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[发明专利]一种图像清晰度的评价方法、自动聚焦的方法及相应装置-CN201511022341.X有效
发明人： 郭一民;况璐 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明实施例一种图像清晰度的评价方法、自动聚焦的方法及相应装置，用以解决现有技术中图像清晰度评价的方法，无法自适应的提升图像清晰度评价函数的尖峰性和单调性等特性。本发明在各个场景下都能在不同外界光照亮度下，自适应根据每个初始细节块的亮度值和清晰度评价值确定两者之间的映射关系的取值范围；在需要进行自动聚焦时，根据预先确定的映射关系的取值范围、以及每个子块当前的清晰度评价值，确定该子块对应的至少一个亮度范围值，再根据该子块对应的当前亮度值，判断当前子块是否是评价细节块，并对评价细节块和非评价细节块分别给予不同的权重，进而能够排除噪声、亮度等干扰，实现自适应的提升图像清晰度评价函数的尖峰性和单调性等特性。
一种图像清晰度评价方法自动聚焦相应装置

[发明专利]一种制作作为磁性随机存储器顶电极的导电硬掩模的方法-CN201810091729.2在审
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作作为磁性随机存储器顶电极的导电硬掩模的方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，在基底上沉积底电极和磁性隧道结多层膜、导电硬模层的刻蚀阻挡层、导电硬掩模、导电硬掩模的掩模层；(2)图形化导电硬掩模图案，利用光刻胶/无机抗反射涂层/含碳膜层的三层结构使图案转移到导电硬掩模的掩模层的顶部；(2)以剩下的含碳膜层和导电硬掩模的掩模层为掩模，刻蚀导电硬掩模，并除去含碳膜层和刻蚀带来的导电聚合物。本发明有益效果如下：增加了工艺的可选择行，极大的增加了关键尺寸的可控行，有利电学和良率的提高和器件的小型号化，增加了刻蚀/聚合物清除工艺窗口。
导电硬掩模碳膜层掩模层刻蚀磁性随机存储器顶电极基底无机抗反射涂层磁性隧道结导电聚合物刻蚀阻挡层硬掩模图案表面抛光工艺窗口金属通孔三层结构图案转移聚合物底电极多层膜光刻胶图形化选择行电学可控良率掩模硬模沉积制作

[实用新型]一种轻型木制结构建筑模型-CN201820892757.X有效
发明人： 郭一民;周娜;刘晓伟 -专利权人：延安大学西安创新学院
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G09B25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了建筑模型技术领域的一种轻型木制结构建筑模型，包括底座，所述底座的顶部左右两侧通过胶水固定粘合有两组支架，两组所述支架的顶部均固定安装有横支杆，所述横支杆的外壁插接有绳索固定手把，所述底座的顶部通过胶水固定粘合有桥梁模型固定板，所述桥梁模型固定板的顶部固定安装有桥梁模型，该种轻型木制结构建筑模型，设计合理，美观大方，所有结构均采用轻型木制材料制成，质量较轻，拿取方便，而且通过胶水和凸块固定，拆卸方便，便于学生了解桥梁建筑各个板块的搭建，增强学生对桥梁建筑的兴趣。
建筑模型轻型木制结构桥梁模型胶水底座固定粘合桥梁建筑固定板横支杆两组支架本实用新型拆卸方便木制材料绳索固定凸块固定左右两侧插接拿取手把外壁美观学生

[实用新型]一种新型混凝土施工模板-CN201821970061.0有效
发明人： 郭一民 -专利权人：延安大学西安创新学院
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： E04G9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型混凝土施工模板，包括第一模板架、加强板和加强筋，所述第一模板架的一端套接有第二模板架，所述第一模板架的内部中间位置卡接有竖隔板，所述第一模板架的内部套接有横隔板，所述第一模板架的底部固定连接有底板，所述第一模板架的一端表面开有螺栓孔，所述第一模板架的两侧卡接有卡条，所述卡条的一端表面贯穿连接有对拉螺栓，所述加强板的套接在第一模板架的两端，所述加强板的一侧卡接有紧固螺栓，所述加强筋的一端卡接在加强板的一侧。本实用新型通过在第一模板架和第二模板架之间通过螺栓进行连接，安装时比较方便，而且可以根据需要来改变模板的尺寸和大小，使用起来比较方便。
模板架加强板卡接套接本实用新型新型混凝土施工模板加强筋卡条底板内部中间位置螺栓表面贯穿对拉螺栓紧固螺栓横隔板螺栓孔竖隔板

