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[发明专利]离子电流下降补偿-CN202180067796.0在审
发明人：克里斯托弗·波瓦曼;康纳·李斯顿;肯尼斯·米勒;迪麦西·津巴 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03K3/64 文献下载
摘要：公开了脉冲发生器。脉冲发生器包括直流电源；多个开关，变压器；和脉冲输出。脉冲发生器可以与等离子体室耦合。脉冲输出输出高压脉冲，该高压脉冲具有大于1kV的峰间电压和连续高压双极性脉冲之间的电压部分，该电压部分具有负斜率，该负斜率大大抵消了等离子室内晶圆上由于离子电流而降低的电压。晶圆处得到的电压在连续脉冲之间可能基本平坦。
离子电流下降补偿

[发明专利]纳秒脉冲发生器脉冲生成-CN201980048964.4在审
发明人：艾丽亚·斯劳伯道夫;迪麦西·津巴;约翰·卡斯凯德;肯尼斯·米勒;华采姆·耶格尔;埃里克·汉森;太绅·耶格尔;凯文·马格利;摩根·昆利;康纳·利斯顿 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一些实施例包括一种高电压脉冲发生电源。所述高电压脉冲发生电源可以包括：高电压脉冲发生器，其具有提供具有大于大约1kV的幅度、小于大约1μs的脉冲宽度和大于大约20kHz的脉冲重复频率的脉冲的输出；等离子体腔室；和电极，其被部署在所述等离子体腔室内，所述电极与所述高电压脉冲发生器的所述输出电耦合，以在所述等离子体腔室内产生电场。
脉冲发生器生成

[发明专利]离子电流下降补偿-CN202180047728.8在审
发明人：克里斯托弗·鲍曼;康纳·李斯顿;肯尼斯·米勒;迪麦西·津巴 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一些实施例中，公开了高电压电源，所述高电压电源提供了在两个随后脉冲之间不具有任何电压下降的多个高压脉冲。在一些实施例中，公开了高电压电源，所述高电压电源提供了具有多个高电压脉冲的电压随时间变化的波形，所述多个高电压脉冲具有大于1kV的电压以及具有脉冲之间实质上扁平的部分。在一些实施例中，公开了包括缓冲电路的高电压电源，所述缓冲电路具有大约7.5mΩ–1.25Ω电阻值的缓冲电阻；和具有大约2μF–35μF电容值的缓冲电容。
离子电流下降补偿

[发明专利]高频RF发生器和DC脉冲-CN202180034265.1在审
发明人：克里斯托弗·鲍曼;康纳·李斯顿;肯尼斯·米勒;迪麦西·津巴 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开了纳秒脉冲发生器系统。在一些实施例中，纳秒脉冲提供可包括高压电源；纳秒脉冲发生器，所述纳秒脉冲发生器与高压电源进行电耦接，所述纳秒脉冲发生器在高频率下切换来自所述高压电源的电压；具有初级侧和次级侧的变压器，所述纳秒脉冲发生器与变压器的初级测电耦接；和输出，所述输出与变压器电耦接产生波形。在一些实施例中，所述波形包括多个高压脉冲，所述高压脉冲具有大于大约2kV的脉冲幅度，脉冲宽度，和脉冲重复频率；以及具有波形频率和大于100v波形幅度的正弦波形。
高频 rf 发生器 dc 脉冲

[发明专利]用于等离子体系统的纳秒脉冲发生器RF隔离-CN202080089882.7在审
发明人： 迪麦西·津巴;肯尼斯·米勒 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的实施例包括一种等离子体系统。所述等离子体系统包括：等离子体腔室；RF驱动器，其配置为用RF频率将突发驱动到所述等离子体腔室中；纳秒脉冲发生器，其配置为用脉冲重复频率将脉冲驱动到所述等离子体腔室中，所述脉冲重复频率小于所述RF频率；高通滤波器，其部署在所述RF驱动器与所述等离子体腔室之间；和低通滤波器，其部署在所述纳秒脉冲发生器与所述等离子体腔室之间。
用于等离子体系统脉冲发生器 rf 隔离

