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[发明专利]用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备和方法-CN201880077945.X有效
发明人： 金仁俊;李佶洸 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-10-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备和方法，并且在反应过程中，根据预定的时间周期来提供RF电源、含氟气体和含氢气体中的至少一个的开和关，因此将至少一部分二氧化硅转变成六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)，同时防止氮化硅变成六氟硅酸铵，并且在反应过程之后进行的退火过程中，通过退火去除六氟硅酸铵，从而选择性地去除二氧化硅。根据本发明，仅可以高选择性蚀刻二氧化硅的同时，在清洁在其上形成有二氧化硅和氮化硅的基板的过程中抑制氮化硅的不必要的蚀刻。
用于选择性去除二氧化硅清洁设备方法

[发明专利]原位干洗方法和装置-CN201880060920.9有效
发明人： 金仁俊;李佶洸;朴在阳;林斗镐 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于去除形成在硅基板上的氧化物或氮化物的干洗方法，该干洗方法包括：反应产物生产步骤，其中通过将与所述氧化硅或所述氮化硅反应的反应气体供应到以布置在腔室内的状态被加热的所述硅基板，将所述氧化硅或氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)；以及反应产物去除步骤，其中通过将经加热的传热气体供应到形成有六氟硅酸铵的硅基板，去除所述六氟硅酸铵。根据本发明，可以在一个腔室中执行生成和去除六氟硅酸铵的工艺以去除形成在基板上的氧化硅或氮化硅，因此可以提高生产率和硬件稳定性。
原位干洗方法装置

[发明专利]基板处理方法和装置-CN201880060924.7有效
发明人： 金仁俊;李佶洸;朴在阳;林斗镐 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于去除形成在硅基板上的氧化硅或氮化硅的基板处理方法，包括以下步骤：通过将与氧化硅或氮化硅反应的反应气体供应到以布置在腔室内的状态被加热的硅基板，将氧化硅或氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)；通过将未经等离子体处理的惰性气体供应到已生成六氟硅酸铵的硅基板来去除六氟硅酸铵；以及通过将经加热而转变为激发态的含氢气体喷射到去除了(NH4)2SiF6的硅基板上来去除残留在硅基板的表面上的含氟(F)的残留物。根据本发明，可以使用被加热至预定温度的含氢气体去除在干洗期间残留在表面上的氟，从而可以显著提高氟的去除效率和生产率。
处理方法装置

[发明专利]用于干洗半导体基板的等离子体装置-CN201880081187.9有效
发明人： 金仁俊;李佶洸;林斗镐;朴在阳;金珍泳 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于干洗半导体基板的等离子体装置，其能够精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。本发明包括：卡盘，该卡盘设置在腔室下端部，并且在该卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；CCP型RF电极单元，其包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在等离子体产生区域下方的下RF电极；和RF电源单元，其向RF电极单元供应具有第一RF频率的第一RF功率和具有低于第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率，其中通过具有第一RF频率的第一RF功率产生并维持等离子体，以用于将氧化硅和氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)，并且通过具有第二RF频率的第二RF功率供应来控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度。
用于干洗半导体等离子体装置

[发明专利]用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法-CN201880074637.1在审
发明人： 金仁俊;李佶洸 -专利权人：无尽电子有限公司
申请日： 2018-10-05 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法。本发明包括：将等离子体态的含氟气体和非等离子体态的含氢气体供应至基板，该基板上形成有氧化硅、氮化硅和多晶硅，由此将氧化硅和氮化硅的表面改变为六氟硅酸铵，从而形成保护层；停止供应含氢气体并连续供应等离子体态的含氟气体，由此通过氟自由基选择性去除多晶硅；最后为保护层去除步骤，通过退火去除由六氟硅酸铵制成的保护层。根据本发明，通过将形成在基板上的氮化硅和氧化硅的表面改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)固体层并将该六氟硅酸铵固体层用作保护层，可以选择性蚀刻多晶硅。
用于选择性去除多晶干洗装置方法

[发明专利]具备注射功能的内窥镜-CN201510107444.X有效
发明人： 金仁俊;姜一模;李洪珍 -专利权人：韩国地质资源研究院
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： A61B17/94 文献下载
摘要：本发明涉及内窥镜，更详细而言，涉及一种具备注射功能的内窥镜，其加装有能够在患者的患处直接注入药物的药物注入用注射针头，所述具备注射功能的内窥镜包括：内窥镜部，其拍摄人体的内部；注射部，其具备注射器部，所述注射器部包括药剂室部和药物注入部，使得在借助于所述内窥镜部而观察的患处注入药物，所述药剂室部在端部加装注射针头并装载药物，所述药物注入部向所述药剂室部的药物施加压力，使得药物注入患处；及内窥镜管部，其一体地内置于所述内窥镜部和所述注射部；把药物注入用注射针头直接加装于内窥镜，从而操作简便，并能够准确而迅速地把药物注入到患者的患处，并以开闭式制作所述内窥镜，从而极大地限制露出于外部，事先防止外部病菌的感染和通过所述注射针头注入的药物变质的问题，并利用液压，具有不费力便能够使药物到达目标地点的效果。
具备注射功能内窥镜

[发明专利]利用智能终端的矿物探测装置-CN201510108551.4有效
发明人： 金仁俊;李洪珍;姜一模;许哲豪 -专利权人：韩国地质资源研究院
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G01V8/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用智能终端的矿物探测装置，包括：光源部，其向测量对象岩石照射紫外线；紫外线滤波器部，其通过所述岩石来反射并阻断发散出的光中的紫外线，所述岩石接收从所述光源部照射出的光；及结合部，其安装有所述光源部与所述紫外线滤波器部并与智能终端结合；并且与支座光源部一起，将支座分析部安装于现有的智能终端所安装在的支座主体部，使得无需另外准备暗室等，在日光或明亮处也能够探测矿物，从而利用现有的智能终端也能够探测矿物，具有极大地提高便携性的效果。
利用智能终端矿物探测装置

[发明专利]基片处理装置和方法-CN200510067985.0有效
发明人： 金仁俊;赵重根;崔章燮;崔勇男;裴正龙 -专利权人：塞梅斯株式会社
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻晶片顶部边缘和底部的装置。该装置包括用于支撑晶片的基片支撑部件和用于防止蚀刻所用的流体流入晶片非蚀刻部分的可移动保护部件。用湿法蚀刻来蚀刻晶片的顶部边缘和底部，用干法蚀刻来蚀刻晶片的非蚀刻部分与边缘的边界。
处理装置方法

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