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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置和该半导体装置的制造方法-CN202211323175.7在审
  • 郑盛旭;白智希;郑帐喜 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-10-27 - 2023-09-29 - H10B41/30
  • 提供了一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；多个沟道结构，所述多个沟道结构穿透栅极结构，所述多个沟道结构布置在第一方向上；多个切割结构，各个切割结构在分别穿透所述多个沟道结构中的每一个的同时将所述多个沟道结构中的每一个分别隔离成多个分割沟道结构；以及多条互连线，其位于栅极结构上方并且在第一方向上延伸。所述多个切割结构中的每一个具有包括在倾斜于第一方向的方向上延伸的延伸部的大致十字(+)形状。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202010818368.4在审
  • 郑盛旭;郑帐喜 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-08-14 - 2021-10-22 - H01L27/1157
  • 一种半导体存储器装置可以包括：电极结构，该电极结构包括堆叠在基板上的多个栅极导电膜；以及沟道阵列，其中，穿过电极结构的多个沟道柱在第二方向上布置。多个沟道柱包括最上平面具有第一形状的第一柱和最上平面具有第二形状的第二柱。N(N是大于或等于1的自然数)个第一柱和N个第二柱可以在不同于第二方向的第一方向上交替布置。
  • 半导体存储器装置
  •  1 
  • 共 4 条
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