YIG上制备了条形Pt电极。通过聚焦激光束照射样品表面，在被照射的部位会形成垂直样品表面的温度梯度。进而通过自旋塞贝克效应参数非平衡磁振子，非平衡磁振子通过面内进行扩散，当达到Pt电极时，会在Pt电极中产生逆自旋霍尔效应，进而产生电压。通过改变光斑的位置，来探测Pt中的电压，就可以探测到磁振子的扩散长度。本发明大大提高YIG磁振子的扩散长度。
磁振子扩散非平衡磁振子照射探测脉冲激光沉积聚焦激光束钆镓石榴石光斑垂直样品磁控溅射霍尔效应温度梯度效应参数样品表面衬底旋塞制备自旋生长

[发明专利]锰氧化物异质薄膜及其制备方法-CN200610041607.X无效
发明人： 金克新;陈长乐;赵省贵 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰氧化物异质薄膜，包括硅单晶基片、铁薄膜和银电极，其特征在于：还包括La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜，在边长为1～2mm硅单晶基片对称线位置是一层宽为0.8～1mm、长与硅单晶基片边长相等的铁薄膜，铁薄膜长边上的对称线与硅单晶基片对称线重合，在铁薄膜上面中心位置是0.5～1×0.5～1mm、厚度为30～50nm的La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜，在La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜上面是一层与底层铁薄膜位置垂直、大小薄厚相同的铁薄膜，在两层铁薄膜的两端是银电极。还公开了上述锰氧化物异质薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法在硅单晶基片上依次溅射铁薄膜/La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜/铁薄膜，使La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜处于铁薄膜之间，利用隧道磁电阻的形式，使磁场灵敏度达到60％/T。
氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]钙钛矿锰氧化物异质薄膜及其制备方法-CN200510043069.3无效
发明人： 金克新;陈长乐;赵省贵 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2005-08-08 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿锰氧化物异质薄膜，包括硅单晶基片(1)、LSMO薄膜(2)、银电极(3)和Fe薄膜(4)，在硅单晶基片(1)是一层Fe薄膜(4)，在Fe薄膜(4)的上面与Fe薄膜(4)垂直是LSMO薄膜(2)，LSMO薄膜(2)的两端是银电极(3)，电极(3)上有引出线；Fe薄膜(4)的长度大于LSMO薄膜(2)的宽度，Fe薄膜(4)的宽度为LSMO薄膜(2)的一半，Fe薄膜(4)的面积大于LSMO薄膜(2)的面积。还公开了上述锰氧化物异质薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法在硅单晶基片上依次沉积Fe和LSMO薄膜。本发明利用铁薄膜的强氧化性，使LSMO薄膜处于高度氧缺陷状态，从而使光电导改变值从400％上升为1660％；另外，用Si作基片制备的LSMO异质薄膜，造价低廉。
钙钛矿锰氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]用于薄膜制备的加热控温装置及方法-CN03134334.1无效
发明人：陈长乐;金克新 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于薄膜制备的加热控温装置及方法。加热控温装置包括加热控制电路和石墨加热体(1)。石墨加热体(1)为扁平立方体块状石墨，其横断面等距离分布着若干个有若干个通孔的陶瓷管(2)，每两个孔可穿绕一根电阻丝(3)。加热控温装置的方法是根据所要制备薄膜的大小选择适当的基体—石墨加热体(1)，按照要求固定好陶瓷管(2)，按照设计温度要求穿入电阻丝(3)；将电阻丝(3)并联后接入加热电路，使电阻丝(3)一端接低电压大电流供端的负极，电阻丝(3)的另一端通过负载电阻(4)以及继电器(6)的常闭端触点接低电压大电流供端的正极；电路工作就可达到测温、控温目的，可使基体上温度分布均匀，提高薄膜的质量。
用于薄膜制备加热装置方法

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