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[发明专利]一种逐次逼近模数转换器中的电容阵列逻辑控制方法-CN202010710779.1有效
发明人：王巍;丁立;樊琦;赵汝法;袁军;霍军;黎淼;张祯 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明请求保护一种逐次逼近模数转换器中的电容阵列逻辑控制方法，属于模拟集成电路设计技术领域。是一种差分电容阵列的开关逻辑的设计方法。本方法可以让电容阵列在每次判决中接入使用最少的电容，从而引入最少的失配等非理想因素。相比传统方法以及众多功耗改进的方法，本方法在不对逐次逼近模数转换电路基本结构做修改的情况下，改善逐次逼近模数转换器的线性度，SNDR(信噪失真比)和SFDR(动态范围)等主要性能参数都有明显提高，也非常有利于高位高精度的逐次逼近模数转换器后续的模拟或者数字校准，从而提高转换器的整体性能。并且，本方法具有普适性，适用于大多数差分电容阵列结构的逐次逼近模数转换电路。
一种逐次逼近转换器中的电容阵列逻辑控制方法

[发明专利]一种带复位功能的低功耗全加器电路-CN201911195762.0有效
发明人：刘旭辉;赵汝法;霍军;王巍 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：本发明请求保护一种带复位功能的低功耗全加器电路，属于集成电路领域；本申请中仅采用10个晶体管，包含复位电路、2个3管同或电路以及1个选择模块电路，其中复位电路由NMOS管N6、NMOS管N7组成；3管同或电路由PMOS管P1、NMOS管N1、NMOS管N2通过特殊的连接方式组成；1个选择模块由PMOS管P3和NOMS管N5组成；优点是，与典型的全加器电路相比，明显减少了晶体管数量，降低了功耗，引入复位信号后，方便确定全加器的初始状态，更加便于上层电路的使用。
一种复位功能功耗全加器电路

[发明专利]一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法-CN202010857537.5有效
发明人：黎淼;王巍;霍军;赵汝法;樊琦;丁立 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/119 文献下载
摘要：本发明请求保护一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法，其采用石墨烯场效应管电阻值作为测量物理量，具体包括：半导体晶体材料层、绝缘隔离层、石墨烯材料层及感应信号电极层，在高原子序数辐射作用晶体表面制备面元阵列结构石墨烯结构层，构建面元阵列石墨烯场效应管结构，采用半导体介质CdZnTe晶体材料作为射线光子吸收介质，同时采用施加了偏置电压的石墨烯场效应管作为信号产生层。本发明以石墨烯材料层的阻值为探测物理量，能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性。
一种石墨半导体辐射探测器件及其制备方法

[发明专利]一种适用于中低精度高速低功耗ADC的三级比较器系统-CN202210372616.6在审
发明人：王巍;赵汝法;熊德宇;樊琦 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明请求保护一种适用于中低精度高速低功耗ADC的三级比较器系统，其包括第一级四输入两输出动态小信号前置放大器、第二级两输入两输出动态小信号前置放大器和锁存器，其中动态前置放大器包括输入差分对管、尾电荷源和电荷转向支路；锁存器包括输入级、锁存级和输出级。本发明的目的在于能够通过使比较器电路中的所有模块全部改进为动态结构，当没有控制时序输入时电路处于断路状态，消除静态电流，从而使功耗得到进一步降低。另一方面通过两级动态前置放大器自身的增益倍数压低了比较器输入端的失调电压，使比较器的精度得到保障。创新点在于相比较传统架构，本发明基于全动态三级结构对电路功耗和失调电压的降低有着显著的效果。
一种适用于精度高速功耗 adc 三级比较系统

[发明专利]一种低暗电流的CMOS APD光电器件-CN202010709400.5有效
发明人：霍军;王巍;黎淼;丁立;樊琦;赵汝法;袁军 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明请求保护一种低暗电流的CMOS APD光电器件，属于半导体光电器件领域。器件结构包括P衬底，其还包括在其上离子注入的P阱，所述P阱上离子注入有一个N+层和两个P+层，N+层为阴极，P+层为阳极。将重掺杂的N+层与轻掺杂的P阱层形成PN结，即形成雪崩区，并设置一个光照窗口，当光源射入器件内部被光吸收区吸收时，产生光生载流子，光生载流子在电场作用下运动到雪崩区参与倍增；还将所述P阱层的间隙两端掺杂STI保护环和N+层两侧掺杂小尺寸STI保护环，STI的合理设置既能保证暗电流的降低，又可使光电流被有效探测；在器件电极设计上优化了光电效应及电容。该设计技术从PN结、STI保护环、电极设置三方面进行设计，降低器件的暗电流，保证光电流可被探测，电容减小。
一种电流 cmos apd 光电器件