[发明专利]细胞阵列计算系统-CN201510456457.8有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统，包括：主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和至少一个存储单元阵列；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维阵列，其中每一个细胞包括微处理器和非易失随机存储器；存储单元阵列是由一个以上存储单元组成的二维阵列，细胞阵列与所有存储单元阵列叠合形成三维结构，每个存储单元阵列中的存储单元与细胞阵列中的细胞一一对应地相连；所述存储单元配合所述非易失随机存储器共同用于存储软件的指令代码和需要永久保存的数据；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中每个细胞进行通信；相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间存在的通信瓶颈，提升系统整体性能。
细胞阵列计算系统

[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法-CN201711007715.X在审
发明人：肖荣福;张云森;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在基底上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属铜；(2)在底电极通孔上沉积底电极接触和磁性隧道结多层膜，并制作存储区域底电极接触和磁性隧道结记忆单元阵列；制作逻辑区域底电极接触和假磁性隧道结(dummy‑MTJ)单元；(3)在逻辑区域制作假磁性隧道结开口；(4)制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的铜金属连线。在磁性隧道结的下面增加了一层底电极接触，避免了CMOS后段铜通孔与制作磁性隧道结阵列中的刻蚀工艺直接接着，有利于器件电学性能和良率的提升。
底电极磁性隧道结通孔制作连线磁性随机存储器单元阵列逻辑区域周边电路基底记忆单元阵列表面抛光存储单元存储区域电学性能金属连线刻蚀工艺逻辑单元填充金属顶电极多层膜铜金属铜通孔沉积后段良率制造开口

[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法-CN201711011769.3在审
发明人： 郭一民;肖荣福;张云森;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在基底上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属铜；(2)在底电极通孔上沉积底电极接触和磁性隧道结多层膜，并在存储区域制作磁性隧道结记忆单元阵列；在逻辑区域底电极通孔上制作逻辑区域底电极接触和假磁性隧道结(dummy‑MTJ)单元；(3)制作逻辑区域顶电极通孔，并使逻辑区域顶电极通孔的尺寸大于假磁性隧道结单元的尺寸；(4)制作存储区域顶电极通孔，然后在逻辑区域顶电极通孔和存储区域顶电极通孔中填充顶电极通孔金属；(5)制作连接逻辑区域与存储区域的金属连线。
通孔逻辑区域底电极顶电极存储区域磁性隧道结制作磁性随机存储器单元阵列金属连线周边电路基底连线磁性隧道结单元记忆单元阵列表面抛光填充金属多层膜沉积填充制造金属

[发明专利]磁性随机存储器记忆单元及其读写和抗干扰方法-CN201510608723.4有效
发明人： 郭一民;陈峻;肖荣福;夏文斌;戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元，包括堆叠结构和自旋阀控制层，堆叠结构包括：磁性参考层、磁性记忆层、隧道势垒层、中间层和自旋阀层；磁性参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；磁性记忆层和自旋阀层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；隧道势垒层位于磁性参考层和磁性记忆层之间且分别与磁性参考层和磁性记忆层相邻；中间层与磁性记忆层相邻；自旋阀层的磁各向异性小于磁性记忆层的磁各向异性；自旋阀层与所述中间层相邻；自旋阀控制层是与堆叠结构相间隔设置的导电层。本发明还提供了一种上述磁性随机存储器记忆单元的读写和抗干扰方法，以及基于以上设计构思的另一种记忆单元及其读写和抗干扰方法。
磁性随机存储器记忆单元及其读写抗干扰方法

[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法-CN201710858159.0在审
发明人：肖荣福;张云森;叶力;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在基底上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属并将其表面磨平；(2)在存储区域的底电极通孔上制作存储区域底电极接触和磁性隧道结阵列，在逻辑区域的底电极通孔上制作逻辑区域底电极接触；(3)制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属连线。这样底电极接触金属膜和磁性隧道结多层膜可以一次沉积，有利于磁性随机存储器磁性/电学性能的提高，简化工艺的复杂程度和制作成本降低。
底电极通孔磁性随机存储器制作磁性隧道结存储区域单元阵列金属连线逻辑区域周边电路基底连线表面抛光存储单元电学性能逻辑单元填充金属顶电极多层膜金属膜沉积磨平制造

