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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括具有写辅助单元的单元阵列的集成电路-CN202111098713.2在审
发明人：崔憙庆;崔泰敏;郑盛旭;赵健熙 -专利权人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种集成电路包括单元阵列、多条字线、至少一条写辅助线以及行驱动器，单元阵列包括位于多个第一行中的多个存储单元和位于至少一个第二行中的多个写辅助单元，多条字线分别在多个第一行上延伸，至少一条写辅助线分别在至少一个第二行上延伸，行驱动器连接到多条字线和至少一条写辅助线，行驱动器被配置为：在写操作期间通过至少一条写辅助线启用多个写辅助单元中的至少一个写辅助单元，其中，多个写辅助单元中的每个写辅助单元包括与多个存储单元中的每个存储单元相同的晶体管配置并且具有与多个存储单元中的每个存储单元相同的占用面积。
包括具有辅助单元阵列集成电路

[发明专利]包括具有字线辅助单元的单元阵列的集成电路-CN202111063367.4在审
发明人：崔泰敏;郑盛旭;赵健熙 -专利权人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开涉及包括具有字线辅助单元的单元阵列的集成电路。集成电路包括：单元阵列，该单元阵列包括在多个第一列中的多个存储单元并且包括在至少一个第二列中的多个字线辅助单元；多条字线，该多条字线分别在单元阵列的多个第一行上延伸并连接到多个存储单元和多个字线辅助单元；以及行驱动器，该行驱动器被配置为驱动多条字线。
包括具有辅助单元阵列集成电路

[发明专利]发送器和接收器以及包括该发送器和接收器的存储系统-CN202110925177.2在审
发明人：文炳模;金志泳;郑盛旭;李钟秀 -专利权人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：提供了发送器和接收器以及包括该发送器和接收器的存储系统。所述发送器包括多路复用器、控制逻辑和电压模式驱动器。多路复用器基于多个输入数据信号和多相位时钟信号产生多个时间交织数据信号。多个输入数据信号并行输入。多个输入数据信号中的每一个输入数据信号为二进制信号并且具有彼此不同的两个电压电平。控制逻辑基于多个时间交织数据信号产生至少一个下拉控制信号和多个上拉控制信号。多个上拉控制信号中的每一个上拉控制信号的电压电平被暂时升压。电压模式驱动器基于至少一个下拉控制信号和多个上拉控制信号产生输出数据信号。输出数据信号为双二进制信号并且具有彼此不同的三个电压电平。
发送接收器以及包括存储系统

[发明专利]半导体存储器装置-CN201610576170.3有效
发明人：郑韩蔚;林优镇;宋泰中;郑盛旭;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：存储器单元；感测电路，通过第一位线以及与第一位线不同的第二位线连接到存储器单元，感测电路被构造为感测存储在存储器单元中的数据；以及位线电压控制电路，通过第一位线和第二位线连接到存储器单元，位线电压控制电路被构造为将第一位线预充电到小于电源电压的第一电压并且将第二位线预充电到小于电源电压且与第一电压不同的第二电压。
半导体存储器装置

[发明专利]衬底研磨装置-CN201710473797.0有效
发明人：郑花奎;尹锡烈;李康彬;李凤雨;张根浩;张升勳;郑盛旭;郑焕暻 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：公开了衬底研磨装置，根据本发明的衬底研磨装置包括本体部件、连接部件、研磨柱部件和研磨环部件，其中，所述本体部件包括支承部和从所述支承部的中央区域突出的突出部，所述连接部件包括与所述突出部结合的结合部和从所述结合部的一部分突出的结合轴，所述研磨柱部件限定有供所述结合轴插入的结合槽，其中所述研磨柱部件的至少一部分在与所述结合轴的长度方向平行的截面上包括曲线，并且所述研磨环部件与所述支承部的边缘区域结合。
衬底研磨装置