[发明专利]一种应用于高效率DC-DC转换器的自适应调制模式切换电路-CN201910982690.8有效
发明人：赵汝法;毛鼎昌;周怡 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明请求保护一种应用于高效率DC‑DC转换器的自适应模式切换电路。该电路主要包括一个三角波发生电路，一个屏蔽信号产生电路以及脉宽调制电路。脉宽调制环路和屏蔽信号产生电路实现自适应调制模式切换。三角波发生电路用于产生一个频率固定三角波信号VRAMP和一个脉冲信号VCLK，其中VRAMP通过与一个基准电压VI经过比较器COMP1后产生一个同PWM控制方波周期相同的时钟信号，该时钟信号和VCLK经过RS触发器后形成一个和PWM信号同时钟上升沿的脉冲信号VCLK1。在负载比较重的时候，输出信号QDRIVE即为原控制环路调制信号PWM，当负载比较轻的时候，经过D触发器后屏蔽信号VSKIP逻辑变为“1”。在此期间或门输出信号为高电平，将一部分工作周期屏蔽，电路进入跳周期工作模式，功率MOS管开关周期减小。开关损耗减小，转换器工作效率提高。
一种应用于高效率 dc 转换器自适应调制模式切换电路

[发明专利]一种基于移动最小二乘算法的双能X射线骨密度检测方法-CN202210040299.8在审
发明人：黎淼;王巍;樊琦;赵汝法;霍军;袁军 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明请求保护一种基于移动最小二乘算法的双能X射线骨密度检测方法，包括以下步骤：获取模体在光子计数探测器的高能、低能X射线下的探测数据，并进行去噪在内的预处理；以及获取高能、低能X射线的入射能量；计算得到高低能衰减值；按照模体厚度进行网格划分；确定移动最小二乘算法的权函数后，在每个网格内，以目标节点为中心划分影响域半径，在空间域内，对每个高低能衰减值数据点进行遍历，在影响域内设置变化步长；采用最小二乘算法得到最终的拟合关系，得到模体厚度‑高低能衰减值拟合曲面；确定需要测量的骨密度ROI区域，计算得到对应的模体厚度，模体厚度与模体密度的乘积就是对应部位的骨密度值。本发明解决了拟合光滑性和局部化问题。
一种基于移动最小算法射线密度检测方法

[发明专利]一种具有达峰标记输出的峰值保持电路-CN202210040211.2在审
发明人：王巍;黎淼;赵汝法;樊琦 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H03K5/1532 文献下载
摘要：本发明请求保护一种具有达峰标记输出的峰值保持电路，包括峰值保持电路，峰值检测电路，峰值标记输出缓冲器。其中，峰值保持电路的输出来自于前一级的输出，可为滤波成型器的输出或者为其他检测电路输出的辐射信号，峰值保持电路的两个输出端分别为峰值输出和电流镜电压信号，电流镜电压信号连接到峰值检测电路的输入端，峰值检测电路的输出端连接到峰值标记输出缓冲器，峰值标记输出缓冲器再将峰值标记信号输出到其他模块。本发明的峰值保持电路可将前一级电压信号的波形保持在其峰值，峰值检测电路能在峰值到来时迅速做出反应并输出相应的标记信号，峰值标记输出缓冲器能将峰值检测电路输出的标记信号转换为对应的脉冲信号。
一种具有标记输出峰值保持电路

[发明专利]一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器电容开关方法-CN202110929821.3在审
发明人：王巍;刘博文;赵汝法;樊琦 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：本发明请求保护一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器中的电容开关方法，属于模拟集成电路设计领域，用于差分电容阵列的开关逻辑的设计。本发明所设计的低共模电压变化的逐次逼近模数转换器，通过特殊的开关顺序设计，不增加额外的电路与功耗。在获得优异的工作性能的同时，使得整个工作中比较器输入端共模电压变化幅度较传统及众多改进型电容开关有大幅下降。比较器输入端较低的共模电压变化，非常有利于高精度的逐次逼近模数转换器中带有前置放大器的比较器的正常工作，从而提高转换器的整体性能。本发明所设计的电容开关适用性强，可适用于大多数差分电容阵列结构的逐次逼近模数转换电路，并且同时适用电容上极板采样和下极板采样模式。
一种低共模电压变化逐次逼近转换器电容开关方法

[发明专利]一种低插损高频声表面波滤波器-CN202110929810.5在审
发明人：王巍;周杨春;黎淼 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明请求保护一种高频低插损声表面波滤波器，属于声表面波滤波器技术领域，其包括滤波器的结构设计和减小带内波动、减小插入损耗，提高带外抑制性能的优化方法。其中滤波器的结构设计包括4个结构参数相同的并联谐振器P1‑P4和4个结构参数不同的串联谐振器S1‑S4组成”T+π”型结构以提高带外抑制并优化矩形系数。提高性能的优化方法包括，每个谐振器单元均使用厚金属膜插指电极结构以抑制乐甫波波速并提高瑞利波强度；提高所有串联谐振器的占空比并减小反射栅周期以减少横向模式干扰；通过调整串联谐振器插指对数改变谐振器横向模式频率点的位置使得级联不同谐振器时，由横向模式引入的损耗错位叠加进而在提高带外抑制的同时减小带内波动和插入损耗。
一种低插损高频表面波滤波器

