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[发明专利]一种薄晶体硅电池及其制备方法-CN201610807894.4在审
发明人：张范;金井升;蒋方丹;金浩;郑霈霆 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄晶体硅电池及其制备方法，其中，制备方法包括步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。通过丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；再丝网印刷点状Ag电极、点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤。
一种晶体电池及其制备方法

[发明专利]一种IBC结构太阳能电池及其制备方法-CN201610808744.5在审
发明人：刘长明;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC结构太阳能电池制备方法及其制备方法，其中，制备方法，包括：步骤1，对硅基衬底的正面进行纳米黑硅层；步骤2，对所述硅基衬底的背面进行局域的发射极制备，形成P‑N结；步骤3，对所述硅基衬底的背面非发射极区进行局域同导电类型掺杂，形成n+区或p+区；步骤4，对所述硅基衬底的正面和背面进行介质钝化，形成正面钝化层和背面钝化层；步骤5，对所述背面钝化层上进行开窗操作，形成窗口；步骤6，在所述硅基衬底的背面制备1μm～10μm厚度的金属电极；步骤7，对所述金属电极进行欧姆接触处理，实现所述金属电极与所述硅基衬底之间的欧姆接触。通过在正面的纳米黑硅层上制备钝化层，提高了载流子的寿命，提高了电池效率。
一种 ibc 结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种N型双面电池的制备方法-CN201610813279.4在审
发明人：王东;杨洁;王金艺;黄纪德;金井升;蒋方丹;金浩;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型双面电池的制备方法，包括：步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行湿氧氧化，形成双面氧化硅层；步骤2，对所述N型硅片的第一面均匀旋涂光刻胶层；步骤3，去除所述N型硅片的第二面的氧化硅层；步骤4，去除所述N型硅片的第一面表面的光刻胶层；步骤5，对所述N型硅片的第二面进行硼扩散，形成硼硅玻璃层；步骤6，对所述N型硅片的第二面旋涂光刻胶层；步骤7，去除所述N型硅片的第一面的氧化硅层；步骤8，去除所述N型硅片的第二面表面的光刻胶层；步骤9，对所述N型硅片的第一面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层。所述N型双面电池的制备方法，通过将湿氧氧化和光刻胶结合，无需刻蚀设备，还能保留两面绒面的完整。
一种双面电池制备方法

[实用新型]一种光伏电池-CN201620479631.0有效
发明人：王成;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光伏电池，包括由下到上依次设置的：背电极、背电场、P型基底、反应离子刻蚀绒面层、PN结层、减反射膜层与栅线电极；所述PN结层与减反射膜层接触的一面开设有多个平行的槽；所述PN结层与减反射膜层之间连续接触。与现有技术相比，本实用新型首先利用反应离子刻蚀，来改变电池绒面结构，提高光子的吸收率，通过降低电池的入射光损失提高电池的转换效果；其次在优化后的电池绒面表面扩散形成PN结层后再进行激光开槽，开槽后的电池形貌更能有效的增强对太阳光的吸收，增加光子的折射光程，使电池栅线与优化好的电池绒面能更好的形成欧姆接触，来提高对光生载流子的收集并输出，从而提高电池的短路电流和开路电压。
一种电池

[发明专利]一种RIE黑硅电池返工方法-CN201610381665.0在审
发明人： 金井升;刘长明;叶飞;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种RIE黑硅电池返工片的返工方法，包括：S1：用HF溶液去除RIE黑硅电池返工片表面的氮化硅膜层，形成RIE黑硅片；S2：利用HNO₃、HF和去离子水的混合溶液去除所述RIE黑硅片的表面硅，使其表面形成平整绒面层；S3：对所述RIE黑硅片的表面进行重新制绒，使其表面形成具有绒面结构的绒面层；S4：对所述RIE黑硅片进行扩散、镀减反射膜以及制备电极，获得RIE黑硅电池。能够有效去除RIE黑硅电池返工片的边缘反应不均匀的特征，保证光电转换效率。
一种 rie 电池返工方法

[发明专利]一种光伏电池及其制备方法-CN201610343628.0在审
发明人：王成;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏电池，其特征在于，包括由下到上依次设置的：背电极、背电场、P型基底、反应离子刻蚀绒面层、PN结层、减反射膜层与栅线电极；所述PN结层与减反射膜层接触的一面开设有多个平行的槽；所述PN结层与减反射膜层之间连续接触。与现有技术相比，本发明首先利用反应离子刻蚀，来改变电池绒面结构，提高光子的吸收率，通过降低电池的入射光损失提高电池的转换效果；其次在优化后的电池绒面表面扩散形成PN结层后再进行激光开槽，开槽后的电池形貌更能有效的增强对太阳光的吸收，增加光子的折射光程，使电池栅线与优化好的电池绒面能更好的形成欧姆接触，来提高对光生载流子的收集并输出，从而提高电池的短路电流和开路电压。
一种电池及其制备方法

[发明专利]一种硅片的氧化方法-CN201610322552.3在审
发明人： 金井升;刘长明;叶飞;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅片的氧化方法，包括：将待氧化的硅片浸没在液体中；向所述液体中通入臭氧，利用所述臭氧氧化所述硅片。利用上述方法，由于臭氧在液体中不易分解且溶解充分均匀，因此避免了气态下的臭氧稳定性差和均匀性差的缺点，能够提高臭氧氧化水平和氧化均匀性，从而有利于改善氧化层的界面钝化效果，提高太阳能电池的效率。
一种硅片氧化方法

