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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种硅片制绒方法-CN201810106611.2在审
发明人：熊诗龙;金井升;刘长明;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅片制绒方法，包括在硅片表面沉积金属颗粒；将所述硅片的表面氧化成二氧化硅，清洗掉所述金属颗粒下面的二氧化硅，形成刻蚀坑，使所述金属颗粒下沉；清洗所述硅片并利用强碱溶液浸泡，在所述金属颗粒周围的硅片表面形成绒面，并将所述金属颗粒暴露在所述硅片的表面；去除所述金属颗粒，对所述绒面进行修饰；清洗并烘干所述硅片。上述硅片制绒方法，能够使沉积的金属颗粒最终暴露在硅片表面，从而更容易在后续工序中去除。
金属颗粒硅片硅片表面硅片制绒清洗二氧化硅去除绒面沉积金属颗粒表面氧化后续工序强碱溶液暴露烘干刻蚀沉积修饰下沉浸泡申请

[发明专利]一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法-CN201711352636.2在审
发明人：何广东;金井升;张昕宇;金浩;赵世杰 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法，包括：在制绒后的硅片上均匀分布具有预设浓度的有机物溶液；烘干所述硅片；在惰性气体气氛中，对所述硅片进行退火，将所述有机物溶液中的碳原子分解出来并扩散进所述硅片内。上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法，能够抑制硼氧对的生成，降低太阳能电池片的光致衰减幅度。
光致衰减硅片晶体硅电池有机物溶液退火惰性气体气氛太阳能电池片碳原子烘干硼氧预设制绒分解扩散申请

[发明专利]一种多晶硅片的制绒方法-CN201711352630.5在审
发明人：何广东;金井升;张昕宇;金浩;赵世杰 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅片的制绒方法，包括利用第一种酸溶液对多晶硅片进行第一次刻蚀，并进行第一次清洗；利用酸雾对所述多晶硅片进行第一次雾化，并进行第二次清洗；利用碱溶液对所述多晶硅片进行腐蚀，并进行第三次清洗；利用碱雾对所述多晶硅片进行第二次雾化，并进行第四次清洗；利用第二种酸溶液对所述多晶硅片进行第二次刻蚀，并进行第五次清洗；利用酸雾对所述多晶硅片进行第三次雾化，并进行第六次清洗。上述多晶硅片的制绒方法，能够改善硅片在制绒过程中各区域反射率不均匀和存在杂质而导致少子寿命低的问题，增加硅片对太阳光的吸收，提高电池转换效率。
一种多晶硅片方法

[发明专利]一种电池片的光衰方法-CN201711352591.9在审
发明人：何广东;金井升;张昕宇;金浩;赵世杰 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种电池片的光衰方法，包括：测试电池片的初始电性能；将所述电池片放入透明容器中；对所述透明容器抽真空之后进行密封；对容纳有所述电池片的所述透明容器进行光照；测试所述电池片的光衰后电性能，得到光衰结果。本申请提供的上述电池片的光衰方法，能够简化光衰流程，降低测试成本，提高测试准确性。
一种电池方法

[发明专利]一种硅片的清洗方法-CN201711349496.3在审
发明人：侯玥玥;黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅片的清洗方法，包括：将待清洗的硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在硅片表面形成氧化膜；将硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对氧化膜进行去除，氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1‑10:1，包括端点值；预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃‑80℃，包括端点值；将硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对硅片表面的金属离子进行去除；将硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。该方法可在去除硅片表面沾污的杂质的基础上达到节省氢氟酸的目的。
一种硅片清洗方法

[实用新型]管式扩散炉-CN201720936796.0有效
发明人：黄纪德;侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管式扩散炉，包括：扩散炉管和加热模块，其中，加热模块加热扩散炉管以使扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高。本实用新型实施例公开的管式扩散炉中，扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高，则在扩散过程中，能够实现扩散炉管内的温度沿扩散炉管的充气方向增高，使得扩散炉管内工艺气体浓度较大的位置温度较低、工艺气体浓度较小的位置温度较高，由于工艺气体的浓度越大扩散电阻越小、扩散炉管的温度越高扩散电阻越小，则提高了扩散方阻的一致性，提高了扩散均匀性。
扩散

[发明专利]一种N型双面电池的制备方法-CN201610220225.7有效
发明人：王金艺;黄纪德;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型双面电池的制备方法，包括对硅片进行双面热氧化，在所述硅片的上表面和下表面都生成氧化层；对所述硅片的下表面涂负胶；除去所述硅片的上表面的氧化层；除去所述硅片的下表面的负胶；对所述硅片进行背靠背硼扩散；对所述硅片的硼扩面涂负胶；除去所述硅片的下表面的氧化层；除去所述硅片的上表面的负胶；对所述硅片进行背靠背磷扩散。所述N型双面电池的制备方法，通过在硼扩散和磷扩散之前都通过涂胶保护好阻挡层，进而得到质量高的双面扩散结，最后能得到高效的电池片。
一种双面电池制备方法

[实用新型]一种真空吸笔-CN201720319928.5有效
发明人：侯玥玥;金井升;金浩;张昕宇;黄纪德 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空吸笔，包括具有管腔的握持部和具有吸孔的吸盘，管腔用于外接负压源；握持部与吸盘之间通过可伸缩的笔杆部连接，吸孔经笔杆部与握持部的管腔连通，笔杆部分别与握持部和吸盘密封连接。应用本实用新型提供的真空吸笔取放硅片时，操作员可通过将管腔与负压源连通使管腔内产生负压，从而吸盘的吸孔产生负压，吸住太阳能电池片，转移至想要的位置后，释放负压即可放下硅片。对于不同位置的硅片，可以通过调整笔杆部的长度，如对于位置较远的硅片可以将笔杆部伸长，对于位置较近的硅片则可以将笔杆部缩回，进而对于不同位置的硅片均能够方便的取片及插片，极大的方便了生产员的操作，有利于提高生产效率。
一种真空