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010811426.0在审
发明人： 郑盛旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：单元串，其中多个选择晶体管、多个虚设晶体管和多个存储器单元晶体管串联联接；以及传输晶体管TR单元，其具有将多个驱动信号发送到单元串的多个传输晶体管。传输TR单元包括：多个第一传输晶体管，其将所述多个驱动信号当中的具有第一电平电压的第一驱动信号分别发送到所述多个选择晶体管；以及多个第二传输晶体管，其将所述多个驱动信号当中的具有高于第一电平电压的第二电平电压的第二驱动信号分别发送到多个虚设晶体管。各个第二传输晶体管的沟道面积大于各个第一传输晶体管。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010817732.5在审
发明人： 郑盛旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置可以包括电极结构、多个沟道柱和至少一个栅极分隔层。电极结构包括交替地堆叠的绝缘中间层和栅极导电层。沟道柱被形成为穿过电极结构。栅极分隔层形成在沟道柱之间。栅极分隔层分隔栅极导电层中的最上面的栅极导电层。在平面图中，沟道柱中的与栅极分隔层相邻的每个沟道柱具有凸月形状。半导体存储器装置还包括布置在栅极分隔层的两侧的狭缝结构。狭缝结构被形成为穿过电极结构。在平面图中，沟道柱中的与狭缝结构相邻的每个沟道柱具有凸月形状。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010818368.4在审
发明人： 郑盛旭;郑帐喜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置可以包括：电极结构，该电极结构包括堆叠在基板上的多个栅极导电膜；以及沟道阵列，其中，穿过电极结构的多个沟道柱在第二方向上布置。多个沟道柱包括最上平面具有第一形状的第一柱和最上平面具有第二形状的第二柱。N(N是大于或等于1的自然数)个第一柱和N个第二柱可以在不同于第二方向的第一方向上交替布置。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202011084704.3在审
发明人： 郑盛旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其制造方法。提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：通过隔离绝缘层彼此隔离的第一选择组和第二选择组；延伸以与第一选择组、隔离绝缘层和第二选择组交叠的上栅极层叠结构；延伸以贯穿第一选择组、第二选择组和上栅极层叠结构的沟道结构；以及与第一选择组、第二选择组和上栅极层叠结构间隔开的垂直连接结构，该垂直连接结构平行于沟道结构延伸。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010836112.6在审
发明人：李杲炫;郑盛旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：半导体装置。公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：第一狭缝、至少一条字线以及第二狭缝。第一狭缝设置在毗邻的存储器块之间的边界处以将存储器块彼此隔离，并且包括第一外部狭缝和第二外部狭缝，该第二外部狭缝在第一方向上与第一外部狭缝间隔开预定距离。字线设置在第一外部狭缝和第二外部狭缝之间，字线包括具有第一端和第二端的中心区域以及位于中心区域的第一端和第二端处的边缘区域，第二狭缝设置在中心区域处，第二狭缝将字线在中心区域中的区域隔离在第二狭缝的任一侧，其中，字线在边缘区域中是连续的。
半导体装置

[发明专利]显示装置及其控制方法-CN202110319708.3在审
发明人： 郑盛旭;李省慧;张星炫;李官玟;李翔熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H04N7/14 文献下载
摘要：一种显示装置包括：通信接口，被配置为与其他显示装置进行通信；显示器，被配置为所述显示与其他显示装置共享的内容和用于与所述其他显示装置的用户的视频呼叫的视频呼叫用户界面(UI)；以及处理器，响应于从所述其他显示装置接收的视频呼叫数据中包括的用户的手势和语音中的至少一个满足预定条件，被配置为控制显示器改变显示在显示器上的视频呼叫UI的大小。
显示装置及其控制方法

[发明专利]显示装置及其控制方法-CN202110319312.9在审
发明人： 郑盛旭;李省慧;张星炫;李官玟;李翔熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H04N7/14 文献下载
摘要：一种显示装置包括：通信接口，被配置为与其他显示装置进行通信；显示器，被配置为所述显示与其他显示装置共享的内容和用于与所述其他显示装置的用户的视频呼叫的视频呼叫用户界面(UI)；以及处理器，响应于从所述其他显示装置接收的视频呼叫数据中包括的用户的手势和语音中的至少一个满足预定条件，被配置为控制显示器改变显示在显示器上的视频呼叫UI的大小。
显示装置及其控制方法

[发明专利]存储器设备的读取/验证操作和控制方法-CN201710187763.5有效
发明人：李耀翰;金志锡;俞昌渊;千镇泳;张实完;高准英;郑盛旭;金志秀 -专利权人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
存储器设备读取验证操作控制方法

[发明专利]具有结构稳定性的半导体器件-CN202011560449.5在审
发明人： 郑盛旭;金垧甫;白智唏;郑帐喜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开提供一种具有结构稳定性的半导体器件。该半导体器件包括：垂直交替的导电层和绝缘层的叠层；穿过叠层的支撑体，支撑体中的每个具有等边多边形的横截面，支撑体在第一方向和第二方向上等距离地布置，第一方向和第二方向彼此交叉；以及，分别电耦接到导电层的接触插塞，接触插塞中的每个设置在支撑体中的至少两个相邻的支撑体之间。
具有结构稳定性半导体器件

[发明专利]显示装置及其控制方法-CN201680077338.4有效
发明人： 郑盛旭;李省慧;张星炫;李官玟;李翔熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04N7/14 文献下载
摘要：一种显示装置包括：通信接口，被配置为与其他显示装置进行通信；显示器，被配置为所述显示与其他显示装置共享的内容和用于与所述其他显示装置的用户的视频呼叫的视频呼叫用户界面(UI)；以及处理器，响应于从所述其他显示装置接收的视频呼叫数据中包括的用户的手势和语音中的至少一个满足预定条件，被配置为控制显示器改变显示在显示器上的视频呼叫UI的大小。
显示装置及其控制方法

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