[发明专利]一种应用于PWM DC/DC的浮动栅宽自适应切换逻辑电路-CN201910939765.4有效
发明人：袁军;周怡;赵汝法 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明请求保护一种应用于PWM DC/DC的浮动栅宽自适应切换逻辑电路，该控制逻辑电路主要包括比较器、状态机、分频器和工作监测模块等。加入分频器可避免电路还未进入稳定时又再次改变状态机的状态。经过分频后的时钟信号再用作状态机的时钟，比较器将电流检测信号限定在VL～VH的范围之内，比较器输出判别信号(Vsense1,Vsense2)后，对状态机输出状态(VCLK2,VCLK3)进行转换，状态机的输出信号(VCLK2,VCLK3)通过逻辑门电路来产生控制各级功率管的工作状态的信号，该信号经过反相器buffer后直接用于驱动各级驱动管。工作监测模块则是利用PWM时钟信号对开关信号VP进行监测，出现异常后自动将状态机的状态复位到(0,0)，使得各级功率管开始工作。本发明可以有效提高PWM DC/DC在轻负载的时候的转换效率。
一种应用于 pwm dc 浮动自适应切换逻辑电路

[发明专利]一种三维电致伸缩收集电极的半导体探测器及其制备方法-CN201911096804.5有效
发明人：黎淼;赵汝法;王巍;霍军;袁军 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明请求保护一种三维电致伸缩收集电极的半导体探测器及制备方法，其包括：半导体晶体、阴极和阳极；所述半导体晶体包括相对设置于所述半导体晶体两侧的第一面和第二面；所述阴极设于所述半导体晶体的第一面；所述阳极设于所述半导体晶体的第二面，所述阳极包括：收集电极、电致伸缩电极及导电层，所述电致伸缩电极围绕所述收集电极布设，所述电致伸缩电极为电致伸缩电极材料制作而成的电极，若干电致伸缩电极通过导电层相互电连接，在高辐射通量条件下，通过导电层给电致伸缩电极施加外加控制电压，电致伸缩电极沿电极槽伸展，在半导体晶体内部深处构成内电场，加快半导体晶体深处堆积载流子的迁移及复合，促进信号载流子的高效吸收。
一种三维伸缩收集电极半导体探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路-CN202011393942.2在审
发明人：赵汝法;唐晓斌;张定冬;王巍;樊琦 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本发明请求保护一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路，属于微电子技术领域，包括预放大器、成形器及漏电流补偿电路；其中，来自探测器的信号，从输入端口进入预放大器，预放大器的输出端与成形器的输入端相连，成形器的输出端输出电压信号，所述漏电流补偿电路的输入端与输入端口和预放大器的输入端相连，漏电流补偿电路的输出端与预放大器的输出端和成形器的输入端相连。本发明包括预放大器、成形器及漏电流补偿电路，所述预放大器用于放大探测器输出的电荷信号，所述成形器用于过滤噪声并调整波形，所述漏电流补偿电路用于补偿输入端的漏电流，降低噪声，稳定基线，从而实现辐射探测器信号的低噪声的读出。
一种具有漏电补偿辐射探测器前端读出电路

[发明专利]一种应用于辐射探测器的前端读出电路-CN202011393943.7在审
发明人：赵汝法;唐晓斌;张定冬;王巍;樊琦 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明请求保护一种应用于辐射探测器的前端读出电路，属于微电子技术领域，包括预放大器、零极点消除电路及成形器；其中，来自探测器的信号，从输入端口进入预放大器，预放大器的输出端与零极点消除电路的输入端相连，零极点消除电路的输出端与成形器的输入端相连，成形器的输出端输出电压信号。本发明包括预放大器、零极点消除电路及成形器，预放大器用于放大探测器输出的电荷信号，零极点消除电路用于减小指数衰减信号的时间常数并消除输出信号下冲，成形器用于过滤噪声并调整波形，通过零极点消除电路改善输出波形，从而实现辐射探测器信号的前端读出。
一种应用于辐射探测器前端读出电路

[发明专利]一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法-CN202010911231.3在审
发明人：黎淼;王巍;樊琦;赵汝法;霍军 -专利权人： 重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明请求保护一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制备方法，其特征在于，从上至下依次包括：Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、双层氧化钒VOx材料层、Ti/Pt阳极电极层及Ti/Pt电极读出电极层，其中，当高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层接受辐射后产生感应电荷信号时，感应电荷信号在双层氧化钒VOx材料层的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量发生变化，氧化钒VOx材料层薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致氧化钒VOx材料层相对厚度发生改变，使得Ti/Pt电极读出电极层读出的电阻值产生变化。本发明能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性。
一种敏感 cdznte 辐射探测器及其制造方法

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