[实用新型]一种太阳能电池制程金属离子污染检测装置-CN201720711739.2有效
发明人：黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池制程金属离子污染检测装置，包括反应容器，所述反应容器设置有HF酸进气口和废气排放口，且所述反应容器内设置有用于安放待检测电池片的安装部；HF酸蒸气供应总成，所述HF酸蒸气供应总成的HF酸排出口与所述反应容器的HF酸进气口相连。通过该检测装置可以确认硅片表面被金属离子污染的位置，同时可以追溯至出现金属离子污染的工序，从而为后续的生产提供指导，这有利于太阳能电池片工艺制程中异常问题的分析和解决。
一种太阳能电池金属离子污染检测装置

[实用新型]太阳能电池和太阳能电池组件-CN201720711052.9有效
发明人：黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池和太阳能电池组件，太阳能电池包括背电极和背电场；其中，沿背电极的长度方向，背电极的端面与背电场之间具有第一间隙，或背电极的端面与背电场平齐。本实用新型公开的太阳能电池中，沿背电极的长度方向，背电极的端面与背电场之间具有第一间隙或背电极的端面与背电场平齐，这样，有效减小了背电极和背电场交界处的高度差，从而减小了焊带于背电极和背电场交界处的应力，进而减小了太阳能电池组件出现隐裂和碎片的几率。
太阳能电池组件

[实用新型]一种检测丝网印刷效果的吸笔-CN201720477001.4有效
发明人：王金艺;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开一种检测丝网印刷效果的吸笔，包括吸管和吸盘，所述吸管的第一端设置端口密封，所述吸盘设置在所述吸管的第一端且所述吸盘的吸气面与所述吸盘所在处的所述吸管的切线方向垂直，所述吸管的第二端与真空泵连接，所述吸管的管体设置有通气孔。所述检测丝网印刷效果的吸笔，通过在第一端设置吸盘，第二端与真空泵连接，并且在吸管的罐体设置通气孔。需要取片是，将吸盘端伸入到设备里，由于吸管的第二端与真空泵连接，只要将通气孔按住，吸盘就会产生吸力将硅片吸附，这种取片方式可以完全避免碰触浆料，以及对硅片造成污染，同时只要单手即可操作，可以避免对操作员造成安全隐患。
一种检测丝网印刷效果

[发明专利]一种PERC电池正面减反膜的制备方法-CN201611168820.7有效
发明人：孙海杰;金井升;金浩;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种PERC电池正面减反膜的制备方法，在对硅片进行制绒、扩散、背面抛光和刻蚀之后，包括在所述电池的正面和背面制作氧化硅膜；在所述硅片的背面制作氧化铝膜和背面减反膜；在所述硅片的正面制作至少两层正面减反膜，其中，每制作一层所述正面减反膜之后，将所述硅片恒温静置预设时间，以释放出氢原子与空位、缺陷、杂质和晶界上的悬挂键结合。本申请提供的上述PERC电池正面减反膜的制备方法，能够有效地激发出背面Al2O3薄膜和正背面SiNx薄膜的钝化效果，降低载流子的复合，提升电池的少子寿命，从而提升电池的电性能。
一种 perc 电池正面减反膜制备方法

[实用新型]一种模拟电池片室外光衰减的装置-CN201720421992.4有效
发明人：何广东;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种模拟电池片室外光衰减的装置，包括底座、设置在所述底座四周的透明框架、多个设置在所述底座上的用于放置电池片的承载平台和固定在所述透明框架顶部的用于对所述透明框架进行封闭的透明顶盖。所述模拟电池片室外光衰减的装置，通过将被测试的电池片放入由底座、设置在所述底座四周的透明框架和固定在透明框架顶部的透明顶盖组成的封闭空间内的承载平台上，可模拟电池片在室外的光衰减情况，测试精确度高，结构简单、造价低，由于可以在底座上同时设置多个承载平台，适用于对批量电池片光衰减的监控以及研究，此外，在测试过程中，无能耗，降低了测试成本。
一种模拟电池室外衰减装置

[发明专利]一种成品太阳能电池退火的方法-CN201710891399.0在审
发明人：侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩;黄纪德 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种成品太阳能电池退火的方法，包括设置链式退火炉内各个区间的温度以及炉带移动速度；将所述链式退火炉内的空气排出；向所述链式退火炉内通入氢气和氮气；将成品太阳能电池放置在所述链式退火炉的上料处的传送炉带上；在所述链式退火炉内经过预设时间的氢化退火后，从所述链式退火炉的下料处取出所述成品太阳能电池。上述成品太阳能电池退火的方法，能够减少氢化退火工艺的时间，在提高效率的基础上，减少太阳能电池中的缺陷，提升电池的开路电压，提高转换效率。
一种成品太阳能电池退火方法

[发明专利]太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池-CN201710630198.5在审
发明人：黄纪德;侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池，太阳能电池硅片的扩散方法包括步骤将硅片送至扩散炉管内；加热扩散炉管，以使扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高；对扩散炉管内的硅片进行扩散。上述太阳能电池硅片的扩散方法，通过加热扩散炉管使得扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高，则扩散炉管内工艺气体浓度较大的位置温度较低、工艺气体浓度较小的位置温度较高，由于工艺气体的浓度越大扩散电阻越小、扩散炉管的温度越高扩散电阻越小，则提高了扩散方阻的一致性，提高了扩散均匀性。
太阳能电池硅片扩散方法

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