[发明专利]一种硅片的清洗方法-CN201610342011.7在审
发明人： 金井升;刘长明;叶飞;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片的清洗方法，包括：将待清洗的硅片放置到HF溶液中，然后在溶液中通入臭氧，得到清洗后的硅片。与现有技术相比，本发明将待清洗的硅片放置到HF溶液中，然后在HF溶液中通入臭氧，采用氧化和去氧化结合的方法使硅片表面呈疏水性，可以达到极佳的清洗效果，并且整个过程中除了采用了常规的HF去除氧化层外，并未引入其它的杂质或化学液，清洗成本低廉，可以进行大规模推广。
一种硅片清洗方法

[发明专利]一种N型高效单晶双面电池的制备方法-CN201610322551.9在审
发明人：王金艺;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种N型高效单晶双面电池的制备方法，包括：对形成绒面之后的硅片的正面进行硼扩散；对所述硅片的背面进行刻蚀；利用N₂O和SiH₄在所述硅片的正面制作氧化硅掩膜；对所述硅片的背面进行磷扩散。上述方法由于先对形成绒面之后的硅片的正面进行硼扩散，再对所述硅片的背面进行刻蚀，然后利用N₂O和SiH₄在所述硅片的正面制作氧化硅掩膜，最后对所述硅片的背面进行磷扩散，这能有效避免背面的磷扩散对正面硼扩散的绕扩影响，因此能够保证双面扩散过程中的洁净度，提高电池的光伏转换效率。
一种高效双面电池制备方法

[发明专利]一种太阳能电池硅片的清洗方法-CN201610380358.0在审
发明人：侯玥玥;金井升;黄纪德;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法，包括步骤：采用臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，使硅片表面产生氧化层；采用氢氟酸溶液对硅片进行表面腐蚀处理；对硅片进行漂洗。本发明清洗方法先以臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，能够有效地氧化硅片表面沾污的有机物污质，并氧化硅片表面形成氧化膜；然后通过氢氟酸溶液对硅片进行腐蚀清洗，去除表面的金属污质，并腐蚀掉表面的氧化膜，在腐蚀掉表面氧化膜的同时去除了表面污质，从而实现对硅片表面的清洗。本发明清洗方法中采用臭氧水溶液，臭氧水溶液与表面有机物污质反应产生CO₂和H₂O，对人体无危害性，且臭氧水溶液产生的废液对环境污染小，不需要进行特殊处理。
一种太阳能电池硅片清洗方法

[发明专利]改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法-CN201610341983.4在审
发明人：何广东;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法，包括步骤：加热电池片，使温度达到第一温度，保持恒温第一预设时间；对保持恒温的电池片以预设电流通电，通电持续第二预设时间；对处于通电状态的电池片进行降温处理，使温度降至第二温度以下。电池片经加热并恒温处理后，再通电，电池片内的硼原子与氧原子能结合形成B‑O对，并与表面膜内的氢原子结合成H‑B‑O对，生成H‑B‑O对使B‑O对失去活性。因此经本发明方法处理后，电池片内的B‑O对复合体减少，从而能降低光致衰减幅度，能有效地改善掺硼晶体硅太阳电池的光致衰减现象。
改善晶体太阳电池衰减方法

[实用新型]一种太阳能电池-CN201620039292.4有效
发明人：王成;蒋方丹;金井升;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一掺杂类型基片；位于所述基片表面的第一扩散层；位于所述第一扩散层背离所述基片一侧的正面电极；位于所述基片表面背离所述第一扩散层的第二扩散层；位于所述第二扩散层背离所述基片一侧的背电极；位于所述基片表面，正面电极之间的多个小孔。当太阳光照射到所述太阳能电池表面时，进入所述多个小孔中的太阳光会在所述小孔内进行多次反射，增加所述太阳能电池对入射光线的吸收，从而增加所述太阳能电池由入射光线转换而来的短路电流；而对于太阳能电池而言，在保证其开路电压不变的情况下增加其短路电流可以使其光电转换效率增加。
一种太阳能电池

[实用新型]吊钩-CN201521080012.6有效
发明人：王成;蒋方丹;金井升;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： B66C1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于提拉硅片承载器的吊钩，包括提拉件和设于提拉件下端的连接件，还包括用于通过连接件的横向张开和收紧卡接于硅片承载器的一对钩状部，钩状部设于连接件的下侧。在提取返工片或者做实验等需要由工作人员直接提取硅片的情况下，该吊钩的使用可以避免工作人员与置于含有强酸强碱等化学药剂槽中的硅片承载器的直接接触，在保证提取效率的同时能够对工作人员进行安全防护，使用方便，灵活性与适用性较强，同时，还降低了因工作人员的操作而对电池的污染。
吊钩

[实用新型]一种太阳能电池-CN201521095400.1有效
发明人：王成;蒋方丹;金井升;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池，包括：多晶硅片；所述多晶硅片的上表面设置有具有第一凹坑深度的第一扩散层；所述第一扩散层的上表面设置有刻蚀层；所述刻蚀层的上表面设置有具有第二凹坑深度的第二扩散层，所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度。本申请提供的上述太阳能电池，由于设置有两个扩散层，增大了表面的凹坑深度，能够增强对太阳光的吸收，减少因电池绒面表面光滑平整而使反射光损失，增加入射光在电池里面的光程，提高反射次数，从而提高电池的短路电流和开路电压，提高了转换效率。
一种太阳能电池

[发明专利]一种半成品电池片抗PID性能的测试方法-CN201510794622.0在审
发明人：侯玥玥;蒋方丹;金井升;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种半成品电池片抗PID性能的测试方法，包括：将半成品电池片水平放置；在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水；观察所述去离子水自然扩散之后的形态；根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能。本申请提供的上述半成品电池片抗PID性能的测试方法，能够有效的测量半成品电池片的抗PID性能，且操作方便。
一种半成品电池 pid 性能测试方法