[发明专利]具有校正的纳秒脉冲发生器偏置补偿-CN202080079343.5在审
发明人： 迪麦西·津巴;摩根·昆利;艾丽亚·斯劳伯道夫;亚历克斯·汉森;约翰·卡斯凯德;詹姆斯·普拉格;肯尼斯·米勒 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一些实施例包括一种高电压脉冲发生电路，包括：高电压脉冲发生电源；变压器，其与所述高电压脉冲发生电源电耦合；输出，其与所述变压器电耦合，并且配置为输出具有大于1kV的幅度、大于1kHz的脉冲重复频率的高电压脉冲；偏置补偿电路，其被布置为与所述输出并联，所述偏置补偿电路包括：第一电感，其包括电感元件和所述偏置补偿电路与所述高电压脉冲发生电源之间的任何杂散电感；和第二电感，其包括电感元件和所述偏置补偿电路与所述输出之间的任何杂散电感。
具有校正脉冲发生器偏置补偿

[发明专利]精密等离子体控制系统-CN202080023885.0在审
发明人： 迪麦西·津巴;肯尼斯·米勒;詹姆斯·普拉格;凯文·马格利;埃里克·汉森 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一些实施例包括一种等离子体系统，其包括：等离子体室、RF等离子体发生器、偏置发生器和控制器。所述RF等离子体发生器可以与所述等离子体室电耦合，并且可以产生多个RF突发，所述多个RF突发中的每一个包括RF波形，所述多个RF突发中的每一个具有RF突发开启时间和RF突发关闭时间。所述偏置发生器可以与所述等离子体室电耦合，并且可以产生多个偏置突发，所述多个偏置突发中的每一个包括偏置脉冲，所述多个偏置突发中的每一个具有偏置突发开启时间和偏置突发关闭时间。在一些实施例中，所述控制器与所述RF等离子体发生器和所述偏置发生器进行通信，所述控制器控制各种突发或波形的定时。
精密等离子体控制系统

[发明专利]纳秒脉冲器射频隔离-CN202080048240.2在审
发明人：克里斯托弗·伯曼;康纳·利斯顿;尼古拉斯·A·杨;肯尼斯·米勒;艾丽亚·斯劳伯道夫;迪麦西·津巴 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一些实施例包括等离子体系统。等离子体系统包括等离子体腔室、射频驱动器、纳秒脉冲器、第一滤波器及第二滤波器。射频驱动器以大于2兆赫的射频频率来驱动射频突发至等离子体腔室。纳秒脉冲器以脉冲重复频率及峰值电压来驱动脉冲至等离子体腔室。脉冲重复频率小于射频频率，峰值电压大于2千伏特。第一滤波器配置在射频驱动器及等离子体腔室之间。第二滤波器配置在纳秒脉冲器及等离子体腔室之间。
脉冲射频隔离

[发明专利]纳秒脉冲发生器电路中的高效能量恢复-CN202080018485.0在审
发明人：詹姆斯·普拉格;迪麦西·津巴;肯尼斯·米勒;艾丽亚·斯劳伯道夫;摩根·奎因雷 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H03K3/01 文献下载
摘要：一些实施例包括一种纳秒脉冲发生器电路。在一些实施例中，纳秒脉冲发生器电路可以包括：高电压电源；纳秒脉冲发生器，其与所述高电压电源电耦合并且以高频率对来自所述高电压电源的电压进行开关；变压器，其具有初级侧和次级侧，所述纳秒脉冲发生器与所述变压器的所述初级侧电耦合；和能量恢复电路，其与所述变压器的所述次级侧电耦合。在一些实施例中，所述能量恢复电路包括：电感器，其与所述高电压电源电耦合；消弧二极管，其布置为与所述变压器的所述次级侧并联；和第二二极管，其部署为与所述电感器串联，并且布置为将电流从负载传导到所述高电压电源。
脉冲发生器电路中的高效能量恢复