[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法-CN201710858219.9在审
发明人： 郭一民;张云森;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，采用在铜金属的通孔上制作一层底电极接触层将铜通孔盖住。包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属铜通孔的CMOS基底，并在基底上制作底电极接触；(2)在底电极接触上制作磁性隧道结结构单元；(3)在磁性隧道结结构单元上制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属连线。由于底电极接触材料采用的是非铜金属，这样磁性隧道结及其底电极就可以在表面抛光的底电极接触层上进行制作，这样就有效的避免了由于在铜V_x(x>＝1)上面直接制作MTJ所带来的铜污染和铜扩散和直接将MTJ多层膜生长在粗糙的铜表面，非常有利于MRAM回路电学性能的优化提高和器件的小型化。
底电极通孔制作磁性随机存储器磁性隧道结结构表面抛光单元阵列周边电路接触层铜金属基底连线磁性隧道结存储单元电学性能接触材料金属连线逻辑单元直接制作顶电极多层膜金属铜铜表面铜扩散铜通孔铜污染制造粗糙生长优化

[发明专利]一种平面型STT-MRAM记忆单元及其读写方法-CN201510608804.4有效
发明人：夏文斌;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型STT‑MRAM记忆单元。此STT‑MRAM记忆单元包括：磁性参考层、磁性记忆层、隧道势垒层、磁晶优化辅助层、置压层和控制线；磁晶优化辅助层与磁性记忆层相邻并且设置于磁性记忆层远离衬底基片的一面；置压层与磁晶优化辅助层相邻并且设置于磁晶优化辅助层远离衬底基片的一面；控制线与置压层相邻并且设置于置压层远离衬底基片的一面。本发明还提供了一种平面型STT‑MRAM的读写方法，包括读操作时，在控制线与位线之间加正向偏置电压，产生的电场使磁性记忆层的垂直各向异性减小，面内各向异性增强；写操作时，在控制线与位线之间加负向偏置电压，产生的电场使磁性记忆层的垂直各向异性增强，面内各向异性减弱。
一种平面 stt mram 记忆单元及其读写方法

[发明专利]细胞阵列计算系统以及其中的通信方法-CN201510456252.X有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统以及其中的通信方法，所述细胞阵列计算系统包括：主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维阵列；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中的每一个细胞进行通信；细胞阵列中的相邻细胞之间有通信接口，能相互发送数据；细胞阵列中参与细胞间通信的细胞包含起点细胞、终点细胞和中转细胞；所述细胞阵列中还设有至少一个专职输出细胞，所述专职输出细胞作为所述终点细胞接收并存储其他细胞给主控CPU的输出数据，并以中断信号通知主控CPU读取所述输出数据。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间存在的通信瓶颈，提升计算系统的整体性能。
细胞阵列计算系统以及其中通信方法

[发明专利]细胞阵列计算系统以及其中的通信方法-CN201510456307.7有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统以及其中的通信方法，所述细胞阵列计算系统包括：主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线；细胞阵列是由一个以上二维阵列叠合而成的三维阵列，所述二维阵列由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成，其中每一个细胞包括微处理器和非易失随机存储器；非易失随机存储器用于微处理器计算时所涉及数据的随机存取，还用于存储软件的指令代码和需要永久保存的数据；每一个细胞储存各自在细胞阵列中的位置作为ID以供细胞中的软件或硬件读取；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中的每一个细胞进行通信；细胞阵列中的相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间的通信瓶颈，提升系统整体性能。
细胞阵列计算系统以及其中通信方法

[发明专利]细胞阵列计算系统-CN201510456244.5有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统，包括：主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和内存单元阵列；细胞阵列是由一个以上二维细胞阵列叠合而成的三维细胞阵列，二维细胞阵列由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成；至少一个二维细胞阵列与对应的一个或一个以上内存单元阵列叠合形成三维结构，每个内存单元阵列中的内存单元与相应二维细胞阵列中的细胞一一对应地相连；每一个细胞储存各自在细胞阵列中的位置作为ID以供细胞中的软件或硬件读取；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中的每一个细胞进行通信；细胞阵列中的相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间的通信瓶颈，提升系统整体性能。
细胞阵列计算系统

[发明专利]细胞阵列计算系统-CN201510456225.2有效
发明人：戴瑾;郭一民;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：一种细胞阵列计算系统，包括：主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和至少一个内存单元阵列；细胞阵列是由一个以上兼具计算和存储功能的细胞组成的二维阵列，其中每一个细胞包括微处理器和非易失随机存储器；内存单元阵列是由一个以上内存单元组成的二维阵列，细胞阵列与所有内存单元阵列叠合形成三维结构，每个内存单元阵列中的内存单元与细胞阵列中的细胞一一对应地相连；所述内存单元配合所述非易失随机存储器共同用于所述微处理器计算时所涉及数据的随机存取；主控CPU通过细胞阵列总线与细胞阵列中每个细胞进行通信；相邻细胞间有通信接口，能相互发送数据。本发明能克服现有计算机架构因CPU与内存、存储之间存在的通信瓶颈，提升系统整体性能。
细胞阵列计算系统