[发明专利]可变输出阻抗RF发生器-CN201980090264.1在审
发明人：詹姆斯·普拉格;迪麦西·津巴 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：公开了无需匹配网络的各种RF等离子体系统。在一些实施例中，所述RF等离子体系统包括：能量存储电容器；开关电路，其与所述能量存储电容器耦合，所述开关电路产生具有脉冲幅度和脉冲频率的多个脉冲，所述脉冲幅度大于100伏特；谐振电路，其与所述开关电路耦合。在一些实施例中，所述谐振电路包括：变压器，其具有初级侧和次级侧；和电容器、电感器和电阻器中的至少一个。在一些实施例中，所述谐振电路具有实质上等于所述脉冲频率的谐振频率，并且所述谐振电路将所述脉冲幅度增加到大于2kV的电压。
可变输出阻抗 rf 发生器

[发明专利]纳秒脉冲发生器偏置补偿-CN201980049940.0在审
发明人：肯尼斯·米勒;迪麦西·津巴;约翰·卡斯凯德;摩根·昆利;艾丽亚·斯劳伯道夫 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开一种高电压功率系统。在一些实施例中，所述高电压功率系统包括：高电压脉冲发生电源；变压器，其与所述高电压脉冲发生电源电耦合；输出，其与所述变压器电耦合，并且配置为输出具有大于1kV的幅度和大于1kHz的频率的高电压脉冲；和偏置补偿电路，其布置为与所述输出并联。在一些实施例中，所述偏置补偿电路可以包括：阻流二极管；和DC电源，其布置为与所述阻流二极管串联。
脉冲发生器偏置补偿

[发明专利]用于RF等离子体反应器的等离子体鞘控制-CN201980051988.5在审
发明人：艾丽亚·斯劳伯道夫;迪麦西·津巴;肯尼斯·米勒;詹姆斯·普拉格 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：一些实施例包括一种等离子体鞘控制系统，其包括：RF电源，其产生具有大于20kHz的频率和大于1kV的峰值电压的正弦波形；和等离子体腔室，其与所述RF电源电耦合，所述等离子体腔室具有通过大于大约1kV的能量受加速到所部署的表面中的多个离子，并且所述等离子体腔室从所述正弦波形在所述等离子体腔室内产生等离子体鞘。所述等离子体鞘控制系统包括：阻流二极管，其电连接在所述RF电源与所述等离子体腔室之间；和电容放电电路，其与所述RF电源、所述等离子体腔室和所述阻流二极管电耦合；所述电容放电电路通过大于1kV的峰值电压并且通过小于250纳秒的放电时间使所述等离子体腔室内的电容电荷放电。
用于 rf 等离子体反应器控制

[发明专利]空间可变晶圆偏置功率系统-CN201980049348.0在审
发明人：肯尼斯·米勒;迪麦西·津巴;约翰·卡斯凯德;詹姆斯·普拉格;艾丽亚·斯劳伯道夫 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H03K3/01 文献下载
摘要：一种等离子体沉积系统，其包括晶圆平台、第二电极、第一电极、第一高电压脉冲发生器和第二高电压脉冲发生器。在一些实施例中，所述第二电极可以部署得与所述晶圆平台接近。在一些实施例中，所述第二电极可以包括：盘形状，其具有中心孔径；中心轴；孔径直径和外径。在一些实施例中，所述第一电极可以部署得与所述晶圆平台接近并且处于所述第二电极的所述中心孔径内。在一些实施例中，所述第一电极可以包括盘形状、中心轴和外径。在一些实施例中，所述第一高电压脉冲发生器可以与所述第一电极电耦合。在一些实施例中，所述第二高电压脉冲发生器可以与所述第二电极电耦合。
空间可变偏置功率系统

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